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半導體技術(shù)基礎(chǔ)(杜中一) 版權(quán)信息
- ISBN：9787122099259
- 條形碼：9787122099259 ; 978-7-122-09925-9
- 裝幀：平裝
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體技術(shù)基礎(chǔ)(杜中一) 內(nèi)容簡介
本書針對高職教學及學生的特點，根據(jù)微電子、電子制造、光電子以及光伏等專業(yè)人才培養(yǎng)方案的需要，系統(tǒng)地介紹了半導體技術(shù)相關(guān)的基礎(chǔ)知識。本書主要包括半導體物理基礎(chǔ)、硅半導體材料基礎(chǔ)、化合物半導體材料基礎(chǔ)、PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS場效應(yīng)晶體管、其他常用半導體器件、半導體工藝化學、半導體集成電路設(shè)計原理、半導體集成電路設(shè)計方法與制造工藝等內(nèi)容。 本書“以應(yīng)用為目的，以實用為主，理論以必需、夠用為度”作為編寫原則，突出理論的實用性，語言通俗易懂，內(nèi)容全面,重點突出,層次清楚,結(jié)構(gòu)新穎,實用性強。 本書可作為微電子、電子制造、光電子以及光伏等相關(guān)專業(yè)的高職高專學生的教材或?qū)W習參考用書。
半導體技術(shù)基礎(chǔ)(杜中一) 目錄
第1章半導體技術(shù)概述111半導體技術(shù)1111半導體集成電路發(fā)展史1112半導體技術(shù)的發(fā)展趨勢312半導體與電子制造4121電子制造基本概念4122電子制造業(yè)的技術(shù)核心5習題16第2章半導體物理基礎(chǔ)721半導體能帶7211電子的共有化7212能帶7213雜質(zhì)能級922半導體的載流子運動12221載流子濃度與費米能級12222載流子的運動13習題214第3章硅半導體材料基礎(chǔ)1531半導體材料概述15311半導體材料的發(fā)展15312半導體材料的分類1632硅材料的主要性質(zhì)18321硅材料的化學性質(zhì)18322硅材料的晶體結(jié)構(gòu)19323硅材料的電學性質(zhì)21324硅材料的熱學性質(zhì)22325硅材料的機械性質(zhì)2233硅單晶的制備技術(shù)22331高純硅的制備22332硅的提純技術(shù)23333硅的晶體生長24334晶體中雜質(zhì)與缺陷2834集成電路硅襯底加工技術(shù)37341硅單晶拋光片的制備38342硅單晶拋光片的質(zhì)量檢測4135硅的外延生長技術(shù)43351外延生長概述44352硅氣相外延生長技術(shù)45習題350第4章化合物半導體材料基礎(chǔ)5141化合物半導體材料概述5142化合物半導體單晶的制備52421ⅢⅤ族化合物半導體單晶的制備52422ⅡⅥ族化合物半導體單晶的制備5443化合物半導體外延生長技術(shù)55431氣相外延生長55432液相外延生長57433其他外延生長技術(shù)6144化合物半導體的應(yīng)用65441發(fā)光二極管的顯示和照明方面的應(yīng)用65442集成電路方面的應(yīng)用68443太陽能電池方面的應(yīng)用70習題472第5章PN結(jié)7351PN結(jié)及能帶圖73511PN結(jié)的制造及雜質(zhì)分布73512平衡PN結(jié)7452PN結(jié)的直流特性76521PN結(jié)的正向特性76522PN結(jié)的反向特性76523PN結(jié)的伏安特性7653PN結(jié)電容77531勢壘電容77532擴散電容7754PN結(jié)擊穿77541雪崩擊穿78542隧道擊穿7855PN結(jié)的開關(guān)特性與反向恢復時間78551PN結(jié)的開關(guān)特性78552PN結(jié)的反向恢復時間78習題579第6章雙極型晶體管8061晶體管概述80611晶體管基本結(jié)構(gòu)80612晶體管的制造工藝及雜質(zhì)分布8162晶體管電流放大原理82621晶體管載流子濃度分布及傳輸82622晶體管直流電流放大系數(shù)84623晶體管的特性曲線8563晶體管的反向電流與擊穿電壓87631晶體管的反向電流87632晶體管的擊穿電壓8864晶體管的頻率特性與功率特性88641晶體管的頻率特性88642晶體管的功率特性8965晶體管的開關(guān)特性90習題691第7章MOS場效應(yīng)晶體管9271MOS場效應(yīng)晶體管概述92711MOS場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)92712MOS場效應(yīng)晶體管工作原理94713MOS場效應(yīng)晶體管的分類9572MOS場效應(yīng)晶體管特性98721MOS場效應(yīng)晶體管輸出特性98722MOS場效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)移特性100723MOS場效應(yīng)晶體管閾值電壓102724MOS場效應(yīng)晶體管電容電壓特性109725MOS場效應(yīng)晶體管頻率特性111726MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)特性114習題7117第8章其他常用半導體器件11881結(jié)型場效應(yīng)晶體管118811結(jié)型場效應(yīng)晶體管基本結(jié)構(gòu)及工作原理119812結(jié)型場效應(yīng)晶體管特性12282MOS功率場效應(yīng)晶體管126821MOS功率場效應(yīng)晶體管基本結(jié)構(gòu)127822MOS功率場效應(yīng)晶體管特性12883光電二極管132831PN結(jié)光伏特性132832光電二極管結(jié)構(gòu)及工作原理13484發(fā)光二極管137841發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及工作原理138842發(fā)光二極管的制備140習題8143第9章半導體工藝化學基礎(chǔ)14491化學清洗144911硅片表面污染雜質(zhì)類型144912清洗步驟145913有機雜質(zhì)清洗145914無機雜質(zhì)的清洗145915清洗工藝安全操作15092硅表面拋光化學原理151921鉻離子化學機械拋光151922銅離子化學機械拋光151923二氧化硅膠體化學機械拋光15293純水制備152931純水在半導體生產(chǎn)中的應(yīng)用152932離子交換制備純水153933水純度的測量15594制備鈍化膜155941二氧化硅鈍化膜的制備155942其他類型鈍化膜15695擴散工藝化學原理159951擴散工藝概述159952硼擴散的化學原理159953磷擴散的化學原理160954銻擴散的化學原理161955砷擴散的化學原理16196光刻工藝的化學原理162961光刻工藝概述162962光刻工藝中的化學應(yīng)用16397化學腐蝕166971化學腐蝕的原理166972影響化學腐蝕的因素168習題9169第10章半導體集成電路設(shè)計原理170101CMOS集成電路中的無源元件1701011互連線1701012電阻器1721013電容器175102CMOS反相器1771021CMOS反相器的結(jié)構(gòu)1781022CMOS反相器的特性179103基本單元電路1811031CMOS邏輯門電路1811032MOS傳輸門邏輯電路1841033動態(tài)CMOS邏輯電路1861034鎖存器和觸發(fā)器1871035簡單數(shù)字集成系統(tǒng)設(shè)計介紹187習題10188第11章半導體集成電路設(shè)計方法與制造工藝189111半導體集成電路設(shè)計方法1891111半導體集成電路設(shè)計發(fā)展的各個階段1891112當前集成電路設(shè)計的原則191112CMOS集成電路制造工藝簡介1921121雙阱CMOS工藝的主要流程1921122隔離技術(shù)198113CMOS版圖設(shè)計2011131版圖設(shè)計方法2011132版圖設(shè)計技巧2011133版圖設(shè)計舉例202習題11203參考文獻204
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