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半導體物理學 版權信息
- ISBN：9787030763402
- 條形碼：9787030763402 ; 978-7-03-076340-2
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
半導體物理學 內容簡介
本書內容全面，包含半導體領域的近期新進展。分析深入，能反映半導體物理學各個方面的內容。既是半導體物理的入門書，也是深入了解半導體物理的基礎。本書主要包括半導體結構與電子態，載流子分布規律，載流子擴散及在外場中的運動規律，載流子的產生、復合機制等基本內容，也包括半導體pn結、金屬-半導體接觸、金屬-絕緣層-半導體結構等用于半導體器件的半導體基本結構。本書還包括半導體異質結與低維結構、半導體光學性質等內容。
半導體物理學 目錄
第1章 半導體的晶體結構與電子狀態
1.1 半導體的晶體結構與布里淵區
1.1.1 半導體晶體結構
1.1.2 倒格子和布里淵區
1.2 半導體中的電子態
1.2.1 半導體能帶的形成
1.2.2 能帶中電子的速度、加速度和有效質量
1.2.3 導體、半導體和絕緣體的能帶
1.2.4 半導體中的空穴
1.3 半導體能帶的基本特征
1.3.1 半導體能帶
1.3.2 導帶結構
1.3.3 立方結構半導體的價帶結構
1.3.4 回旋共振
1.4 Si和Ge的能帶結構
1.4.1 Si 和Ge單晶的能帶結構
1.4.2 Si1-xGex合金的結構與能帶結構
1.5 Ⅲ-V族化合物半導體的能帶結構
1.5.1 Ⅲ-V族化合物半導體概況
1.5.2 GaAs的能帶結構
1.5.3 GaP和InP的能帶結構
1.5.4 氮化物半導體的能帶結構
1.6 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結構
1.7 多元半導體的能帶結構
1.8 SiC的晶體結構與能帶
1.9 Ga2O3的結構與能帶
習題
第2章 半導體的缺陷與摻雜
2.1 缺陷的分類
2.1.1 缺陷類型
2.1.2 半導體中的缺陷與摻雜
2.1.3 雜質的補償效應
2.2 Si、Ge半導體的摻雜
2.2.1 淺能級雜質電離能的計算
2.2.2 Si、Ge半導體中的主要缺陷能級
2.3 Ⅲ-V族化合物半導體中的雜質能級
2.3.1 一般Ⅲ-V族半導體的摻雜
2.3.2 GaN中的缺陷與摻雜
2.4 其他寬禁帶半導體中的雜質與缺陷能級
2.4.1 SiC中的雜質能級
2.4.2 Ga2O3中的雜質能級及其他缺陷態
習題
第3章 熱平衡時的電子和空穴分布
3.1 狀態密度與載流子分布函數
3.1.1 狀態密度
3.1.2 導帶、價帶載流子的分布規律
3.1.3 非簡并條件下導帶電子濃度和價帶空穴濃度
3.1.4 載流子濃度積n0p0
3.2 本征載流子濃度
3.3 含單一雜質的半導體載流子濃度
3.3.1 雜質能級的占有概率
3.3.2 單雜質摻雜半導體的載流子濃度
3.4 補償半導體中的載流子統計
3.4.1 補償半導體中載流子的處理方法
3.4.2 n型補償半導體的載流子濃度計算方法
3.4.3 p型補償半導體的載流子濃度和費米能級
3.4.4 補償性高阻：半絕緣半導體
3.5 簡并半導體
3.5.1 簡并半導體中載流子濃度的計算
3.5.2 禁帶變窄效應
習題
第4章 半導體中的載流子輸運
4.1 半導體的電導率與遷移率
4.1.1 半導體中載流子運動的基本特征
4.1.2 電場中載流子的運動電導率和遷移率
4.1.3 電子散射的運動氣體模型
4.1.4 半導體的主要散射機制
半導體中的電流
4.2.1 外電場中的漂移電流
4.2.2 擴散電流和總電流
4.3 半導體中載流子遷移率的變化規律
……
第5章 非平衡載流子的產生、復合及運動
第6章 pn結
第7章 金屬-半導體接觸
第8章 金屬-絕緣層-半導體結構
第9章 半導體異質結與低維結構
第10章 半導體光學性質
第11章 半導體的其他性質
參考文獻
附錄
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