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銦鎵砷光電探測器及其焦平面陣列 版權(quán)信息
- ISBN：9787030720948
- 條形碼：9787030720948 ; 978-7-03-072094-8
- 裝幀：平裝膠訂
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
銦鎵砷光電探測器及其焦平面陣列 內(nèi)容簡介
本書介紹了航天遙感及其他相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)怆娞綔y器和焦平面器件需求，回顧了InGaAs材料和光電探測器發(fā)展沿革，在此基礎(chǔ)上討論了空間遙感對短波紅外InGaAs光電探測器及焦平面器件的特殊要求及光伏型器件的基本特性，并對外延材料生長、芯片和焦平面制作工藝、組件封裝和組裝技術(shù)以及材料、器件和組件的測試表征相關(guān)技術(shù)等各方面進(jìn)行了詳細(xì)完整的介紹和討論，并結(jié)合多年的發(fā)展和技術(shù)積累對相關(guān)實例進(jìn)行了詳細(xì)說明。此外，本書也對近年來InGaAs光電器件的一些新發(fā)展做了介紹。
銦鎵砷光電探測器及其焦平面陣列 目錄
第1章 空間遙感與光電探測
1.1 引言
1.2 空間遙感及其應(yīng)用
1.2.1 電磁波譜及其波段劃分
1.2.2 大氣層及其透射窗口
1.2.3 空間遙感技術(shù)及其應(yīng)用
1.3 光電探測及其空間應(yīng)用
1.3.1 光電探測基本原理
1.3.2 典型光電探測儀器
1.3.3 光電探測器
1.3.4 紅外探測器的空間應(yīng)用
1.4 空間遙感對光電探測器的需求
1.4.1 空間遙感應(yīng)用的基本要求
1.4.2 紅外探測器（焦平面）的主要參數(shù)
1.4.3 系統(tǒng)對紅外探測器（焦平面）的要求
1.5 銦鎵砷光電探測器及其空間應(yīng)用
1.5.1 銦鎵砷光電探測器
1.5.2 銦鎵砷探測器的空間應(yīng)用
1.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章 近紅外/短波紅外特點及銦鎵砷器件應(yīng)用特色
2.1 引言
2.2 空間應(yīng)用
2.3 光譜傳感應(yīng)用
2.4 其他應(yīng)用
2.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 銦鎵砷的前世今生
3.1 引言
3.2 InGaAs系材料的緣起鉤沉
3.3 InGaAs系材料的基本特性
3.4 InGaAs與光纖通信的淵源
3.5 InGaAs與其他材料體系的比較
3.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 光伏型光電探測器的基本特性及表征
4.1 引言
4.2 靜態(tài)特性
4.2.1 IV特性
4.2.2 光響應(yīng)特性
4.2.3 光譜特性
4.2.4 抗輻照特性
4.3 動態(tài)特性
4.3.1 CV特性
4.3.2 瞬態(tài)特性
4.3.3 黑體響應(yīng)
4.3.4 噪聲特性
4.4 優(yōu)值系數(shù)與評估規(guī)則
4.4.1 優(yōu)值系數(shù)D
4.4.2 優(yōu)值系數(shù)R0A
4.4.3 評估規(guī)則Rule
4.4.4 評估規(guī)則IGARule
4.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 銦鎵砷光電探測材料外延生長技術(shù)
5.1 引言
5.2 主要外延生長技術(shù)
5.2.1 液相外延（LPE）
5.2.2 氣相外延（VPE）
5.2.3 分子束外延（MBE）
5.3 氣態(tài)源分子束外延（GSMBE）
5.3.1 Ⅲ族源
5.3.2 Ⅴ族源
5.3.3 生長設(shè)備
5.4 InGaAs光電探測器材料的GSMBE生長
5.4.1 晶格匹配材料
5.4.2 波長擴(kuò)展材料
5.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 材料特性表征方法與技術(shù)
6.1 引言
6.2 結(jié)構(gòu)特性
6.2.1 晶體結(jié)構(gòu)、晶格參數(shù)、失配度及組分
6.2.2 表面形貌顯微分析
6.2.3 微觀狀態(tài)、缺陷及成分分析
6.3 光學(xué)與光電特性
6.3.1 吸收與反射特性
6.3.2 發(fā)光特性
6.3.3 材料均勻性表征及其與FPA性能的關(guān)聯(lián)
6.4 電學(xué)與輸運特性
6.4.1 載流子濃度、遷移率
6.4.2 載流子壽命、擴(kuò)散系數(shù)和擴(kuò)散長度
6.4.3 缺陷能級與密度
6.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章 InGaAs光電探測器及焦平面工藝技術(shù)
7.1 引言
7.2 器件結(jié)構(gòu)設(shè)計與模擬
7.3 器件制造標(biāo)準(zhǔn)工藝
7.4 成結(jié)工藝
7.4.1 刻蝕成結(jié)技術(shù)
7.4.2 擴(kuò)散成結(jié)技術(shù)
7.5 表面鈍化
7.6 歐姆接觸
7.7 光敏芯片陣列與讀出電路的混成工藝
7.8 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第8章 光電探測器及焦平面的封裝與可靠性技術(shù)
8.1 引言
8.2 光電探測器組件及其封裝技術(shù)
8.2.1 組件封裝定義、功能與類型
8.2.2 典型微電子封裝技術(shù)
8.2.3 探測器制冷與低溫封裝技術(shù)
8.2.4 銦鎵砷探測器的封裝技術(shù)
8.3 組件封裝設(shè)計技術(shù)
8.3.1 組件封裝總體設(shè)計技術(shù)
8.3.2 封裝結(jié)構(gòu)與模擬
8.3.3 光學(xué)參數(shù)與雜散光抑制
8.3.4 電子學(xué)功能與噪聲控制
8.3.5 溫度與熱力學(xué)設(shè)計
8.3.6 光電性能與封裝關(guān)聯(lián)性
8.3.7 組件可靠性與長壽命設(shè)計
8.4 封裝技術(shù)關(guān)鍵材料與元件研究
8.4.1 封裝結(jié)構(gòu)材料
8.4.2 封裝密封與焊接材料
8.4.3 電極及引線材料
8.4.4 組件關(guān)鍵元件
8.5 封裝技術(shù)關(guān)鍵工藝研究
8.5.1 模塊化拼接與平面度控制
8.5.2 密封焊接工藝
8.5.3 電極引線技術(shù)
8.5.4 其他封裝工藝技術(shù)
8.6 組件封裝的測試與可靠性試驗
8.6.1 組件漏熱測試
8.6.2 組件漏率測試
8.6.3 組件可靠性試驗
8.6.4 組件壽命試驗
8.7 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第9章 短波紅外InGaAs焦平面讀出電路
9.1 引言
9.2 紅外焦平面讀出電路
9.2.1 CMOS與CCD兩種讀出方式的比較
9.2.2 CMOS讀出電路設(shè)計與工藝
9.3 紅外焦平面CMOS讀出電路設(shè)計基礎(chǔ)
9.3.1 讀出電路的基本結(jié)構(gòu)
9.3.2 讀出電路的輸入級結(jié)構(gòu)
9.3.3 采樣電路
9.3.4 輸出級電路
9.3.5 移位寄存器
9.4 短波紅外InGaAs焦平面讀出電路設(shè)計
9.4.1 總體設(shè)計
9.4.2 讀出電路輸入級設(shè)計
9.4.3 相關(guān)雙采樣電路設(shè)計
9.4.4 讀出電路輸出級設(shè)計
9.4.5 讀出電路版圖設(shè)計
9.5 紅外焦平面讀出電路的發(fā)展
9.5.1 讀出電路的研究發(fā)展
9.5.2 數(shù)字化讀出電路研究進(jìn)展
9.5.3 雪崩焦平面用讀出電路研究進(jìn)展
9.5.4 讀
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