中圖網(wǎng)小程序
一鍵登錄
更方便
本類五星書更多>
-
>
闖進數(shù)學世界――探秘歷史名題
-
>
中醫(yī)基礎理論
-
>
當代中國政府與政治(新編21世紀公共管理系列教材)
-
>
高校軍事課教程
-
>
思想道德與法治(2021年版)
-
>
毛澤東思想和中國特色社會主義理論體系概論(2021年版)
-
>
中醫(yī)內(nèi)科學·全國中醫(yī)藥行業(yè)高等教育“十四五”規(guī)劃教材
存儲器工藝與器件技術(shù) 版權(quán)信息
- ISBN：9787302623182
- 條形碼：9787302623182 ; 978-7-302-62318-2
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
存儲器工藝與器件技術(shù) 本書特色
本書涵蓋3D存儲器架構(gòu)、器件、工藝、仿真、陣列操作、可靠性測試及電路設計，是全面專業(yè)的存儲器技術(shù)書籍。編著者為研究所雙跨到企業(yè)的研究員，研發(fā)團隊完成了多項3D存儲器前沿探索和工程研發(fā)任務，并與長江存儲科技有限責任公司深度合作，教材結(jié)合研究所的基礎學術(shù)研究和工業(yè)界的一線研發(fā)經(jīng)驗編寫，融合學術(shù)界視角和工業(yè)界視角，為讀者開拓思維和眼界。
存儲器工藝與器件技術(shù) 內(nèi)容簡介
存儲器是半導體產(chǎn)業(yè)的基石之一。隨著全球物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、穿戴設備等應用帶動的數(shù)據(jù)存儲市場的快速增長，NAND存儲器日益成為當前存儲器市場的主流。本教材重點介紹半導體存儲器分類、閃存技術(shù)、3D NAND Flash陣列、制造工藝、操作、電學特性與可靠性以及電路設計。本教材可供高等院校的高年級本科生和研究生，集成電路和存儲器方向研發(fā)工程師、制造工程師參考，為中國存儲器事業(yè)添磚加瓦，推動科學創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)化。
存儲器工藝與器件技術(shù) 目錄
第1章半導體存儲器概述 1.1半導體存儲器的市場狀況 1.1.1市場需求 1.1.2全球存儲芯片供給情況 1.1.3中國存儲器市場情況 1.2半導體存儲器器件簡介 1.2.1半導體存儲器分類 1.2.2存儲器的存儲單元 1.2.3NAND Flash產(chǎn)品簡介 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第2章Flash存儲器技術(shù)簡介 2.1Flash的歷史 2.22D NAND Flash技術(shù)發(fā)展 2.2.12D NAND Flash架構(gòu)及操作 2.2.22D NAND Flash技術(shù)發(fā)展及尺寸縮小 2.2.32D NAND Flash面臨的技術(shù)挑戰(zhàn) 2.33D NAND Flash技術(shù)發(fā)展 2.3.13D NAND Flash的技術(shù)優(yōu)勢及器件原理 2.3.23D NAND CTF的結(jié)構(gòu)發(fā)展 2.3.33D浮柵型NAND Flash的結(jié)構(gòu)發(fā)展 2.4NAND Flash未來發(fā)展趨勢 2.4.13D NAND Flash未來發(fā)展方向 2.4.2非馮·諾依曼架構(gòu)簡介 2.5NOR Flash技術(shù) 2.5.1NOR Flash基本操作 2.5.2NOR Flash存儲陣列結(jié)構(gòu) 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第3章3D NAND Flash存儲器工藝集成技術(shù) 3.1半導體基本單步工藝 3.1.1光刻工藝 3.1.2刻蝕工藝 3.1.3外延生長工藝 3.1.4離子注入/快速熱處理 3.1.5爐管工藝 3.1.6其他薄膜工藝 3.1.7濕法工藝 3.1.8化學機械平坦化 3.23D存儲器工藝集成 3.2.1外圍電路模塊 3.2.2NO疊層模塊 3.2.3臺階模塊 3.2.4溝道孔模塊 3.2.5柵隔離槽模塊 3.2.6接觸孔模塊 3.2.7后段模塊 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第4章3D NAND Flash存儲器器件單元特性 4.1NAND Flash操作物理機制 4.1.1NAND Flash存儲單元基本結(jié)構(gòu) 4.1.2NAND Flash存儲單元操作機制 4.1.3NAND Flash存儲單元讀取操作 4.1.4NAND Flash存儲單元編程操作 4.1.5NAND Flash存儲單元擦除操作 4.23D NAND多晶硅溝道技術(shù) 4.2.1多晶硅溝道模型與晶界陷阱 4.2.2多晶硅溝道漏電控制 4.3溫度對3D NAND Flash單元器件特性的影響 4.3.13D NAND Flash單元器件閾值電壓溫度特性分析 4.3.23D NAND Flash單元器件閾值電壓溫度特性優(yōu)化 4.43D NAND Flash器件挑戰(zhàn)與發(fā)展 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第5章3D NAND Flash存儲器模型模擬技術(shù) 5.1仿真工具簡介 5.1.1Sentaurus TCAD 5.1.2Sentaurus WorkBench 5.1.3Sentaurus Process 5.1.4Sentaurus Structure Editor 5.1.5Sentaurus Device 5.2納米尺度器件模擬 5.2.1納米尺度MOS器件輸運特性簡介 5.2.2半導體仿真模擬概述 5.2.3半導體器件模型介紹 5.32D NAND Flash器件模擬 5.3.12D NAND Flash器件模型 5.3.22D NAND Flash器件操作及可靠性模擬 5.43D NAND Flash器件模擬 5.4.13D NAND Flash器件模擬介紹 5.4.23D NAND Flash器件溝道模擬 5.4.33D NAND Flash器件操作及可靠性模擬 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第6章3D NAND Flash存儲器陣列操作技術(shù) 6.1NAND Flash陣列簡介 6.1.1NAND Flash陣列結(jié)構(gòu) 6.1.2NAND Flash陣列操作 6.2多值存儲的NAND Flash新型陣列技術(shù) 6.2.1ISPP編程技術(shù) 6.2.2編程自抑制技術(shù) 6.2.3雙堆棧編程技術(shù) 6.2.4讀取窗口裕度 6.2.5兩步驗證技術(shù) 6.2.6多值存儲編程技術(shù) 6.2.7新型擦除技術(shù) 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第7章3D NAND Flash存儲器可靠性技術(shù) 7.1CMOS 器件可靠性簡介 7.1.1熱載流子注入效應 7.1.2負偏壓溫度不穩(wěn)定性 7.1.3柵氧化層擊穿模型 7.2NAND Flash存儲單元可靠性 7.2.1存儲單元耐久特性 7.2.2存儲單元保持特性 7.2.3NAND Flash可靠性解決方案 7.2.4NAND Flash可靠性物理機制 7.2.5存儲單元及陣列讀取干擾 7.2.6陣列編程干擾 7.2.7存儲單元編程噪聲 7.2.8陣列瞬態(tài)讀取錯誤 7.3NAND Flash陣列非理想效應 7.3.1柵致漏端漏電效應 7.3.2隨機電報噪聲 7.3.3背景模式干擾 7.3.4源端噪聲 7.3.5單元間電容耦合 7.3.6字線耦合噪聲 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第8章3D NAND Flash存儲器測試表征技術(shù) 8.1器件電學表征測試方法 8.1.1單元級測試方法 8.1.2陣列級測試方法 8.2NAND Flash器件電學表征基本參數(shù) 8.2.1單元閾值電壓 8.2.2單元編程/擦除速度 8.2.3陣列干擾特性 8.2.4存儲單元耐久特性 8.2.5存儲單元保持特性 8.2.6初始閾值電壓漂移 8.2.7隨機電報噪聲 8.2.8電荷泵技術(shù) 8.3結(jié)構(gòu)及物理表征簡介 8.3.1掃描電子顯微鏡 8.3.2透射電子顯微鏡 8.3.3電子背散射衍射 8.3.4原子力顯微鏡 8.3.5掃描擴散電阻顯微鏡 8.3.6電子束檢測技術(shù) 8.3.7納米探針技術(shù) 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第9章NAND Flash存儲器芯片設計技術(shù) 9.1NAND Flash基本架構(gòu)設計 9.1.1綜述 9.1.2NAND Flash芯片結(jié)構(gòu) 9.1.3閾值分布及多位單元 9.1.4NAND Flash基本操作 9.1.5NAND Flash基本指令集 9.2NAND Flash高性能設計 9.2.1基于性能提高的讀取技術(shù) 9.2.2基于性能提高的編程技術(shù) 9.2.3高速接口技術(shù) 9.3NAND Flash高可靠性設計 9.3.1NAND Flash失效因素 9.3.2基于可靠性改善的讀取技術(shù) 9.3.3基于可靠性改善的編程技術(shù) 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第10章NAND Flash存儲器系統(tǒng)應用技術(shù) 10.1NAND Flash存儲卡 10.1.1eMMC 10.1.2UFS 10.1.3eMCP/uMCP 10.2SSD存儲系統(tǒng) 10.2.1通用SSD系統(tǒng) 10.2.2DRAMLess SSD系統(tǒng) 10.2.3Open Channel SSD 系統(tǒng) 10.2.4Smart SSD系統(tǒng) 10.3Flash控制器技術(shù) 10.3.1SSD硬件系統(tǒng)架構(gòu) 10.3.2SSD系統(tǒng)前端控制器 10.3.3SSD系統(tǒng)后端控制器 10.4固件技術(shù) 10.4.1地址映射 10.4.2垃圾回收 10.4.3磨損均衡 10.4.4壞塊管理 10.4.5掉電恢復 10.4.6FTL可靠性算法 10.5高速接口技術(shù) 10.5.1PCIe概述 10.5.2PCIe通信方式 10.5.3PCIe封裝分層協(xié)議 10.5.4第六代PCIe協(xié)議 10.6糾錯碼技術(shù) 10.6.1ECC基本原理 10.6.2BCH糾錯碼 10.6.3LDPC糾錯碼 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第11章DRAM存儲器技術(shù) 11.1DRAM基本原理 11.1.1DRAM電路工作原理 11.1.2DRAM數(shù)據(jù)讀取 11.1.3DRAM的電荷共享及信號放大 11.2DRAM技術(shù)發(fā)展及趨勢 11.2.1DRAM選擇管發(fā)展 11.2.2DRAM電容發(fā)展 11.2.3DRAM接口技術(shù)發(fā)展 11.3DRAM器件可靠性 11.3.1可靠性及壽命定義 11.3.2DRAM可靠性問題 11.3.3DRAM失效機制 11.4DRAM工藝集成 11.4.1STI形成及注入 11.4.2選擇晶體管的形成 11.4.3位線接觸模塊 11.4.4位線和外圍晶體管的形成 11.4.5存儲節(jié)點接觸 11.4.6存儲節(jié)點刻蝕 11.4.7后段工藝 11.5DRAM感測電路設計 11.5.1基本的感測和放大電路 11.5.2分離數(shù)據(jù)線的感測電路 11.5.3感測電流分布式陣列 11.5.4直接感測 本章小結(jié) 習題 參考文獻 第12章新型存儲器技術(shù) 12.1新型存儲器簡介 12.2新型動態(tài)存儲器 12.2.1新型動態(tài)存儲器簡介 12.2.2新型動態(tài)存儲器進展 12.2.3新型動態(tài)存儲器的挑戰(zhàn)與前景 12.3相變存儲器 12.3.1相變存儲器簡介 12.3.2相變存儲器3D技術(shù)的進展 12.3.3相變存儲器的挑戰(zhàn)和前景 12.4阻變存儲器 12.4.1阻變存儲器簡介 12.4.2阻變存儲器技術(shù)進展 12.4.3阻變存儲器的挑戰(zhàn)和前景 12.5鐵電存儲器 12.5.1鐵電存儲器簡介 12.5.2鐵電存儲器技術(shù)進展 12.5.3鐵電存儲器的挑戰(zhàn)和前景 12.6磁存儲器 12.6.1磁存儲器簡介 12.6.2磁存儲器技術(shù)進展 12.6.3磁存儲器的挑戰(zhàn)和前景 本章小結(jié) 習題 參考文獻
展開全部
存儲器工藝與器件技術(shù) 作者簡介
霍宗亮,中國科學院微電子研究所研究員，博士生導師，中國科學院人才引進計劃學者，中國科學院微電子研究所存儲器中心主任，中國科學院大學微電子學院存儲器教研室主任。于2016-2017學年開設“存儲器工藝與器件”課程，承擔或參與了包括02重大專項、重點研發(fā)、自然科學基金、中科院STS等多個國家級和院級科研項目，在長期的閃存技術(shù)研究工作中，在閃存器件存儲材料篩選和工藝、器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化設計、存儲機理、器件可靠性、集成工藝技術(shù)和芯片設計技術(shù)等方面形成了特色。近五年發(fā)表了50余篇高質(zhì)量論文，申請了70于項專利，科研成果受到了學術(shù)界和業(yè)界的關(guān)注和肯定，部分成果已經(jīng)應用于存儲產(chǎn)品當中。同時獲得了中國科學院微電子研究所科研成果一等獎、集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟技術(shù)創(chuàng)新獎等諸多獎項。完成了多項三維存儲器前沿探索和工程研發(fā)任務，與長江存儲公司深度合作，在成功研發(fā)出我國第一代32層3D NAND存儲芯片的基礎上，連續(xù)突破并掌握第二代64層、第三代128層3D NAND存儲器的核心技術(shù)，已成功實現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)，達到世界前沿技術(shù)水平。
書友推薦
- >
唐代進士錄
- >
莉莉和章魚
- >
隨園食單
- >
人文閱讀與收藏·良友文學叢書:一天的工作
- >
伯納黛特,你要去哪(2021新版)
- >
二體千字文
- >
名家?guī)阕x魯迅:故事新編
- >
企鵝口袋書系列·偉大的思想20:論自然選擇(英漢雙語)
本類暢銷
