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包郵 氮化物半導(dǎo)體技術(shù)——功率電子和光電子器件
作者：法布里齊奧·羅卡福特
開(kāi)本：
32開(kāi)
頁(yè)數(shù)：
832
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氮化物半導(dǎo)體技術(shù)——功率電子和光電子器件 版權(quán)信息
- ISBN：9787111728733
- 條形碼：9787111728733 ; 978-7-111-72873-3
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類(lèi)：>
氮化物半導(dǎo)體技術(shù)——功率電子和光電子器件 本書(shū)特色
本書(shū)對(duì)從事第三代寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)研究的學(xué)者、研究人員和高校學(xué)生提供有益的幫助，并提供新的思路和探索科學(xué)問(wèn)題的方法，共同推動(dòng)第三代寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。
氮化物半導(dǎo)體技術(shù)——功率電子和光電子器件 內(nèi)容簡(jiǎn)介
近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目。這些第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì)，研究和利用這些半導(dǎo)體是助力社會(huì)節(jié)能減排并實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的重要發(fā)展方向。
本書(shū)概述了氮化物半導(dǎo)體及其在功率電子和光電子器件中的應(yīng)用，解釋了這些材料的物理特性及其生長(zhǎng)方法，詳細(xì)討論了它們?cè)诟唠娮舆w移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應(yīng)用。本書(shū)進(jìn)一步研究了這些材料的可靠性問(wèn)題，并提出了將它們與2D材料結(jié)合用于新型高頻和高功率器件的前景。
本書(shū)具有較好的指導(dǎo)性和借鑒性，可作為功率電子和光電子器件領(lǐng)域研究人員和工程人員的參考用書(shū)。
氮化物半導(dǎo)體技術(shù)——功率電子和光電子器件 目錄
目錄
序
原書(shū)前言
原書(shū)致謝
第1章氮化鎵材料的性能及應(yīng)用
11歷史背景
12氮化物的基本性質(zhì)
121微觀結(jié)構(gòu)及相關(guān)問(wèn)題
122光學(xué)性質(zhì)
123電學(xué)性質(zhì)
124AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣（2DEG）
13GaN基材料的應(yīng)用
131光電子器件
132功率電子器件和高頻電子器件
14總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第2章GaN基材料：襯底、金屬有機(jī)物氣相外延和量子阱
21引言
22塊體GaN生長(zhǎng)
221氫化物氣相外延（HVPE）
222鈉助溶劑生長(zhǎng)法
223氨熱生長(zhǎng)
23金屬有機(jī)物氣相外延生長(zhǎng)
231氮化物MOVPE基礎(chǔ)知識(shí)
232異質(zhì)襯底上外延
233通過(guò)ELOG、FACELO等方法減少缺陷
234原位ELOG沉積SiN
235氮化物摻雜
236其他二元和三元氮化物生長(zhǎng)
24InGaN量子阱的生長(zhǎng)及分解
241InGaN量子阱在極化、非極化以及半極化GaN襯底
上的生長(zhǎng)
242銦含量分布波動(dòng)的原因
243InGaN量子阱的均質(zhì)化
244量子阱的分解
25總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第3章毫米波用GaN基HEMT
31引言
32GaN毫米波器件的主要應(yīng)用
321高功率應(yīng)用
322寬帶放大器
3235G
33用于毫米波的GaN材料應(yīng)用設(shè)計(jì)
331與其他射頻器件的材料性能對(duì)比
332射頻器件中的特殊材料
34毫米波GaN器件的設(shè)計(jì)與制造
341各種GaN器件關(guān)鍵工藝步驟
342先進(jìn)的毫米波GaN晶體管
35MMIC功率放大器概述
351基于ⅢN器件的MMIC技術(shù)
352從Ka波段到D波段頻率的MMIC示例
36總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章常關(guān)型GaN HEMT技術(shù)
41引言
411AlGaN/GaN HEMT閾值電壓
42GaN HEMT“共源共柵”結(jié)構(gòu)
43“真正的”常關(guān)型HEMT技術(shù)
431凹柵HEMT
432氟技術(shù)HEMT
433凹柵混合MIS HEMT
434p型GaN柵HEMT
44其他方法
45總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第5章垂直型GaN功率器件
51引言
52用于功率轉(zhuǎn)換的垂直型GaN器件
53垂直型GaN晶體管
531電流孔徑垂直電子晶體管（CAVET）
532垂直型GaN MOSFET
54GaN高壓二極管
55GaN pn二極管雪崩電致發(fā)光
56GaN的碰撞電離系數(shù)
57總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第6章GaN電子器件可靠性
61引言
611GaN HEMT的可靠性測(cè)試和失效分析
62射頻應(yīng)用中GaN HEMT的可靠性
621AlGaN/GaN HEMT
622InAlN/GaN HEMT
623射頻GaN HEMT中的熱問(wèn)題
63GaN功率開(kāi)關(guān)器件的可靠性和魯棒性
631摻碳GaN緩沖層中的寄生效應(yīng)
632p型GaN開(kāi)關(guān)HEMT中的柵極退化
633GaN MIS HEMT中閾值電壓不穩(wěn)定性
64總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第7章發(fā)光二極管
71引言
72*先進(jìn)的GaN發(fā)光二極管
721藍(lán)光二極管
722綠光二極管
73GaN白光LED：制備方法和特性
731單片發(fā)光二極管
732磷光體覆蓋的發(fā)光二極管
74AlGaN深紫外LED
741生長(zhǎng)高質(zhì)量AlN和提高內(nèi)量子效率（IQE）
742基于AlGaN的UVC LED
743提高光提取效率（LEE）
75總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第8章分子束外延生長(zhǎng)激光二極管
81引言
82等離子體輔助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生長(zhǎng)
原理
821N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用
83寬InGaN量子阱——超越量子約束的斯塔克效應(yīng)
84AmmonoGaN襯底制備的長(zhǎng)壽命激光二極管
85隧道結(jié)激光二極管
851垂直互連的激光二極管堆
852分布式反饋激光二極管
86總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第9章邊緣發(fā)射激光二極管和超輻射發(fā)光二極管
91激光二極管的歷史與發(fā)展
911光電子學(xué)背景
912GaN技術(shù)突破
913氮化物激光二極管的發(fā)展
92分布式反饋激光二極管
93超輻射發(fā)光二極管
931超輻射發(fā)光二極管的發(fā)展歷史
932基本SLD特性
933SLD優(yōu)化面臨的挑戰(zhàn)
94半導(dǎo)體光放大器
95總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第10章綠光和藍(lán)光垂直腔面發(fā)射激光器
101引言
1011GaN VCSEL的特性和應(yīng)用
1012GaN VCSEL的簡(jiǎn)史和現(xiàn)狀
1013不同DBR結(jié)構(gòu)GaN VCSEL
102不同器件結(jié)構(gòu)的散熱效率
1021器件熱分布模擬
1022熱阻Rth對(duì)諧振腔長(zhǎng)度的依賴(lài)性
103基于InGaN量子點(diǎn)的綠光VCSEL
1031量子點(diǎn)相對(duì)于量子阱的優(yōu)勢(shì)
1032InGaN量子點(diǎn)的生長(zhǎng)及其光學(xué)特性
1033VCSEL的制備過(guò)程
1034綠光量子點(diǎn)VCSEL特性
104基于藍(lán)光InGaN量子阱局域態(tài)和腔增強(qiáng)發(fā)光效應(yīng)的
綠光VCSEL
1041諧振腔效應(yīng)
1042諧振腔增強(qiáng)的綠光VCSEL的特性
105基于量子阱內(nèi)嵌量子點(diǎn)有源區(qū)結(jié)構(gòu)的雙波長(zhǎng)激射
1051量子阱內(nèi)嵌量子點(diǎn)（QDinQW）結(jié)構(gòu)特性
1052VCSEL激射特性
106具有不同橫向光限制的藍(lán)光VCSEL
1061折射率限制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
1062LOC結(jié)構(gòu)VCSEL的發(fā)光特性
107總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第11章新型電子和光電應(yīng)用的2D材料與氮化物集成
111引言
112用氮化物半導(dǎo)體制造2D材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)
1121轉(zhuǎn)移在其他襯底上生長(zhǎng)的2D材料
11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生長(zhǎng)
1123氮化物半導(dǎo)體薄膜的2D材料生長(zhǎng)
113基于2D材料/GaN異質(zhì)結(jié)的電子器件
113
序
原書(shū)前言
原書(shū)致謝
第1章氮化鎵材料的性能及應(yīng)用
11歷史背景
12氮化物的基本性質(zhì)
121微觀結(jié)構(gòu)及相關(guān)問(wèn)題
122光學(xué)性質(zhì)
123電學(xué)性質(zhì)
124AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣（2DEG）
13GaN基材料的應(yīng)用
131光電子器件
132功率電子器件和高頻電子器件
14總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第2章GaN基材料：襯底、金屬有機(jī)物氣相外延和量子阱
21引言
22塊體GaN生長(zhǎng)
221氫化物氣相外延（HVPE）
222鈉助溶劑生長(zhǎng)法
223氨熱生長(zhǎng)
23金屬有機(jī)物氣相外延生長(zhǎng)
231氮化物MOVPE基礎(chǔ)知識(shí)
232異質(zhì)襯底上外延
233通過(guò)ELOG、FACELO等方法減少缺陷
234原位ELOG沉積SiN
235氮化物摻雜
236其他二元和三元氮化物生長(zhǎng)
24InGaN量子阱的生長(zhǎng)及分解
241InGaN量子阱在極化、非極化以及半極化GaN襯底
上的生長(zhǎng)
242銦含量分布波動(dòng)的原因
243InGaN量子阱的均質(zhì)化
244量子阱的分解
25總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第3章毫米波用GaN基HEMT
31引言
32GaN毫米波器件的主要應(yīng)用
321高功率應(yīng)用
322寬帶放大器
3235G
33用于毫米波的GaN材料應(yīng)用設(shè)計(jì)
331與其他射頻器件的材料性能對(duì)比
332射頻器件中的特殊材料
34毫米波GaN器件的設(shè)計(jì)與制造
341各種GaN器件關(guān)鍵工藝步驟
342先進(jìn)的毫米波GaN晶體管
35MMIC功率放大器概述
351基于ⅢN器件的MMIC技術(shù)
352從Ka波段到D波段頻率的MMIC示例
36總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章常關(guān)型GaN HEMT技術(shù)
41引言
411AlGaN/GaN HEMT閾值電壓
42GaN HEMT“共源共柵”結(jié)構(gòu)
43“真正的”常關(guān)型HEMT技術(shù)
431凹柵HEMT
432氟技術(shù)HEMT
433凹柵混合MIS HEMT
434p型GaN柵HEMT
44其他方法
45總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第5章垂直型GaN功率器件
51引言
52用于功率轉(zhuǎn)換的垂直型GaN器件
53垂直型GaN晶體管
531電流孔徑垂直電子晶體管（CAVET）
532垂直型GaN MOSFET
54GaN高壓二極管
55GaN pn二極管雪崩電致發(fā)光
56GaN的碰撞電離系數(shù)
57總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第6章GaN電子器件可靠性
61引言
611GaN HEMT的可靠性測(cè)試和失效分析
62射頻應(yīng)用中GaN HEMT的可靠性
621AlGaN/GaN HEMT
622InAlN/GaN HEMT
623射頻GaN HEMT中的熱問(wèn)題
63GaN功率開(kāi)關(guān)器件的可靠性和魯棒性
631摻碳GaN緩沖層中的寄生效應(yīng)
632p型GaN開(kāi)關(guān)HEMT中的柵極退化
633GaN MIS HEMT中閾值電壓不穩(wěn)定性
64總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第7章發(fā)光二極管
71引言
72*先進(jìn)的GaN發(fā)光二極管
721藍(lán)光二極管
722綠光二極管
73GaN白光LED：制備方法和特性
731單片發(fā)光二極管
732磷光體覆蓋的發(fā)光二極管
74AlGaN深紫外LED
741生長(zhǎng)高質(zhì)量AlN和提高內(nèi)量子效率（IQE）
742基于AlGaN的UVC LED
743提高光提取效率（LEE）
75總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第8章分子束外延生長(zhǎng)激光二極管
81引言
82等離子體輔助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生長(zhǎng)
原理
821N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用
83寬InGaN量子阱——超越量子約束的斯塔克效應(yīng)
84AmmonoGaN襯底制備的長(zhǎng)壽命激光二極管
85隧道結(jié)激光二極管
851垂直互連的激光二極管堆
852分布式反饋激光二極管
86總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第9章邊緣發(fā)射激光二極管和超輻射發(fā)光二極管
91激光二極管的歷史與發(fā)展
911光電子學(xué)背景
912GaN技術(shù)突破
913氮化物激光二極管的發(fā)展
92分布式反饋激光二極管
93超輻射發(fā)光二極管
931超輻射發(fā)光二極管的發(fā)展歷史
932基本SLD特性
933SLD優(yōu)化面臨的挑戰(zhàn)
94半導(dǎo)體光放大器
95總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第10章綠光和藍(lán)光垂直腔面發(fā)射激光器
101引言
1011GaN VCSEL的特性和應(yīng)用
1012GaN VCSEL的簡(jiǎn)史和現(xiàn)狀
1013不同DBR結(jié)構(gòu)GaN VCSEL
102不同器件結(jié)構(gòu)的散熱效率
1021器件熱分布模擬
1022熱阻Rth對(duì)諧振腔長(zhǎng)度的依賴(lài)性
103基于InGaN量子點(diǎn)的綠光VCSEL
1031量子點(diǎn)相對(duì)于量子阱的優(yōu)勢(shì)
1032InGaN量子點(diǎn)的生長(zhǎng)及其光學(xué)特性
1033VCSEL的制備過(guò)程
1034綠光量子點(diǎn)VCSEL特性
104基于藍(lán)光InGaN量子阱局域態(tài)和腔增強(qiáng)發(fā)光效應(yīng)的
綠光VCSEL
1041諧振腔效應(yīng)
1042諧振腔增強(qiáng)的綠光VCSEL的特性
105基于量子阱內(nèi)嵌量子點(diǎn)有源區(qū)結(jié)構(gòu)的雙波長(zhǎng)激射
1051量子阱內(nèi)嵌量子點(diǎn)（QDinQW）結(jié)構(gòu)特性
1052VCSEL激射特性
106具有不同橫向光限制的藍(lán)光VCSEL
1061折射率限制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
1062LOC結(jié)構(gòu)VCSEL的發(fā)光特性
107總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第11章新型電子和光電應(yīng)用的2D材料與氮化物集成
111引言
112用氮化物半導(dǎo)體制造2D材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)
1121轉(zhuǎn)移在其他襯底上生長(zhǎng)的2D材料
11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生長(zhǎng)
1123氮化物半導(dǎo)體薄膜的2D材料生長(zhǎng)
113基于2D材料/GaN異質(zhì)結(jié)的電子器件
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