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功率半導體器件 版權信息
- ISBN：9787111727743
- 條形碼：9787111727743 ; 978-7-111-72774-3
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
功率半導體器件 本書特色
全面系統介紹各種功率半導體器件工作原理，內容由淺入深
功率半導體器件 內容簡介
本書內容包括4部分。第1部分介紹功率半導體器件的分類及發展歷程，主要包括功率半導體器件這個“大家族”的主要成員及各自的特點和發展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內容。第3部分介紹功率開關器件，主要分為傳統開關器件和現代開關器件，傳統開關器件以晶閘管為主，在此基礎上，介紹以GTO晶閘管為主的派生器件；現代功率開關器件以功率MOSFET和IGBT為主。第4部分為功率半導體器件應用綜述，以脈沖寬度調制（PWM）為例說明如何根據器件的額定電壓和電路的開關頻率選擇適合應用的很好器件。本書適合電子科學、電力電子及電氣傳動、半導體及集成電路等專業技術人員參考，也可作為相關專業本科生及研究生教材。本書配有教學視頻（掃描書中二維碼直接觀看）及電子課件等教學資源，需要配套資源的教師可登錄機械工業出版社教育服務網www.cmpedu.com免費注冊后下載。
功率半導體器件 目錄
前言
第1章緒論1
11電力電子器件和電力電子學1
12功率半導體器件的定義1
13功率半導體器件的種類2
14功率整流管3
141單極型功率二極管3
142雙極型功率二極管4
15功率半導體開關器件5
151晶閘管類功率半導體器件5
152雙極型功率晶體管7
153功率MOSFET7
154IGBT8
16硅功率集成電路9
17碳化硅功率開關11
18功率半導體器件的發展12
181功率半導體器件的發展歷程12
182功率半導體器件的發展趨勢12
參考文獻13
第2章單極型功率二極管14
21功率肖特基二極管14
211功率肖特基二極管的結構14
212正向導通狀態15
213反向阻斷特性18
22結勢壘控制肖特基（JBS）二極管20
221JBS二極管的結構20
222正向導通模型22
223反向漏電流模型30
23溝槽肖特基勢壘控制肖特基（TSBS）二極管43
24溝槽MOS勢壘控制肖特基（TMBS）二極管44
參考文獻46
第3章雙極型功率二極管47
31PiN二極管的結構與靜態特性47
311PiN二極管的結構47
312PiN二極管的反向耐壓特性48
313PiN二極管通態特性49
32碳化硅PiN二極管59
33PiN二極管的動態特性60
331PiN二極管的開關特性61
332PiN二極管的動態反向特性63
34PiN二極管反向恢復過程中電流的瞬變67
35現代PiN二極管的設計70
351有軸向載流子壽命分布的二極管70
352SPEED結構72
36MPS二極管73
361MPS二極管的工作原理74
362碳化硅MPS整流器91
363反向阻斷特性99
364開關特性107
參考文獻109
第4章晶閘管110
41概述110
411晶閘管基本結構和基本特性110
412基本工作原理112
42晶閘管的耐壓能力113
421PNPN結構的反向轉折電壓113
422PNPN結構的正向轉折電壓115
423晶閘管的高溫特性117
43晶閘管*佳阻斷參數的確定119
431*佳正、反向阻斷參數的確定119
432λ因子設計法121
433關于阻斷參數優化設計法的討論123
434P2區相關參數的估算124
435表面耐壓和表面造型126
44晶閘管的門極特性與門極參數的計算128
441晶閘管的觸發方式128
442門極參數131
443門極觸發電流、觸發電壓的計算132
444中心放大門極觸發電流、電壓的計算134
45晶閘管的通態特性137
451通態特征分析137
452計算晶閘管正向壓降的模型138
453正向壓降的計算140
46晶閘管的動態特性144
461晶閘管的導通過程與特性144
462通態電流臨界上升率152
463斷態電壓臨界上升率155
464關斷特性157
47晶閘管的派生器件162
471快速晶閘管163
472雙向晶閘管164
473逆導晶閘管169
474門極關斷（GTO）晶閘管174
475門極換流晶閘管193
參考文獻194
第5章現代功率半導體器件195
51功率MOSFET195
511功率MOSFET的結構195
512功率MOSFET的基本特性197
513VDMOSFET的導通電阻198
514VDMOSFET元胞的優化203
515VDMOSFET阻斷電壓影響因素分析204
516功率MOSFET的開關特性205
52絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）210
521IGBT的基本結構210
522IGBT的工作原理與輸出特性212
523IGBT的阻斷特性213
524IGBT的通態特性215
525IGBT的開關特性220
526擎住效應226
參考文獻228
第6章功率半導體器件應用綜述229
61典型H橋拓撲230
62低直流總線電壓下的應用232
63中等直流總線電壓下的應用234
64高直流總線電壓下的應用235
參考文獻237
第1章緒論1
11電力電子器件和電力電子學1
12功率半導體器件的定義1
13功率半導體器件的種類2
14功率整流管3
141單極型功率二極管3
142雙極型功率二極管4
15功率半導體開關器件5
151晶閘管類功率半導體器件5
152雙極型功率晶體管7
153功率MOSFET7
154IGBT8
16硅功率集成電路9
17碳化硅功率開關11
18功率半導體器件的發展12
181功率半導體器件的發展歷程12
182功率半導體器件的發展趨勢12
參考文獻13
第2章單極型功率二極管14
21功率肖特基二極管14
211功率肖特基二極管的結構14
212正向導通狀態15
213反向阻斷特性18
22結勢壘控制肖特基（JBS）二極管20
221JBS二極管的結構20
222正向導通模型22
223反向漏電流模型30
23溝槽肖特基勢壘控制肖特基（TSBS）二極管43
24溝槽MOS勢壘控制肖特基（TMBS）二極管44
參考文獻46
第3章雙極型功率二極管47
31PiN二極管的結構與靜態特性47
311PiN二極管的結構47
312PiN二極管的反向耐壓特性48
313PiN二極管通態特性49
32碳化硅PiN二極管59
33PiN二極管的動態特性60
331PiN二極管的開關特性61
332PiN二極管的動態反向特性63
34PiN二極管反向恢復過程中電流的瞬變67
35現代PiN二極管的設計70
351有軸向載流子壽命分布的二極管70
352SPEED結構72
36MPS二極管73
361MPS二極管的工作原理74
362碳化硅MPS整流器91
363反向阻斷特性99
364開關特性107
參考文獻109
第4章晶閘管110
41概述110
411晶閘管基本結構和基本特性110
412基本工作原理112
42晶閘管的耐壓能力113
421PNPN結構的反向轉折電壓113
422PNPN結構的正向轉折電壓115
423晶閘管的高溫特性117
43晶閘管*佳阻斷參數的確定119
431*佳正、反向阻斷參數的確定119
432λ因子設計法121
433關于阻斷參數優化設計法的討論123
434P2區相關參數的估算124
435表面耐壓和表面造型126
44晶閘管的門極特性與門極參數的計算128
441晶閘管的觸發方式128
442門極參數131
443門極觸發電流、觸發電壓的計算132
444中心放大門極觸發電流、電壓的計算134
45晶閘管的通態特性137
451通態特征分析137
452計算晶閘管正向壓降的模型138
453正向壓降的計算140
46晶閘管的動態特性144
461晶閘管的導通過程與特性144
462通態電流臨界上升率152
463斷態電壓臨界上升率155
464關斷特性157
47晶閘管的派生器件162
471快速晶閘管163
472雙向晶閘管164
473逆導晶閘管169
474門極關斷（GTO）晶閘管174
475門極換流晶閘管193
參考文獻194
第5章現代功率半導體器件195
51功率MOSFET195
511功率MOSFET的結構195
512功率MOSFET的基本特性197
513VDMOSFET的導通電阻198
514VDMOSFET元胞的優化203
515VDMOSFET阻斷電壓影響因素分析204
516功率MOSFET的開關特性205
52絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）210
521IGBT的基本結構210
522IGBT的工作原理與輸出特性212
523IGBT的阻斷特性213
524IGBT的通態特性215
525IGBT的開關特性220
526擎住效應226
參考文獻228
第6章功率半導體器件應用綜述229
61典型H橋拓撲230
62低直流總線電壓下的應用232
63中等直流總線電壓下的應用234
64高直流總線電壓下的應用235
參考文獻237
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