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植根厚土 篤行致遠——鄭厚植院士文集 版權信息
- ISBN：9787030717481
- 條形碼：9787030717481 ; 978-7-03-071748-1
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
植根厚土 篤行致遠——鄭厚植院士文集 內容簡介
本書梳理和總結中國科學院院士、物理學家鄭厚植先生近60年從事物理學領域科研活動的歷程。主要包括鄭厚植院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研評述、學術咨詢、自傳等內容。鄭厚植院士是我國著名的物理學家，在理論及應用方面對半導體低維量子結構中的新效應進行了系統(tǒng)的研究，并取得多項重要成果，對推動我國半導體物理科學領域的學術繁榮、學科發(fā)展、技術創(chuàng)新、產業(yè)振興以及人才培養(yǎng)做出了重要貢獻。
植根厚土 篤行致遠——鄭厚植院士文集 目錄
目錄序部分 自述自述 3第二部分 論著選編Magnetoconductance studies on InP surfaces 13Electron subbands on InP 19Electron subbands on InP 23Observation of size effect in the quantum Hall regime 41Distribution of the quantized Hall potential in GaAs AlxGa1-xAs heterostructures 49Size effect in the quantum Hall regime 56Gate controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures 61Influences of particle hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two dimensional hole systems 70Influences of a parallel magnetic field on localization of disordered twodimensional electrons in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures 86Nonresonant magnetotunneling in asymmetric GaAs/AlAs doublebarrier structures 93Γ-X-Γ magneto tunneling oscillations in GaAs/AlAs double barrier structures 100Tunneling escape time of electrons from a quantum well with Γ-X mixing effect 107Density of states of the twodimensional electron gas studied by magnetocapacitances of biased double barrier structures 114Studies on tunneling escape time of electrons from a quantum well in multilayered heterostructures 129Direct observation for the reduction of exciton binding energy induced by perpendicular electric field 136Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells 143The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 150Suppression of sequential tunneling current by a perpendicular magnetic field in a three barrier， two well heterostructure 157Electron transport through a double quantum dot structure with intradot and interdot Coulomb interactions 163Magnetoexciton polaritons in planar semiconductor microcavities 172Electrical manifestation of the quantum confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well 180Capacitance voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells 188ivInfluence of transverse interdot coupling on transport properties of an Aharonov Bohm structure composed by two dots and two reservoirs 195Ultrafast geometric manipulation of electron spin and detection of the geometric phase via Faraday rotation spectroscopy 206Evaluation of holonomic quantum computation:adiabatic versus nonadiabatic 214Mode splitting in photoluminescence spectra of a quantum dot embedded microcavity 222Conditions for the local manipulation of tripartite Gaussian states 229Laterally confined modes in wet etched， metal coated， quantum dot inserted pillar microcavities 237Noiseless method for checking the Peres separability criterion by local operations and classical communication 244A convenient way of determining the ferromagnetic transition temperature of metallic (Ga，Mn)As 253A new type of photoelectric response in a double barrier structure with a wide quantum well 262Spin polarized injection into a p-type GaAs layer from a Co2MnAl injector 267Measurement of the transmission magnetic circular dichroism of Ga1-x MnxAs epilayers using a built in p-i-n photodiode 275Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature 284GaAs/P型AlxGa1-xAs 異質結界面二維空穴的量子輸運特性 295Photonstorage in optical memory cells based on a semiconductor quantum dot quantum well hybrid structure 304Conditions for the local manipulation of all bipartite Gaussian states 312靜壓下半導體微腔內激子與光子行為的研究 320Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wettinglayer fluctuation 325Electric field control of deterministic current induced magnetization switching in a hybrid ferromagnetic/ferroelectric structure 336Tuning a binary ferromagnet into a multistate synapse with spin orbit torque induced plasticity 346超導/低維電子氣耦合體系研究 361半導體微腔中的重要物理現(xiàn)象 385第三部分 科研評述鄭厚植與低維半導體物理 421第四部分 學術咨詢創(chuàng)新三思 43521世紀的納米技術 439我國半導體超晶格科學的進展 442學習《論科學技術》培養(yǎng)青年科技人才 448迎接挑戰(zhàn)，重視量子結構、量子器件及其集成技術的基礎研究 450整數(shù)、分數(shù)量子霍爾效應簡介 453中國科技如何應對WTO 470人工物性剪裁——半導體超晶格物理、材料及新器件結構的探索 472微電子、光電子與微系統(tǒng)子領域技術趨勢與展望 475具有變革性的光電子、光子器件技術發(fā)展路線圖 479半導體物理 485關于影響我國發(fā)展的重大科技問題的思考 494關于太陽能作為可再生能源的經(jīng)濟評價 499太陽能發(fā)電作為可再生能源的主要科學技術問題 503關于發(fā)展我國新固態(tài)光源（SSL）的建議 513第五部分 信件往來給常州市懷德苑小學四（1）班同學們的一封信 523給常州市懷德苑小學三（5）班同學們的一封信 524給學生的一封回信 525一段遙遠的回憶——祝賀我的母校上海市曹楊第二中學建校60周年 526第六部分 行政管理中國科學院半導體研究所《知識創(chuàng)新工程》試點方案概要 529半導體超晶格國家重點實驗室的建立和發(fā)展 532關于國家“十五”科技計劃體系研究的一點看法 536關于研究所發(fā)展戰(zhàn)略的若干思考——高技術創(chuàng)新與資本運營 538光輝的業(yè)績，永恒的師表 541深化改革、繼往開來——紀念中國科學院半導體研究所建所40周年 543中國科學院半導體研究所改革進程的若干情況 547所長任期述職報告（1994—1998年） 566所長述職報告（1999—2002年） 580攜手前進、迎接挑戰(zhàn)——祝賀清華大學微電子學研究所成立20周年 618在第十四屆全國半導體物理學術會議暨半導體物理學術討論會開幕式上的講話 620在中國科學院半導體研究所領導換屆大會上的講話622繼往開來，重視和加強低維量子結構的物理研究——祝賀黃昆院士80華誕 624一代宗師德厚流光——紀念黃昆先生誕辰100周年 625榮譽表彰 631授權專利 632培養(yǎng)學生名單 635
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