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石墨烯納米電子學——從材料到電路 版權信息
- ISBN：9787118126778
- 條形碼：9787118126778 ; 978-7-118-12677-8
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
石墨烯納米電子學——從材料到電路 內容簡介
本書的內容經過編者合理的調整，將許多在石墨烯領域出色的權威人士對石墨烯納米器件的見解進行了整理、總結。本書包含了九個章節，在概括了CMOS器件發展歷史和發展趨勢后，編者首先用四個章節分別論述了石墨烯納米晶體管的器件物理性質，然后再用四個章節論述了制作石墨烯納米器件的材料和工藝方法。
石墨烯納米電子學——從材料到電路 目錄
第1章 CMOS器件性能進展
1．1 引言
1．2 MOSFET操作的基本原理
1．3 10nm尺寸MOSFET器件物理
1．4 簡單的MOSFET模型
1．5 MOSFET性能指標
1．6 MOSFET性能的歷史發展趨勢
1．7 Si基MOSFET的速度演化
1．8 應變Si器件中的載流子速度增長極限
1．9 對Ge和Ⅲ-V族半導體中的速度增長的展望
1．10 小結
參考文獻
延伸閱讀
第2章 石墨烯中的電子輸運
2．1 石墨烯的電子能帶結構
2．1．1 緊束縛計算
2．1．2 石墨烯納米帶
2．2 電子輸運
2．2．1 電聲子散射
2．2．2 無序散射
2．2．3 石墨烯納米帶中的輸運
2．2．4 SiC生長和CVD生長石墨烯中的輸運
2．3 石墨烯場效應晶體管中的高場輸運
2．4 小結
致謝
參考文獻
延伸閱讀
第3章 石墨烯晶體管
3．1 引言
3．2 數字場效應晶體管
3．3 能帶帶隙
3．4 射頻場效應晶體管（RFFET）
3．5 寬度縮放
3．6 邊緣散射的弱化
3．7 長度縮放
3．8 層數對FET性能的影響
3．9 摻雜
3．10 數字FET的性能藍圖
3．11 接觸電阻
3．12 從晶體管到電路
3．13 非經典的電荷晶體管
3．14 小結
參考文獻
第4章 非電態參量石墨烯晶體管
4．1 引言
4．2 石墨烯中的電子電荷
4．3 石墨烯原子開關
4．4 石墨烯中的自旋
4．5 石墨烯中的贗自旋
4．6 石墨烯中的聲子
4．7 展望
致謝
參考文獻
……
第5章 新型態參量的輸運
第6章 石墨烯的外延生長
第7章 利用化學氣相沉積法生長石墨烯
第8章 制備石墨烯氧化物及相關材料的化學方法
第9章 石墨烯上的電介質原子層沉積
縮略語
1．1 引言
1．2 MOSFET操作的基本原理
1．3 10nm尺寸MOSFET器件物理
1．4 簡單的MOSFET模型
1．5 MOSFET性能指標
1．6 MOSFET性能的歷史發展趨勢
1．7 Si基MOSFET的速度演化
1．8 應變Si器件中的載流子速度增長極限
1．9 對Ge和Ⅲ-V族半導體中的速度增長的展望
1．10 小結
參考文獻
延伸閱讀
第2章 石墨烯中的電子輸運
2．1 石墨烯的電子能帶結構
2．1．1 緊束縛計算
2．1．2 石墨烯納米帶
2．2 電子輸運
2．2．1 電聲子散射
2．2．2 無序散射
2．2．3 石墨烯納米帶中的輸運
2．2．4 SiC生長和CVD生長石墨烯中的輸運
2．3 石墨烯場效應晶體管中的高場輸運
2．4 小結
致謝
參考文獻
延伸閱讀
第3章 石墨烯晶體管
3．1 引言
3．2 數字場效應晶體管
3．3 能帶帶隙
3．4 射頻場效應晶體管（RFFET）
3．5 寬度縮放
3．6 邊緣散射的弱化
3．7 長度縮放
3．8 層數對FET性能的影響
3．9 摻雜
3．10 數字FET的性能藍圖
3．11 接觸電阻
3．12 從晶體管到電路
3．13 非經典的電荷晶體管
3．14 小結
參考文獻
第4章 非電態參量石墨烯晶體管
4．1 引言
4．2 石墨烯中的電子電荷
4．3 石墨烯原子開關
4．4 石墨烯中的自旋
4．5 石墨烯中的贗自旋
4．6 石墨烯中的聲子
4．7 展望
致謝
參考文獻
……
第5章 新型態參量的輸運
第6章 石墨烯的外延生長
第7章 利用化學氣相沉積法生長石墨烯
第8章 制備石墨烯氧化物及相關材料的化學方法
第9章 石墨烯上的電介質原子層沉積
縮略語
展開全部
石墨烯納米電子學——從材料到電路 作者簡介
王雪峰，男，于中科院上海冶金所(現微系統所)獲理學博士 (半導體物理與器件物理專業)，現任蘇州大學物理學院特聘教授，主要從事石墨烯及類材料納米器件的物理特性理論和模擬研究。1994年，獲中國科學院自然科學獎一等獎，中科院院長獎優秀獎，上海市科技系統十佳青年。承擔2012國家自然科學基金重大研究計劃項目(91121021)：石墨烯等離激元受激發射太赫茲量子振蕩源。發表相關論文多篇。
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