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半導體器件原理簡明教程(第二版) 版權信息
- ISBN：9787030749482
- 條形碼：9787030749482 ; 978-7-03-074948-2
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體器件原理簡明教程(第二版) 內容簡介
用*簡明準確的語言，*精簡的篇幅，講清楚基本的半導體物理基礎，基本的半導體器件的基本結構和基本工作原理。強調了三個"基本"，即基本理論、基本方法和基本目標的思想。基本理論是指，半導體器件的基本理論基礎是量子力學，以及在量子力學基礎之上建立起來的固體能帶理論。基本方法是指學習和掌握半導體器件原理的基本的定量分析方法。基本目標是指把半導體器件的外特性參數，如電流放大系數、閾值電壓、擊穿電壓等，與構成器件的半導體材料參數和器件的結構參數聯系起來，從而具備根據外特性參數的要求設計和制造半導體器件。
半導體器件原理簡明教程(第二版) 目錄
目錄
第1章 半導體物理基礎 1
1.1 晶體結構 1
1.2 能帶結構 6
1.3 半導體中載流子的統計分布 9
1.4 載流子的漂移運動 16
1.5 載流子的擴散運動 21
1.6 非平衡載流子 24
1.7 半導體基本方程 32
習題 33
第2章 pn結 36
2.1 pn結的形成及其單向導電性 36
2.2 pn結空間電荷區基本特性 38
2.2.1 平衡pn結的能帶結構和載流子分布 38
2.2.2 非平衡pn結的能帶結構和載流子分布 40
2.2.3 pn結的電場和電勢分布 44
2.3 pn結的直流特性 47
2.3.1 非平衡pn結擴散區的載流子分布和擴散電流 47
2.3.2 pn結的勢壘復合電流和產生電流 48
2.3.3 正偏pn結的大注入效應 50
2.4 pn結的耗盡層電容 52
2.5 pn結的小信號交流特性 53
2.5.1 pn結的擴散電容 53
2.5.2 pn結的交流參數和等效電路 56
2.6 pn結的開關特性 56
2.7 pn結的擊穿 58
2.7.1 擊穿機理概述 58
2.7.2 雪崩擊穿條件 60
2.7.3 雪崩擊穿電壓的計算 62
習題 64
第3章 雙極型晶體管 66
3.1 雙極型晶體管的基本結構 66
3.2 雙極型晶體管內載流子的輸運過程 67
3.3 雙極型晶體管的電流放大系數 70
3.3.1 均勻基區晶體管的電流增益因子的簡化推導 70
3.3.2 均勻基區晶體管電流增益因子的數學推導 72
3.3.3 緩變基區晶體管的電流放大系數 77
3.3.4 發射區重摻雜條件下的禁帶變窄效應 80
3.3.5 大注入效應 81
3.4 晶體管的直流特性 84
3.4.1 晶體管的電流電壓方程 84
3.4.2 晶體管的擊穿電壓 88
3.4.3 縱向基區擴展效應 92
3.4.4 發射極電流集邊效應 94
3.4.5 晶體管的安全工作區 97
3.5 雙極型晶體管的頻率特性98
3.5.1 雙極型晶體管頻率特性概述 98
3.5.2 延遲時間的計算 99
3.5.3 晶體管的電流放大系數的頻率特性 100
3.5.4 晶體管的高頻等效電路和*高振蕩頻率 102
3.6 雙極型晶體管的開關特性 106
3.6.1 晶體管工作區域的劃分及其飽和工作狀態 106
3.6.2 晶體管的開關過程 108
習題 112
第4章 場效應晶體管 116
4.1 結型場效應晶體管 116
4.1.1 結型場效應晶體管的工作原理 116
4.1.2 JFET的電流-電壓方程 117
4.1.3 JFET的直流參數和頻率參數 121
4.1.4 JFET的短溝道效應 126
4.2 絕緣柵場效應晶體管 127
4.2.1 半導體表面的特性和理想MOS結構 127
4.2.2 MOSFET結構及其工作原理 135
4.2.3 MOSFET的閾值電壓 138
4.2.4 MOSFET的電流電壓關系 143
4.2.5 MOSFET的亞閾區導電 148
4.2.6 MOSFET的擊穿電壓 150
4.2.7 MOSFET的高頻等效電路和頻率特性 154
4.2.8 MOSFET的短溝道效應 157
4.2.9 MOSFET閾值電壓的調整 163
4.2.10 MOSFET的縮比理論 168
4.2.11 熱電子效應和輻射效應 169
習題 171
第5章 金屬-半導體接觸和異質結 174
5.1 金屬-半導體接觸 174
5.1.1 理想金屬-半導體接觸 174
5.1.2 非理想效應 177
5.1.3 金屬-半導體接觸的電流電壓關系 179
5.1.4 歐姆接觸的實現方法 182
5.2 異質結 182
5.2.1 異質結半導體材料能帶結構的對應關系 183
5.2.2 異質結的能帶圖的畫法 183
5.2.3 異質結的基本特性 185
5.2.4 同型異質結 188
5.3 應變異質結 190
習題 195
第6章 半導體光電子器件 197
6.1 半導體的光吸收和光發射 197
6.1.1 光的基本性質 197
6.1.2 光在半導體中的吸收 198
6.1.3 半導體的光發射 200
6.2 太陽能電池 202
6.3 光探測器件 205
6.4 發光二極管 207
6.4.1 發光二極管基礎 207
6.4.2 能帶工程 209
6.5 半導體激光器件 212
6.5.1 半導體激光器件基礎 212
6.5.2 量子阱激光器 217
6.5.3 垂直腔面發射激光器 222
習題 224
第7章 其他半導體器件 226
7.1 信息存儲器件 226
7.1.1 MOS電容器的動態特性 226
7.1.2 隨機存取存儲器 227
7.1.3 閃爍存儲器 229
7.1.4 CCD器件 231
7.2 負阻器件 234
7.2.1 隧道二極管 235
7.2.2 IMPATT器件 241
7.2.3 Gunn二極管 243
7.2.4 三端負阻器件 247
7.3 功率器件 250
7.3.1 晶閘管 250
7.3.2 VDMOS和LDMOS 255
7.3.3 絕緣柵控雙極型晶體管 259
習題 261
附錄A 物理常數表 263
附錄B 晶體結構和晶格常數（A） 264
附錄C 重要半導體的基本性質 265
附錄D 硅、砷化鎵和鍺的重要性質 266
附錄E 二氧化硅和氮化硅的性質 267
附錄F 硅中的雜質能級 268
附錄G 砷化鎵中的雜質能級 269
參考文獻 270
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