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包郵 基于表面改性的氮化鎵納米材料

出版社:中國(guó)石化出版社出版時(shí)間:2022-08-01
開(kāi)本: 16開(kāi) 頁(yè)數(shù): 240
中 圖 價(jià):¥56.1(8.3折) 定價(jià)  ¥68.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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基于表面改性的氮化鎵納米材料 版權(quán)信息

基于表面改性的氮化鎵納米材料 本書(shū)特色

本書(shū)采用基于密度泛函的**性原理模擬方法,在表面改性的基礎(chǔ)上,綜合考慮表面修飾、低維納米材料的尺寸以及襯底等,探討電場(chǎng)及應(yīng)變場(chǎng)作用下半導(dǎo)體納米材料的帶隙的調(diào)控機(jī)理,以期望發(fā)展一系列電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)優(yōu)良的新型半導(dǎo)體納米材料,促進(jìn)其在場(chǎng)效應(yīng)晶體管、傳感器、光電子器件和自旋電子器件等領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用。

基于表面改性的氮化鎵納米材料 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)主要介紹了**性原理模擬方法及其在計(jì)算機(jī)模擬中各種參數(shù)的設(shè)置和實(shí)際模擬中的參數(shù)選擇,同時(shí)闡述了該方法在基于表面改性設(shè)計(jì)的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(chǎng)(電場(chǎng)或應(yīng)變場(chǎng))作用下電學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)研究中的應(yīng)用,并將材料進(jìn)一步拓展到外場(chǎng)下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。 本書(shū)可供從事半導(dǎo)體納米材料的科研人員和工程技術(shù)人員使用,也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)師生的參考用書(shū)。

基于表面改性的氮化鎵納米材料 目錄

1緒論(1)
1.1Ⅲ-V族半導(dǎo)體納米材料(1)
1.1.1GaN基半導(dǎo)體納米線(1)
1.1.2GaN基半導(dǎo)體納米薄膜(3)
1.2類石墨烯納米材料(4)
1.3Ⅲ-V族半導(dǎo)體和類石墨烯納米材料電磁學(xué)性能調(diào)控方法(5)
1.3.1表面修飾(5)
1.3.2化學(xué)摻雜(7)
1.3.3襯底的影響(9)
1.3.4量子禁閉和應(yīng)變(10)
1.3.5電場(chǎng)的影響(12)
1.4本書(shū)的主要內(nèi)容(13)
2模擬計(jì)算方法(14)
2.1基于密度泛函理論的**性原理(14)
2.2Materials Studio軟件(15)
2.3DMol3模塊(16)
2.3.1DMol3 Task(任務(wù))具體操作(17)
2.3.2DMol3 Analysis(DMol3分析)(45)
3外場(chǎng)下GaN/InN核殼納米線的電學(xué)性質(zhì)(52)
3.1引言(52)
3.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)(54)
3.2.1模擬計(jì)算細(xì)節(jié)(54)
3.2.2在DMol3模塊中電場(chǎng)的計(jì)算(54)
3.3GaN和InN的晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)(54)
3.4表面修飾的GaN/InN核殼納米線(58)
3.5外部應(yīng)變下GaN/InN核殼納米線(66)
3.6本章小結(jié)(74)

4外場(chǎng)下表面修飾的氮化鎵納米薄膜的電磁學(xué)性質(zhì)(75)
4.1引言(75)
4.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)(75)
4.3完全表面修飾的氮化鎵納米薄膜電學(xué)性質(zhì)(76)
4.4半表面修飾的氮化鎵納米薄膜電磁學(xué)性質(zhì)(79)
4.4.1對(duì)表面鎵原子進(jìn)行氫化(81)
4.4.2對(duì)表面鎵原子進(jìn)行氟化(83)
4.4.3對(duì)表面鎵原子進(jìn)行氯化(83)
4.4.4對(duì)表面氮原子進(jìn)行表面修飾(85)
4.4.5半表面修飾的氮化鎵納米薄膜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性(86)
4.5外部應(yīng)變下兩層半氫化氮化鎵納米薄膜電磁學(xué)性質(zhì)(87)
4.6外部應(yīng)變下兩層半氟化氮化鎵納米薄膜電磁學(xué)性質(zhì)(92)
4.7電場(chǎng)下兩層半氯化氮化鎵納米薄膜電磁學(xué)性質(zhì)(98)
4.8本章小結(jié)(105)
5外電場(chǎng)下錫烯/有機(jī)分子體系的電學(xué)性質(zhì)(107)
5.1引言(107)
5.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)及相關(guān)公式說(shuō)明(108)
5.2.1模擬方法和計(jì)算參數(shù)(108)
5.2.2結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的判據(jù)(108)
5.2.3帶隙的判據(jù)(108)
5.2.4載流子遷移率的判據(jù)(109)
5.3外電場(chǎng)作用下C6H6/錫烯體系(109)
5.3.1C6H6/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型(110)
5.3.2無(wú)外電場(chǎng)下C6H6/錫烯體系(110)
5.3.3外電場(chǎng)下C6H6/錫烯體系(114)
5.4外電場(chǎng)作用下C6F6/錫烯體系(119)
5.4.1C6F6/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型(119)
5.4.2無(wú)外電場(chǎng)下C6F6/錫烯體系(119)
5.4.3外電場(chǎng)作用下C6F6/錫烯體系(122)
5.5外電場(chǎng)作用下C6H4F2/錫烯體系(127)
5.5.1C6H4F2/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型(127)
5.5.2無(wú)外電場(chǎng)下C6H4F2/錫烯體系(127)
5.5.3外電場(chǎng)下C6H4F2/錫烯體系(131)
5.6本章小結(jié)(135)
6錫烯作為潛在高靈敏度傳感器件探測(cè)有毒有機(jī)小分子(136)
6.1引言(136)
6.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)及相關(guān)公式說(shuō)明(136)
6.2.1模擬方法和計(jì)算參數(shù)(136)
6.2.2相關(guān)公式說(shuō)明(137)
6.3外電場(chǎng)下錫烯吸附C6H7N(137)
6.3.1C6H7N/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型(137)
6.3.2外電場(chǎng)作用下C6H7N/錫烯體系(138)
6.4外電場(chǎng)下錫烯吸附C6H5Cl(140)
6.4.1C6H5Cl/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型(140)
6.4.2外電場(chǎng)作用下C6H5Cl/錫烯體系(141)
6.5本章小結(jié)(143)
7電場(chǎng)調(diào)控類石墨烯范德華異質(zhì)薄膜帶隙的**性原理研究(143)
7.1引言(144)
7.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)(144)
7.3單層SiC納米薄膜和完全氫化的HBNH薄膜(145)
7.4不同堆垛方式的異質(zhì)薄膜模型的優(yōu)化(146)
7.5不同堆垛方式的異質(zhì)薄膜的電學(xué)性質(zhì)(147)
7.6電場(chǎng)調(diào)控異質(zhì)薄膜的電學(xué)性質(zhì)(149)
7.7本章小結(jié)(152)
8錫烯/XS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系的電學(xué)性質(zhì)(154)
8.1引言(154)
8.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)及相關(guān)公式說(shuō)明(155)
8.2.1模擬方法和計(jì)算參數(shù)(155)
8.2.2相關(guān)公式說(shuō)明(155)
8.3錫烯/MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(156)
8.3.1無(wú)外場(chǎng)下錫烯/MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(157)
8.3.2外加電場(chǎng)下錫烯/MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(159)
8.3.3外部應(yīng)變下錫烯/MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(161)
8.4錫烯/WS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(163)
8.4.1無(wú)外場(chǎng)下錫烯/WS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(164)
8.4.2外加電場(chǎng)下錫烯/WS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(165)
8.4.3外部應(yīng)變下錫烯/WS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(168)
8.5錫烯/MoSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(169)
8.5.1無(wú)外場(chǎng)下錫烯/MoSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(170)
8.5.2外加電場(chǎng)下錫烯/MoSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(171)
8.5.3外部應(yīng)變下錫烯/MoSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(173)
8.6錫烯/WSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(175)
8.6.1無(wú)外場(chǎng)下錫烯/WSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(176)
8.6.2外加電場(chǎng)下錫烯/WSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(177)
8.6.3外部應(yīng)變下錫烯/WSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系(179)
8.7本章小結(jié)(181)
9有機(jī)分子吸附和襯底調(diào)控鍺烯的電子結(jié)構(gòu)研究(183)
9.1引言(183)
9.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)(185)
9.3有機(jī)分子/鍺烯體系(185)
9.3.1苯/鍺烯體系(186)
9.3.2六氟苯/鍺烯體系(190)
9.4有機(jī)分子/鍺烯/鍺烷體系(194)
9.4.1苯/鍺烯/鍺烷體系(195)
9.4.2六氟苯/鍺烯/鍺烷體系(198)
9.5本章小結(jié)(200)
參考文獻(xiàn)(202)
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基于表面改性的氮化鎵納米材料 作者簡(jiǎn)介

肖美霞,西安石油大學(xué)副教授,2011年畢業(yè)于吉林大學(xué)材料學(xué)專業(yè),博士研究生。主持國(guó)家自然科學(xué)基金1項(xiàng),主持國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題1項(xiàng),主持陜西省教育廳專項(xiàng)科研計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)。發(fā)表SCI論文13篇,其中以第一作者發(fā)表SCI論文8篇,發(fā)明專利1項(xiàng),實(shí)用新型專利1項(xiàng),參與譯著1部。 宋海洋,男,博士,西安石油大學(xué)教師。 王博,男,博士,西安石油大學(xué)講師。

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