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半導體物理學:下冊 版權信息
- ISBN:9787312052408
- 條形碼:9787312052408 ; 978-7-312-05240-8
- 裝幀:一般膠版紙
- 冊數:暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>
半導體物理學:下冊 本書特色
(1)英文原版是國際經典著作,中文版根據英文版第4版(2021年)翻譯。 (2)內容豐富(24章正文+11個附錄),圖文并茂(1000多張圖表+26面彩插),參考資料翔實(約2200篇參考文獻)。 (3)涵蓋半導體物理學的歷史沿革、基本知識、專題討論以及半導體的應用和器件。 (4)無需固體物理學和量子力學的基礎即可學習本書,適合本科生和研究生,也可作為半導體科技人員的參考書。
半導體物理學:下冊 內容簡介
本書介紹了半導體物理和半導體器件,包括固體物理、半導體物理、各種半導體器件的概念及其在電子學和光子學中的現代應用。全書包括三部分內容:半導體物理學的基礎知識(第1—10章)、專題(第11—20章)與半導體的應用和器件(第21—24章)。 第1章介紹半導體物理學的歷史沿革,按照時間順序給出歷史上半導體相關的重要時刻和事件。第2—10章講述半導體物理學的基礎知識,包括:化學鍵、晶體、缺陷、力學性質、能帶結構、電子的缺陷態、輸運性質、光學性質、復合過程。 第11—20章是專題,包括:表面、異質結構、二維半導體、納米結構、外場、極性半導體、磁性半導體、有機半導體、介電結構、透明導電的氧化物半導體。 第21—24章是半導體的應用和器件,包括:二極管、電光轉換器件、光電轉換器件、晶體管。 本書內容豐富(除了24章正文以外,還有11個附錄),圖文并茂(大約有1000張圖片和表格),參考資料豐富(大約有2200篇參考文獻),經過多年教學實踐的檢驗,是一本優秀的教科書。本書可以在沒有或者只有很少固體物理學和量子力學知識的基礎上學習,適合研究生和高年級本科生學習,也可以作為半導體科研人員的參考書。
半導體物理學:下冊 目錄
譯者的話
前言
縮寫
符號
物理常量
第16章 極化半導體
16.1簡介
16.2自發極化
16.3鐵電性
16.4壓電性
第17章 磁性半導體
17.1簡介
17.2磁性半導體
17.3稀磁半導體
17.4自旋電子學
第18章 有機半導體
18.1簡介
18.2材料
18.3電子結構
18.4摻雜
18.5輸運性質
18.6光學性質
第19章 介電結構
19.1光子帶隙材料
19.2微共振腔
第20章 透明導電的氧化物半導體
20.1簡介
20.2材料
20.3性質
第3部分 應用
第21章 二極管
21.1簡介
21.2金屬-半導體接觸
21.3金屬-絕緣體-半導體二極管
21.4雙極型二極管
21.5應有和特殊的二極管器件
第22章 光電轉換
22.1光催化
22.2光電導
22.3光電二極管
22.4太陽能電池
第23章 電光轉換
23.1輻射計量學的量和光度學的量
23.2閃爍體
23.3發光二極管
23.4激光器
23.5半導體光學放大器
第24章 晶體管
24.1簡介
24.2雙極型晶體管
24.3場效應晶體管
24.4 JFET和MESFET
24.5 MOSFET
24.6薄膜晶體管
附錄A 張量
附錄B 點群和空間群
附錄C 克拉默斯-克羅尼格關系
附錄D 振子強度
附錄E 量子統計
附錄F 克羅尼格-彭尼模型
附錄G 緊束縛模型
附錄H k·p微擾理論
附錄I 有效質量理論
附錄J 玻爾茲曼輸運理論
附錄K 噪聲
參考文獻
半導體物理學:下冊 作者簡介
Marius Grundmann,德國萊比錫大學物理學教授,研究領域包括薄膜、納米結構、基于氧化物材料和碘化銅的透明器件、異質結構和微腔。 姬揚,博士,研究員,博士生導師。在中國科學技術大學獲得學士和碩士學位,1998年在中國科學院半導體研究所獲得理學博士學位,在以色列魏茲曼研究所做了4年博士后。自2002年起,在中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室工作,從事半導體自旋物理學方面的實驗研究。發表過多篇學術論文,已經翻譯出版過5本學術著作和1本社科著作。
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