中圖網(wǎng)小程序
一鍵登錄
更方便
本類(lèi)五星書(shū)更多>
-
>
宇宙、量子和人類(lèi)心靈
-
>
氣候文明史
-
>
南極100天
-
>
考研數(shù)學(xué)專(zhuān)題練1200題
-
>
希格斯:“上帝粒子”的發(fā)明與發(fā)現(xiàn)
-
>
神農(nóng)架疊層石:10多億年前遠(yuǎn)古海洋微生物建造的大堡礁
-
>
聲音簡(jiǎn)史
中圖價(jià):¥47.0
加入購(gòu)物車(chē)
半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理 版權(quán)信息
- ISBN：9787308209489
- 條形碼：9787308209489 ; 978-7-308-20948-9
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類(lèi)：>
半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理 內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書(shū)全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)，全書(shū)共分十一章。**章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)，第十一章介紹了溶液法技術(shù)及發(fā)光器件的制備。 本書(shū)文字?jǐn)⑹錾狭η笞龅缴钊霚\出，內(nèi)容上深度和寬度相結(jié)合，理論和實(shí)踐相結(jié)合，以半導(dǎo)體薄膜技術(shù)為重點(diǎn)，結(jié)合半導(dǎo)體材料和器件的性能介紹，同時(shí)還介紹了半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理領(lǐng)域的新概念、新進(jìn)展、新成果和新技術(shù)。本書(shū)具有內(nèi)容翔實(shí)、概念清楚、圖文并茂的特點(diǎn)。 本書(shū)讀者對(duì)象廣泛，可作為高等院校材料、物理、電子、化學(xué)等學(xué)科的研究生或高年級(jí)本科生的半導(dǎo)體薄膜技術(shù)課程的教材，也可作為從事半導(dǎo)體材料、薄膜材料、光電器件等領(lǐng)域的科研人員、工程技術(shù)人員的參考書(shū)。
半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理 目錄
第1章 真空技術(shù)
§1.1 真空的基本概念
1.1.1 真空的定義
1.1.2 真空度單位
1.1.3 真空區(qū)域劃分
§1.2 真空的獲得
§1.3 真空度測(cè)量
1.3.1 熱傳導(dǎo)真空計(jì)
1.3.2 熱陰極電離真空計(jì)
1.3.3 冷陰極電離真空計(jì)
§1.4 真空度對(duì)薄膜工藝的影響
參考文獻(xiàn)
第2章 蒸發(fā)技術(shù)
§2.1 發(fā)展歷史與簡(jiǎn)介
§2.2 蒸發(fā)的種類(lèi)
2.2.1 電阻熱蒸發(fā)
2.2.2 電子束蒸發(fā)
2.2.3 高頻感應(yīng)蒸發(fā)
2.2.4 激光束蒸發(fā)
2.2.5 反應(yīng)蒸發(fā)
§2.3 蒸發(fā)的應(yīng)用實(shí)例
2.3.1 Cu(In，Ga)Se2薄膜
2.3.2 ITO薄膜
參考文獻(xiàn)
第3章 濺射技術(shù)
§3.1 濺射基本原理
§3.2 濺射主要參數(shù)
3.2.1 濺射閾和濺射產(chǎn)額
3.2.2 濺射粒子的能量和速度
3.2.3 濺射速率和淀積速率
§3.3 濺射裝置及工藝
3.3.1 陰極濺射
3.3.2 三極濺射和四極濺射
3.3.3 射頻濺射
3.3.4 磁控濺射
3.3.5 反應(yīng)濺射
§3.4 離子成膜技術(shù)
3.4.1 離子鍍成膜
3.4.2 離子束成膜
§3.5 濺射技術(shù)的應(yīng)用
3.5.1 濺射生長(zhǎng)過(guò)程
3.5.2 濺射生長(zhǎng)Zn()薄膜的性能
參考文獻(xiàn)
第4章 化學(xué)氣相沉積
§4.1 概述
§4.2 硅化學(xué)氣相沉積
4.2.1 CVD反應(yīng)類(lèi)型
4.2.2 CVD熱力學(xué)分析
4.2.3 CVD動(dòng)力學(xué)分析
4.2.4 a；同硅源的外延生長(zhǎng)
4.2.5 成核
4.2.6 摻雜
4.2.7 外延層質(zhì)量
4.2.8 生長(zhǎng)工藝
§4.3 CVD技術(shù)的種類(lèi)
4.3.1 常壓CVD
4.3.2 低壓CVD
4.3.3 超高真空CVD
§4.4 能量增強(qiáng)CVD技術(shù)
4.4.1 等離子增強(qiáng)CVD
4.4.2 光增強(qiáng)CVD
§4.5 鹵素輸運(yùn)法
4.5.1 氯化物法
4.5.2 氫化物法
§4.6 MOCVD技術(shù)
4.6.1 MOCVD簡(jiǎn)介
4.6.2 MOCVD生長(zhǎng)GaAs
4.6.3 MOCVD生長(zhǎng)GaN
4.6.4 MOCVD生長(zhǎng)ZnO
§4.7 特色CVD技術(shù)
4.7.1 選擇外延CVD技術(shù)
4.7.2 原子層外延
參考文獻(xiàn)
第5章 脈沖激光沉積
§5.1 脈沖激光沉積概述
§5.2 PLD的基本原理
5.2.1 激光與靶的相互作用
5.2.2 燒蝕物的傳輸
5.2.3 燒蝕粒子在襯底上的沉積
§5.3 顆粒物的抑制
§5.4 PLD在Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜中的應(yīng)用
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生長(zhǎng)
5.4.2 其他Ⅱ一Ⅵ族化合物的PLD生長(zhǎng)
參考文獻(xiàn)
第6章 分子束外延
§6.1 引 言
§6.2 分子束外延的原理和特點(diǎn)
§6.3 外延生長(zhǎng)設(shè)備
§6.4 分子束外延生長(zhǎng)硅
6.4.1 表面制備
6.4.2 外延生長(zhǎng)
6.4.3 摻雜
6.4.4 外延膜的質(zhì)量診斷
§6.5 分子束外延生長(zhǎng)Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)
6.5.1 MBE生長(zhǎng)GaAs
6.5.2 MBE生長(zhǎng)InAs／GaAs
6.5.3 MBE生長(zhǎng)GaN
§6.6 分子束外延生長(zhǎng)Ⅱ一Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)
6.6.1 }tgCdTe材料
6.6.2 CdTe／Si的外延生長(zhǎng)
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生長(zhǎng)
6.6.4 ZnSe、ZnTe
6.6.5 ZnO薄膜
§6.7 分子束外延生長(zhǎng)其他半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)
6.7.1 SiC材料
6.7.2 生長(zhǎng)小尺寸Ge／Si量子點(diǎn)
6.7.3 生長(zhǎng)有機(jī)半導(dǎo)體薄膜
參考文獻(xiàn)
第7章 液相外延
§7.1 液相外延生長(zhǎng)的原理
7.1.1 液相外延基本概況
7.1.2 硅液相外延生長(zhǎng)的原理
§7.2 液相外延生長(zhǎng)方法和設(shè)備
§7.3 液相外延生長(zhǎng)的特點(diǎn)
§7.4 液相外延的應(yīng)用實(shí)例
7.4.1 硅材料
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體材料
7.4.3 碲鎘汞材料
7.4.4 SiC材料
參考文獻(xiàn)
第8章 濕化學(xué)制備方法
§8.1 溶膠一凝膠技術(shù)
8.1.1 Sol-Gel的生長(zhǎng)機(jī)制
8.1.2 Sol-Gel的工藝過(guò)程
8.1.3 Sol-Gel合成TiO2薄膜
8.1.4 Sol-Gel的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
§8.2 噴霧熱分解技術(shù)
8.2.1 噴霧熱分解的種類(lèi)
8.2.2 噴霧熱分解的生長(zhǎng)過(guò)程
8.2.3 噴霧熱分解的應(yīng)用介紹
8.2.4 噴霧熱分解制備ZnO薄膜
§8.3 液相電沉積技術(shù)
8.3.1 電沉積簡(jiǎn)介
8.3.2 電沉積制備類(lèi)金剛石薄膜
參考文獻(xiàn)
第9章 半導(dǎo)體超晶格和量子阱
§9.1 引 言
§9.2 半導(dǎo)體超晶格、量子阱的概念和分類(lèi)
9.2.1 組分超晶格
9.2.2 摻雜超晶格
9.2.3 應(yīng)變超晶格
9.2.4 調(diào)制摻雜超晶格
§9.3 半導(dǎo)體超晶格、量子阱的量子特性
9.3.1 量子約束效應(yīng)
9.3.2 量子隧穿和超晶格微帶效應(yīng)
9.3.3 共振隧穿效應(yīng)
§9.4 半導(dǎo)體超晶格、量子阱的結(jié)構(gòu)和器件應(yīng)用介紹
9.4.1 GaAs／AlxGa1-xAs體系
9.4.2 ZnSe基異質(zhì)結(jié)、量子阱結(jié)構(gòu)
參考文獻(xiàn)
第lO章 半導(dǎo)體器件制備技術(shù)
§10.1 襯底材料的清洗
§10.2 發(fā)光二極管
10.2.1 GaN基LED
10.2.2 ZnO基LED
10.2.3 白光LED
§10.3 薄膜晶體管
10.3.1 薄膜晶體管的工作原理
10.3.2 非晶硅薄膜晶體管
10.3.3 多晶硅薄膜晶體管
10.3.4 有機(jī)薄膜晶體管
10.3.5 ZnO薄膜晶體管
§10.4 光電探測(cè)器
10.4.1 光電導(dǎo)探測(cè)器
10.4.2 肖特基型光電探測(cè)器
10.4.3 p-n結(jié)型光電探測(cè)器
10.4.4 改進(jìn)型光電二極管
參考文獻(xiàn)
第1l章 溶液法技術(shù)及發(fā)光器件的制備
§11.1 引 言
§11.2 溶液法制備LED的分類(lèi)與工作原理
11.2.1 量子點(diǎn)LED
11.2.2 鈣鈦礦LED
11.2.3 有機(jī)LED
§11.3 溶液法大面積制備技術(shù)
11.3.1 噴墨打印
11.3.2 轉(zhuǎn)移印刷
11.3.3 其他大面積噴涂技術(shù)
§11.4 溶液法制備發(fā)光器件的應(yīng)用
11.4.1 主動(dòng)發(fā)光顯示器
11.4.2 電致發(fā)光單光子源
參考文獻(xiàn)
展開(kāi)全部
半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理 作者簡(jiǎn)介
葉志鎮(zhèn)，男，1955年5月生于浙江溫州。1987年獲浙江大學(xué)光儀系工學(xué)博士學(xué)位；畢業(yè)后留校工作，1990—1992年留學(xué)美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)；1994年晉升為教授；1996年選為博導(dǎo)。現(xiàn)為浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)系系主任。 1988年進(jìn)入浙江大學(xué)材料系，在硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室一直從事半導(dǎo)體薄膜教學(xué)科研工作。主要研究：半導(dǎo)體薄膜制備、物性調(diào)控與光電應(yīng)用。現(xiàn)兼任中國(guó)電子學(xué)會(huì)理事，中國(guó)能源學(xué)會(huì)常務(wù)理事，中國(guó)電子材料委員會(huì)副主任，《材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào)》主編，J．Mater．Sci．&Tectl．和《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》編委等。 在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展氧化鋅薄膜p型摻雜研究，開(kāi)發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的p型摻雜系列核心技術(shù)，率先研制了氧化鋅LED原型器件并實(shí)現(xiàn)室溫電致發(fā)光；發(fā)展了組分調(diào)控氧化鋅薄膜光電性能的技術(shù)，透明導(dǎo)電薄膜的實(shí)際應(yīng)用效果良好；自主發(fā)展了高真空CVD薄膜技術(shù)并在全國(guó)推廣應(yīng)用；研制了一系列硅基薄膜材料與器件。負(fù)責(zé)的Zn()研究工作被國(guó)家自然科學(xué)基金委評(píng)為“光電功能材料重大計(jì)劃”5個(gè)亮點(diǎn)成果之一。先后承擔(dān)國(guó)家“973”課題2項(xiàng)、國(guó)家自然基金10項(xiàng)(重點(diǎn)項(xiàng)目3項(xiàng))、省部級(jí)科研項(xiàng)目40多項(xiàng)。“氧化鋅基材料生長(zhǎng)、p型摻雜與室溫電致發(fā)光研究”獲2007年國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)，此外在薄膜制備與光電應(yīng)用方面還獲得浙江省科技一等獎(jiǎng)3項(xiàng)，省部級(jí)科技二等獎(jiǎng)3項(xiàng)。授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利60多項(xiàng)。出版學(xué)術(shù)著作2本，參編3本。發(fā)表SCI收錄論文400余篇，其中Adv．Mater．，NanoLett．，JACS，APL等國(guó)際著名期刊論文100余篇；論文被他引56()O余次，其中sCI他引4000余次。國(guó)際大會(huì)報(bào)告40余次，邀請(qǐng)報(bào)告20余次。 1994一年被評(píng)為國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室全國(guó)先進(jìn)工作者并獲“金牛獎(jiǎng)”；1995年選為浙江省首批“中青年學(xué)術(shù)帶頭人”；1996年人選教育部“跨世紀(jì)優(yōu)秀人才”；1997年入選國(guó)家“百千萬(wàn)人才工程”；1997年享受?chē)?guó)務(wù)院特殊津貼。2006年被聘為浙江大學(xué)首批求是特聘教授；2007年選為浙江省突出貢獻(xiàn)中青年專(zhuān)家；2008年被評(píng)為浙江省特級(jí)專(zhuān)家，獲浙江省優(yōu)秀回國(guó)人員稱(chēng)號(hào)；2008年、2010年獲中國(guó)百篇優(yōu)秀博士論文提名獎(jiǎng)指導(dǎo)教師；2012年評(píng)為浙江大學(xué)“三育人”標(biāo)兵、浙江省“三育人”先進(jìn)個(gè)人、全國(guó)寶鋼優(yōu)秀教師；2013年評(píng)為浙江省師德先進(jìn)個(gè)人。
書(shū)友推薦
- >
小考拉的故事-套裝共3冊(cè)
- >
隨園食單
- >
二體千字文
- >
詩(shī)經(jīng)-先民的歌唱
- >
朝聞道
- >
煙與鏡
- >
巴金－再思錄
- >
名家?guī)阕x魯迅:朝花夕拾
本類(lèi)暢銷(xiāo)
