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高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)

包郵 高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)

出版社:化學(xué)工業(yè)出版社出版時(shí)間:2018-01-01
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高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù) 版權(quán)信息

高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù) 本書(shū)特色

《高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)》介紹了幾種典型高效晶體硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵制造技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)分析了電池效率損失因素,以及提高電池轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)途徑。本書(shū)共分為6章,第1章緒論,介紹了晶體硅太陽(yáng)能電池的理論基礎(chǔ)、電池效率損失機(jī)制以及晶體硅太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵工藝進(jìn)展。第2章p型鈍化發(fā)射極及背面接觸(PERC)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了PERC太陽(yáng)能電池發(fā)展歷史,重點(diǎn)分析了p型PERC太陽(yáng)能電池制造關(guān)鍵工藝對(duì)電池性能的影響,對(duì)化學(xué)返刻調(diào)控選擇性發(fā)射極摻雜濃度分布和背面反射及疊層鈍化層的制備與調(diào)控進(jìn)行了詳盡分析。第3章n型鈍化發(fā)射極背面局部擴(kuò)散(PERL)和鈍化發(fā)射極背面整面擴(kuò)散(PERT)結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了n型PERL和PERT結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展現(xiàn)狀,進(jìn)行了PERT結(jié)構(gòu)n型太陽(yáng)能電池器件模擬及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),重點(diǎn)分析了n型太陽(yáng)能電池復(fù)合模型和電池電阻分析模型,對(duì)PERT結(jié)構(gòu)n型電池工藝開(kāi)展了詳細(xì)的研究,包括絨面制備技術(shù)、關(guān)鍵金屬化工藝、p型及n型摻雜等,*后對(duì)電池的制備和性能進(jìn)行了詳細(xì)的分析討論。第4章硅基異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)技術(shù)發(fā)展歷程、原理與結(jié)構(gòu)及SHJ太陽(yáng)能電池的制造工藝與關(guān)鍵技術(shù),對(duì)SHJ太陽(yáng)能電池發(fā)展進(jìn)行了展望。第5章n型隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了TOPCon太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展歷程,詳細(xì)分析了隧穿氧化層和多晶硅薄膜層對(duì)電池性能的影響。第6章背結(jié)背接觸(IBC)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了IBC太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)特征和IBC太陽(yáng)能電池制造的關(guān)鍵工藝技術(shù),介紹了IBC太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展展望。《高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)》介紹了幾種典型高效晶體硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵制造技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)分析了電池效率損失因素,以及提高電池轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)途徑。本書(shū)共分為6章,第1章緒論,介紹了晶體硅太陽(yáng)能電池的理論基礎(chǔ)、電池效率損失機(jī)制以及晶體硅太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵工藝進(jìn)展。第2章p型鈍化發(fā)射極及背面接觸(PERC)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了PERC太陽(yáng)能電池發(fā)展歷史,重點(diǎn)分析了p型PERC太陽(yáng)能電池制造關(guān)鍵工藝對(duì)電池性能的影響,對(duì)化學(xué)返刻調(diào)控選擇性發(fā)射極摻雜濃度分布和背面反射及疊層鈍化層的制備與調(diào)控進(jìn)行了詳盡分析。第3章n型鈍化發(fā)射極背面局部擴(kuò)散(PERL)和鈍化發(fā)射極背面整面擴(kuò)散(PERT)結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了n型PERL和PERT結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展現(xiàn)狀,進(jìn)行了PERT結(jié)構(gòu)n型太陽(yáng)能電池器件模擬及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),重點(diǎn)分析了n型太陽(yáng)能電池復(fù)合模型和電池電阻分析模型,對(duì)PERT結(jié)構(gòu)n型電池工藝開(kāi)展了詳細(xì)的研究,包括絨面制備技術(shù)、關(guān)鍵金屬化工藝、p型及n型摻雜等,*后對(duì)電池的制備和性能進(jìn)行了詳細(xì)的分析討論。第4章硅基異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)技術(shù)發(fā)展歷程、原理與結(jié)構(gòu)及SHJ太陽(yáng)能電池的制造工藝與關(guān)鍵技術(shù),對(duì)SHJ太陽(yáng)能電池發(fā)展進(jìn)行了展望。第5章n型隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了TOPCon太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展歷程,詳細(xì)分析了隧穿氧化層和多晶硅薄膜層對(duì)電池性能的影響。第6章背結(jié)背接觸(IBC)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了IBC太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)特征和IBC太陽(yáng)能電池制造的關(guān)鍵工藝技術(shù),介紹了IBC太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展展望。

本書(shū)可供光伏行業(yè)的科研人員和工藝人員參考學(xué)習(xí),也可供各高等院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)師生參考學(xué)習(xí)。

高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

《高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)》介紹了幾種典型高效晶體硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵制造技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)分析了電池效率損失因素,以及提高電池轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)途徑。本書(shū)共分為6章,章緒論,介紹了晶體硅太陽(yáng)能電池的理論基礎(chǔ)、電池效率損失機(jī)制以及晶體硅太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵工藝進(jìn)展。第2章p型鈍化發(fā)射極及背面接觸(PERC)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了PERC太陽(yáng)能電池發(fā)展歷史,重點(diǎn)分析了p型PERC太陽(yáng)能電池制造關(guān)鍵工藝對(duì)電池性能的影響,對(duì)化學(xué)返刻調(diào)控選擇性發(fā)射極摻雜濃度分布和背面反射及疊層鈍化層的制備與調(diào)控進(jìn)行了詳盡分析。第3章n型鈍化發(fā)射極背面局部擴(kuò)散(PERL)和鈍化發(fā)射極背面整面擴(kuò)散(PERT)結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了n型PERL和PERT結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展現(xiàn)狀,進(jìn)行了PERT結(jié)構(gòu)n型太陽(yáng)能電池器件模擬及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),重點(diǎn)分析了n型太陽(yáng)能電池復(fù)合模型和電池電阻分析模型,對(duì)PERT結(jié)構(gòu)n型電池工藝開(kāi)展了詳細(xì)的研究,包括絨面制備技術(shù)、關(guān)鍵金屬化工藝、p型及n型摻雜等,很后對(duì)電池的制備和性能進(jìn)行了詳細(xì)的分析討論。第4章硅基異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)技術(shù)發(fā)展歷程、原理與結(jié)構(gòu)及SHJ太陽(yáng)能電池的制造工藝與關(guān)鍵技術(shù),對(duì)SHJ太陽(yáng)能電池發(fā)展進(jìn)行了展望。第5章n型隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了TOPCon太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展歷程,詳細(xì)分析了隧穿氧化層和多晶硅薄膜層對(duì)電池性能的影響。第6章背結(jié)背接觸(IBC)太陽(yáng)能電池技術(shù),介紹了IBC太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)特征和IBC太陽(yáng)能電池制造的關(guān)鍵工藝技術(shù),介紹了IBC太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展展望。 本書(shū)可供光伏行業(yè)的科研人員和工藝人員參考學(xué)習(xí),也可供各高等院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)師生參考學(xué)習(xí)。

高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù) 目錄

第1章緒論 1

1.1 引言 / 2

1.2 晶體硅太陽(yáng)能電池的理論基礎(chǔ) / 6

1.2.1 工作原理 / 6

1.2.2 參數(shù)的測(cè)量及計(jì)算 / 12

1.3 晶體硅太陽(yáng)能電池效率損失機(jī)制 / 15

1.3.1 光學(xué)損失 / 16

1.3.2 電學(xué)損失 / 17

1.4  界面鈍化結(jié)構(gòu) / 20

1.5 晶體硅太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵工藝進(jìn)展 / 24

1.5.1 拋光去損傷工藝 / 24

1.5.2 制絨工藝 / 25

1.5.3 擴(kuò)散工藝 / 27

1.5.4 鈍化技術(shù) / 28

1.5.5 介質(zhì)膜開(kāi)膜工藝 / 31

1.5.6 金屬化工藝 / 32

參考文獻(xiàn) / 33



第2章p型鈍化發(fā)射極及背面接觸(PERC)太陽(yáng)能電池技術(shù) 40

2.1 PERC太陽(yáng)能電池的發(fā)展歷程 / 41

2.2 p型PERC太陽(yáng)能電池制造關(guān)鍵工藝 / 43

2.2.1 選擇性發(fā)射極的制備 / 43

2.2.2 背面鈍化膜的結(jié)構(gòu)與制備 / 49

2.2.3 背面局域金屬接觸技術(shù) / 53

2.3 化學(xué)返刻調(diào)控選擇性發(fā)射極摻雜濃度分布研究 / 55

2.4 背面反射及疊層鈍化層研究 / 68

2.4.1 背面反射結(jié)構(gòu)研究 / 68

2.4.2 背面疊層鈍化膜的研究 / 73

2.5 背面局域接觸圖形研究 / 77

2.6 背面局部硼激光摻雜研究 / 86

2.7 p型多晶PERC太陽(yáng)能電池技術(shù) / 93

2.8 p型PERC雙面太陽(yáng)能電池技術(shù) / 100

2.9 p型PERC太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展展望 / 105

參考文獻(xiàn) / 105



第3章n型鈍化發(fā)射極背面局部擴(kuò)散(PERL)和鈍化發(fā)射極背面整面擴(kuò)散(PERT)結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池技術(shù) 111

3.1 n型PERL和PERT結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展歷程 / 112

3.2 PERT結(jié)構(gòu)n型太陽(yáng)能電池器件模擬及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) / 118

3.2.1 前表面絨面形貌的影響和減反膜系的設(shè)計(jì) / 118

3.2.2 太陽(yáng)能電池復(fù)合模型研究 / 121

3.2.3 n型太陽(yáng)能電池電阻分析模型研究 / 123

3.3 PERT結(jié)構(gòu)n型太陽(yáng)能電池工藝研究 / 129

3.3.1 絨面制備技術(shù)研究 / 129

3.3.2 關(guān)鍵金屬化工藝研究 / 138

3.3.3 p型及n型摻雜研究 / 140

3.4 太陽(yáng)能電池制備及性能分析 / 143

3.4.1 太陽(yáng)能電池制備與性能 / 143

3.4.2 太陽(yáng)能電池復(fù)合損失分析 / 145

3.4.3 太陽(yáng)能電池串聯(lián)電阻損失分析 / 146

3.4.4 太陽(yáng)能電池光學(xué)損失分析 / 147

3.5 n型PERL和PERT結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展展望 / 150

參考文獻(xiàn) / 151



第4章硅基異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)能電池技術(shù) 154

4.1 SHJ太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展歷程 / 155

4.2 SHJ太陽(yáng)能電池原理與結(jié)構(gòu) / 156

4.2.1 太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)基礎(chǔ) / 156

4.2.2 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)基礎(chǔ) / 158

4.2.3 SHJ太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)與原理 / 161

4.2.4 SHJ太陽(yáng)能電池中載流子輸運(yùn)機(jī)制 / 165

4.2.5 SHJ太陽(yáng)能電池特點(diǎn) / 167

4.3 SHJ太陽(yáng)能電池制造工藝與關(guān)鍵技術(shù) / 169

4.3.1 濕化學(xué)處理 / 169

4.3.2 非晶硅沉積 / 170

4.3.3  透明導(dǎo)電薄膜沉積 / 171

4.3.4 電極沉積 / 172

4.4 SHJ太陽(yáng)能電池性能分析 / 173

4.4.1 載流子壽命 / 173

4.4.2 短路電流 / 174

4.4.3 開(kāi)路電壓 / 175

4.4.4 填充因子 / 175

4.5 SHJ太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展展望 / 177

參考文獻(xiàn) / 177



第5章n型隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)太陽(yáng)能電池技術(shù) 181

5.1 鈍化接觸太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展歷程 / 182

5.2 隧穿氧化層的影響 / 185

5.2.1 SiO2層對(duì)鈍化及磷擴(kuò)散過(guò)程的影響 / 187

5.2.2 SiO2層對(duì)接觸電阻率的影響 / 192

5.3 多晶硅薄膜層的影響 / 193

5.3.1 多晶硅薄膜的制備研究 / 193

5.3.2 多晶硅薄膜層厚度對(duì)鈍化的影響 / 195

5.3.3 多晶硅薄膜的摻雜對(duì)鈍化接觸結(jié)構(gòu)的影響 / 197

5.4 鈍化接觸結(jié)構(gòu)光學(xué)特性 / 201

5.5 n型鈍化接觸太陽(yáng)能電池制備及性能研究 / 205

5.5.1 太陽(yáng)能電池的制備 / 205

5.5.2 太陽(yáng)能電池電性能分布與數(shù)據(jù)分析 / 214

5.5.3 太陽(yáng)能電池FCA分析 / 215

5.5.4 太陽(yáng)能電池復(fù)合電流分析 / 216

5.5.5 太陽(yáng)能電池的衰減測(cè)試 / 217

5.6 n型鈍化接觸太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展展望 / 219

參考文獻(xiàn) / 222



第6章背結(jié)背接觸(IBC)太陽(yáng)能電池技術(shù) 226

6.1 IBC太陽(yáng)能電池的發(fā)展歷程 / 228

6.2 IBC太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)特征 / 233

6.3 IBC太陽(yáng)能電池制造的關(guān)鍵工藝技術(shù) / 234

6.3.1 前表面陷光和鈍化技術(shù) / 235

6.3.2 背表面摻雜技術(shù) / 237

6.3.3 金屬化接觸和柵線(xiàn)技術(shù) / 239

6.4 IBC太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展展望 / 240

參考文獻(xiàn) / 240
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高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù) 作者簡(jiǎn)介

丁建寧,江蘇大學(xué),副校長(zhǎng),教授,主持863計(jì)劃、國(guó)家自然基金重點(diǎn)項(xiàng)目等課題30余項(xiàng),在Science、Advanced Materials等刊物上發(fā)表論文479篇,其中SCI收錄203篇,出版著作5部,授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利55件。

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