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寬禁帶半導(dǎo)體高頻及微波功率器件與電路 版權(quán)信息
- ISBN：9787118114546
- 條形碼：9787118114546 ; 978-7-118-11454-6
- 裝幀：簡裝本
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
寬禁帶半導(dǎo)體高頻及微波功率器件與電路 內(nèi)容簡介
本書將介紹新世紀(jì)十幾年來第三代半導(dǎo)體--寬禁帶半導(dǎo)體在固態(tài)高頻和微波領(lǐng)域的發(fā)展，形成了新一代電力電子器件和第五代固態(tài)微波器件的格局。同時介紹寬禁帶半導(dǎo)體高頻與微波功率器件與電路這一革命性的發(fā)展在雷達(dá)、通信和電子對抗等領(lǐng)域的應(yīng)用。
寬禁帶半導(dǎo)體高頻及微波功率器件與電路 目錄
第1章 緒論
1.1 電力電子器件的發(fā)展
1.1.1 Si電力電子器件的發(fā)展
1.1.2 寬禁帶電力電子器件的發(fā)展
1.1.3 我國電力電子器件的發(fā)展
1.2 固態(tài)微波器件的發(fā)展
1.2.1 Si和GaAs固態(tài)微波器件與電路的發(fā)展
1.2.2 SiC固態(tài)微波器件與電路發(fā)展
1.2.3 GaN固態(tài)微波器件與電路發(fā)展
1.3 固態(tài)器件在雷達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用
1.3.1 si、GaAs固態(tài)微波器件與固態(tài)有源相控陣?yán)走_(dá)
1.3.2 SiC、GaN固態(tài)微波器件與T／R模塊
1.3.3 siC、GaN高頻開關(guān)功率器件與開關(guān)功率源／固態(tài)脈沖調(diào)制源
參考文獻(xiàn)
第2章 寬禁帶半導(dǎo)體材料
2.1 氮化鎵和碳化硅晶體材料
2.1.1 GaN晶體性質(zhì)和制備
2.1.2 SiC晶體性質(zhì)和制備
2.2 碳化硅材料的同質(zhì)外延生長技術(shù)
2.2.1 SiC同質(zhì)外延生長方法
2.2.2 SiC CVD同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)
2.2.3 SiC外延層缺陷
2.3 氮化物材料的異質(zhì)外延生長技術(shù)
2.3.1 氮化物外延生長基本模式和外延襯底的選擇
2.3.2 用于氮化物異質(zhì)外延的金屬有機物化學(xué)氣相沉積技術(shù)
2.3.3 氮化物異質(zhì)外延生長中的幾個重要問題
2.4 寬禁帶半導(dǎo)體材料的表征方法
2.4.1 X射線衍射測試
2.4.2 原子力顯微鏡測量
2.4.3 光致發(fā)光譜測量
2.4.4 傅里葉變換紅外譜厚度測試
2.4.5 汞探針C—V法測量雜質(zhì)濃度分布
參考文獻(xiàn)
第3章 碳化硅高頻功率器件
3.1 SiC功率二極管
3.1.1 siC肖特基二極管
3.1.2 siC PIN二極管
3.1.3 SiC JBS二極管
3.1.4 siC二極管進展
3.1.5 siC二極管應(yīng)用
3.2 SiC MESFET
3.2.1 工作原理
3.2.2 SiC MESFET研究進展
3.2.3 SiC MESFET應(yīng)用
3.3 SiC MOSFET
3.3.1 工作原理
3.3.2 關(guān)鍵工藝
3.3.3 SiC MOSFET進展
3.3.4 SiC MOSFET應(yīng)用
3.4 siC JFET
1.1 電力電子器件的發(fā)展
1.1.1 Si電力電子器件的發(fā)展
1.1.2 寬禁帶電力電子器件的發(fā)展
1.1.3 我國電力電子器件的發(fā)展
1.2 固態(tài)微波器件的發(fā)展
1.2.1 Si和GaAs固態(tài)微波器件與電路的發(fā)展
1.2.2 SiC固態(tài)微波器件與電路發(fā)展
1.2.3 GaN固態(tài)微波器件與電路發(fā)展
1.3 固態(tài)器件在雷達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用
1.3.1 si、GaAs固態(tài)微波器件與固態(tài)有源相控陣?yán)走_(dá)
1.3.2 SiC、GaN固態(tài)微波器件與T／R模塊
1.3.3 siC、GaN高頻開關(guān)功率器件與開關(guān)功率源／固態(tài)脈沖調(diào)制源
參考文獻(xiàn)
第2章 寬禁帶半導(dǎo)體材料
2.1 氮化鎵和碳化硅晶體材料
2.1.1 GaN晶體性質(zhì)和制備
2.1.2 SiC晶體性質(zhì)和制備
2.2 碳化硅材料的同質(zhì)外延生長技術(shù)
2.2.1 SiC同質(zhì)外延生長方法
2.2.2 SiC CVD同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)
2.2.3 SiC外延層缺陷
2.3 氮化物材料的異質(zhì)外延生長技術(shù)
2.3.1 氮化物外延生長基本模式和外延襯底的選擇
2.3.2 用于氮化物異質(zhì)外延的金屬有機物化學(xué)氣相沉積技術(shù)
2.3.3 氮化物異質(zhì)外延生長中的幾個重要問題
2.4 寬禁帶半導(dǎo)體材料的表征方法
2.4.1 X射線衍射測試
2.4.2 原子力顯微鏡測量
2.4.3 光致發(fā)光譜測量
2.4.4 傅里葉變換紅外譜厚度測試
2.4.5 汞探針C—V法測量雜質(zhì)濃度分布
參考文獻(xiàn)
第3章 碳化硅高頻功率器件
3.1 SiC功率二極管
3.1.1 siC肖特基二極管
3.1.2 siC PIN二極管
3.1.3 SiC JBS二極管
3.1.4 siC二極管進展
3.1.5 siC二極管應(yīng)用
3.2 SiC MESFET
3.2.1 工作原理
3.2.2 SiC MESFET研究進展
3.2.3 SiC MESFET應(yīng)用
3.3 SiC MOSFET
3.3.1 工作原理
3.3.2 關(guān)鍵工藝
3.3.3 SiC MOSFET進展
3.3.4 SiC MOSFET應(yīng)用
3.4 siC JFET
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寬禁帶半導(dǎo)體高頻及微波功率器件與電路 作者簡介
趙正平，江蘇揚州人，研究員級高工，1970年畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子學(xué)系，1982年獲南京工學(xué)院電子工程系半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)工學(xué)碩士學(xué)位。1982年至2002年在電子工業(yè)部第十三研究所工作，歷任課題組長、研究室主任、主管科研副所長和所長，2002年后參于組建中國電子科技集團公司，歷任黨組成員兼總經(jīng)理助理和黨組成員兼副總經(jīng)理。現(xiàn)任中國電子科技集團公司集團科技委副主任．中國航空工業(yè)集團公司外部董事，河北工業(yè)大學(xué)微電子專業(yè)博導(dǎo)。常期從事砷化鎵功率器件與集成電路。微米、鈉米技術(shù)和寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的開創(chuàng)性研究。在國內(nèi)首次突破GaAs功率器件，功率MMIC．星用固態(tài)放大器和GaNHEMT功率器件等關(guān)鍵技術(shù)，獲國家科技進步獎二、三等獎各1次，部科技進步獎一、二、三等獎8次。歷任國家“863”信息領(lǐng)域?qū)＜摇馈?73”首席專家和“核高基”國家重大專項專家，1993年獲得政府特貼專家稱號，1994年獲國家中青年專家稱號。
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