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電子技術(shù)基礎(chǔ) 模擬部分(第六版)(本科教材) 版權(quán)信息
- ISBN：9787040384802
- 條形碼：9787040384802 ; 978-7-04-038480-2
- 裝幀：簡裝本
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
電子技術(shù)基礎(chǔ) 模擬部分(第六版)(本科教材) 本書特色
《電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分（第6版）》為“十二五”普通高等教育本科國家級規(guī)劃教材，上一版為普通高等教育“十五”國家級規(guī)劃教材，第四版為面向21世紀課程教材，榮獲2002年全國普通高等學(xué)校教材一等獎。
為適應(yīng)MOSFET器件在電子產(chǎn)品中已占統(tǒng)治地位這一發(fā)展形勢，新版教材大力加強了MOSFET的相關(guān)內(nèi)容。
《電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分（第6版）》共11章，分別是：緒論，運算放大器，二極管及其基本電路，場效應(yīng)三極管及其放大電路，雙極結(jié)型三極管及其放大電路，頻率響應(yīng)，模擬集成電路，反饋放大電路，功率放大電路，信號處理與信號產(chǎn)生電路，直流穩(wěn)壓電源，電子電路的計算機輔助分析與設(shè)計。附錄包含PSpice/SPICE軟件簡介、電路理論簡明復(fù)習(xí)、電阻的彩色編碼和標稱阻值。
《電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分（第6版）》可作為高等學(xué)校電氣類、電子信息類、自動化類等專業(yè)“模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)”課程的教材，也可供相關(guān)工程技術(shù)人員參考。
電子技術(shù)基礎(chǔ) 模擬部分(第六版)(本科教材) 內(nèi)容簡介
《電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分（第6版）》為“十二五”普通高等教育本科國家級規(guī)劃教材，上一版為普通高等教育“十五”國家級規(guī)劃教材，第四版為面向21世紀課程教材，榮獲2002年全國普通高等學(xué)校教材一等獎。 為適應(yīng)MOSFET器件在電子產(chǎn)品中已占統(tǒng)治地位這一發(fā)展形勢，新版教材大力加強了MOSFET的相關(guān)內(nèi)容。 《電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分（第6版）》共11章，分別是：緒論，運算放大器，二極管及其基本電路，場效應(yīng)三極管及其放大電路，雙極結(jié)型三極管及其放大電路，頻率響應(yīng)，模擬集成電路，反饋放大電路，功率放大電路，信號處理與信號產(chǎn)生電路，直流穩(wěn)壓電源，電子電路的計算機輔助分析與設(shè)計。附錄包含PSpice/SPICE軟件簡介、電路理論簡明復(fù)習(xí)、電阻的彩色編碼和標稱阻值。 《電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分（第6版）》可作為高等學(xué)校電氣類、電子信息類、自動化類等專業(yè)“模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)”課程的教材，也可供相關(guān)工程技術(shù)人員參考。
電子技術(shù)基礎(chǔ) 模擬部分(第六版)(本科教材) 目錄
1 緒論
1．1 信號
1．2 信號的頻譜
1．3 模擬信號和數(shù)字信號
1．4 放大電路模型
1．5 放大電路的主要性能指標
小結(jié)
習(xí)題
2 運算放大器
2．1 集成電路運算放大器
2．2 理想運算放大器
2．3 基本線性運放電路
2．3．1 同相放大電路
2．3．2 反相放大電路
2．4 同相輸入和反相輸入放大電路的其他應(yīng)用
2．4．1 求差電路
2．4．2 儀用放大器
2．4．3 求和電路
2．4．4 積分電路和微分電路
2．5 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
3 二極管及其基本電路
3．1 半導(dǎo)體的基本知識
3．1．1 半導(dǎo)體材料
3．1．2 半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)
3．1．3 本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用
3．1．4 雜質(zhì)半導(dǎo)體
3．2 PN結(jié)的形成及特性
3．2．1 載流子的漂移與擴散
3．2．2 PN結(jié)的形成
3．2．3 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?
3．2．4 PN結(jié)的反向擊穿
3．2．5 PN結(jié)的電容效應(yīng)
3．3 二極管
3．3．1 二極管的結(jié)構(gòu)
3．3．2 二極管的Ⅰ-Ⅴ特性
3．3．3 二極管的主要參數(shù)
3．4 二極管的基本電路及其分析方法
3．4．1 簡單二極管電路的圖解分析方法
3．4．2 二極管電路的簡化模型分析方法
3．5 特殊二極管
3．5．1 齊納二極管
3．5．2 變?nèi)荻䴓O管
3．5．3 肖特基二極管
3．5．4 光電器件
3．6 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
4 場效應(yīng)三極管及其放大電路
4．1 金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)三極管
4．1．1 N溝道增強型MOSFET
4．1．2 N溝道耗盡型MOSFET
4．1．3 P溝道MOSFET
4．1．4 溝道長度調(diào)制等幾種效應(yīng)
4．1．5 MOSFET的主要參數(shù)
4．2 MOSFET基本共源極放大電路
4．2．1 基本共源極放大電路的組成
4．2．2 基本共源極放大電路的工作原理
4．2．3 放大電路的習(xí)慣畫法和主要分析法
4．3 圖解分析法
4．3．1 用圖解方法確定靜態(tài)工作點Q
4．3．2 動態(tài)工作情況的圖解分析
4．3．3 圖解分析法的適用范圍
4．4 小信號模型分析法
4．4．1 MOSFET的小信號模型
4．4．2 用小信號模型分析共源極放大電路
4．4．3 帶源極電阻的共源極放大電路的分析
4．4．4 小信號模型分析法的適用范圍
4．5 共漏極和共柵極放大電路
4．5．1 共漏極（源極跟隨器）放大電路
4．5．2 共柵極放大電路
4．5．3 MOSFET放大電路三種組態(tài)的總結(jié)和比較
4．6 集成電路單級MOSF'ET放大電路
4．6．1 帶增強型負載管的NMOS放大電路
4．6．2 帶耗盡型負載管的NMOS放大電路
4．6．3 帶PMOS負載管的NMOS放大電路（CMOS共源極放大電路）
4．7 多級放大電路
4．7．1 共源-共漏放大電路
4．7．2 共源-共柵放大電路
4．8 結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）及其放大電路
4．8．1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
4．8．2 JFET的特性曲線及參數(shù)
4．8．3 JFET放大電路的小信號模型分析法
4．9 砷化鎵金屬一半導(dǎo)體場效應(yīng)管
4．10 各種FET的特性及使用注意事項
4．11 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
5 雙極結(jié)型三極管（BJT）及其放大電路
5．1 BJT
5．1．1 BJT的結(jié)構(gòu)簡介
5．1．2 放大狀態(tài)下BJT的工作原理
5．1．3 BJT的Ⅰ-Ⅴ特性曲線
5．1．4 BJT的主要參數(shù)
5．1．5 溫度對BJT參數(shù)及特性的影響
5．2 基本共射極放大電路
5．2．1 基本共射極放大電路的組成
5．2．2 基本共射極放大電路的工作原理
5．3 BJT放大電路的分析方法
5．3．1 BJT放大電路的圖解分析法
5．3．2 BJT放大電路的小信號模型分析法
5．4 BJT放大電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定問題
5．4．1 溫度對靜態(tài)工作點的影響
5．4．2 射極偏置電路
5．5 共集電極放大電路和共基極放大電路
5．5．1 共集電極放大電路
5．5．2 共基極放大電路
5．5．3 BJT放大電路三種組態(tài)的比較
5．6 FET和BJT及其基本放大電路性能的比較
5．6．1 FET和BJT重要特性的比較
5．6．2 FET和BJT放大電路性能的比較
5．7 多級放大電路
5．7．1 共射-共基放大電路
5．7．2 共集-共集放大電路
5．7．3 共源-共基放大電路
5．8 光電三極管
5．9 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
6 頻率響應(yīng)
6．1 放大電路的頻率響應(yīng)
6．2 單時間常數(shù)RC電路的頻率響應(yīng)
6．2．1 RC高通電路的頻率響應(yīng)
6．2．2 RC低通電路的頻率響應(yīng)
6．3 共源和共射放大電路的低頻響應(yīng)
6．3．1 共源放大電路的低頻響應(yīng)
6．3．2 共射放大電路的低頻響應(yīng)
6．4 共源和共射放大電路的高頻響應(yīng)
6．4．1 MOS管的高頻小信號模型及單位增益頻率
6．4．2 共源放大電路的高頻響應(yīng)
6．4．3 BJT的高頻小信號模型及頻率參數(shù)
6．4．4 共射放大電路的高頻響應(yīng)
6．5 共柵和共基、共漏和共集放大電路的高頻響應(yīng)
6．5．1 共柵和共基放大電路的高頻響應(yīng)
6．5．2 共漏和共集放大電路的高頻響應(yīng)
6．6 擴展放大電路通頻帶的方法
6．6．1 共源-共基電路
6．6．2 共集-共射電路
6．7 多級放大電路的頻率響應(yīng)
6．8 單級放大電路的瞬態(tài)響應(yīng)
6．9 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
7 模擬集成電路
7．1 模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)
7．1．1 FET電流源電路
7．1．2 BJT電流源電路
7．2 差分式放大電路
7．2．1 差分式放大電路的一般結(jié)構(gòu)
7．2．2 FET差分式放大電路
7．2．3 BJT差分式放大電路
7．3 差分式放大電路的傳輸特性
7．3．1 MOSFET差分式放大電路的傳輸特性
7．3．2 BJT差分式放大電路的傳輸特性
7．4 帶有源負載的差分式放大電路
7．4．1 帶有源負載的源極耦合CMOS差分式放大電路
7．4．2 帶有源負載的BJT射極耦合差分式放大電路
7．5 集成運算放大器
7．5．1 CMOSMC14573集成運算放大器
7．5．2 BJT型LM741集成運算放大器
7．5．3 BiJFET型集成運算放大器LF356
7．6 實際集成運算放大器的主要參數(shù)和對應(yīng)用電路的影響
7．6．1 實際集成運放的主要參數(shù)
7．6．2 集成運放應(yīng)用中的實際問題
7．7 變跨導(dǎo)式模擬乘法器
7．7．1 變跨導(dǎo)式模擬乘法器的工作原理
7．7．2 模擬乘法器的應(yīng)用
7．8 放大電路中的噪聲與干擾
7．8．1 放大電路中的噪聲
7．8．2 放大電路中的干擾
7．8．3 低噪聲放大電路舉例
7．9 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
8 反饋放大電路
8．1 反饋的基本概念與分類
8．1．1 什么是反饋
8．1．2 直流反饋與交流反饋
8．1．3 正反饋與負反饋
8．1．4 串聯(lián)反饋與并聯(lián)反饋
8．1．5 電壓反饋與電流反饋
8．1．6 負反饋放大電路的四種組態(tài)
8．2 負反饋放大電路增益的一般表達式
8．3 負反饋對放大電路性能的影響
8．3．1 提高增益的穩(wěn)定性
8．3．2 減小非線性失真
8．3．3 抑制反饋環(huán)內(nèi)噪聲
8．3．4 對輸入電阻和輸出電阻的影響
8．3．5 擴展帶寬
8．4 深度負反饋條件下的近似計算
8．5 負反饋放大電路設(shè)計
8．5．1 設(shè)計負反饋放大電路的一般步驟
8．5．2 設(shè)計舉例
8．6 負反饋放大電路的穩(wěn)定性
8．6．1 負反饋放大電路的自激振蕩及穩(wěn)定工作的條件
8．6．2 頻率補償
8．7 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
9 功率放大電路
9．1 功率放大電路的一般問題
9．2 射極輸出器——甲類放大的實例
9．3 乙類雙電源互補對稱功率放大電路
9．3．1 電路組成
9．3．2 分析計算
9．3．3 功率BJT的選擇
9．4 甲乙類互補對稱功率放大電路
9．4．1 甲乙類雙電源互補對稱電路
9．4．2 甲乙類單電源互補對稱電路
9．4．3 MOS管甲乙類雙電源互補對稱電路
9．5 功率管
9．5．1 功率器件的散熱與功率BJT的二次擊穿問題
9．5．2 功率VMOSFET和DMOSFET
9．6 集成功率放大器舉例
9．6．1 以MOS功率管作輸出級的集成功率放大器
9．6．2 BJT集成功率放大器舉例
9．7 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
10 信號處理與信號產(chǎn)生電路
10．1 濾波電路的基本概念與分類
10．2 一階有源濾波電路
10．3 高階有源濾波電路
10．3．1 有源低通濾波電路
10．3．2 有源高通濾波電路
10．3．3 有源帶通濾波電路
10．3．4 二階有源帶阻濾波電路
10．4 開關(guān)電容濾波器
10．5 正弦波振蕩電路的振蕩條件
10．6 RC正弦波振蕩電路
10．7 LC正弦波振蕩電路
10．7．1 LC選頻放大電路
10．7．2 變壓器反饋式LC振蕩電路
10．7．3 三點式LC振蕩電路
10．7．4 石英晶體振蕩電路
10．8 非正弦信號產(chǎn)生電路
10．8．1 電壓比較器
10．8．2 方波產(chǎn)生電路
10．8．3 鋸齒波產(chǎn)生電路
10．9 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
11 直流穩(wěn)壓電源
11．1 小功率整流濾波電路
11．1．1 單相橋式整流電路
11．1．2 濾波電路
11．1．3 倍壓整流電路
11．2 線性穩(wěn)壓電路
11．2．1 穩(wěn)壓電源的質(zhì)量指標
11．2．2 線性串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路的工作原理
11．2．3 三端線性集成穩(wěn)壓器
11．2．4 三端集成穩(wěn)壓器的應(yīng)用
11．3 開關(guān)式穩(wěn)壓電路
11．3．1 開關(guān)式穩(wěn)壓電路的工作原理
11．3．2 帶隔離變壓器的直流變換型電源
11．3．3 開關(guān)穩(wěn)壓電源的應(yīng)用舉例
11．4 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
12 電子電路的計算機輔助分析與設(shè)計
12．1 電子電路SPICE程序輔助分析
12．2 電子電路SPICE程序輔助設(shè)計
附錄A PSpice／SPICE軟件簡介
A．1 PSpiceA／D仿真功能簡介
A．2 Capture中的電路描述
A．3 Capture／PSpiceA／D集成環(huán)境
A．4 PSpiceA／D中的有關(guān)規(guī)定
附錄B 電路理論簡明復(fù)習(xí)
B．1 基爾霍夫電流、電壓定律
B．2 疊加原理
B．3 戴維寧定理和諾頓定理
B．3．1 戴維寧定理
B．3．2 諾頓定理
B．4 密勒定理
附錄C 電阻的彩色編碼和標稱阻值
參考文獻
索引（漢英對照）
部分習(xí)題答案
1．1 信號
1．2 信號的頻譜
1．3 模擬信號和數(shù)字信號
1．4 放大電路模型
1．5 放大電路的主要性能指標
小結(jié)
習(xí)題
2 運算放大器
2．1 集成電路運算放大器
2．2 理想運算放大器
2．3 基本線性運放電路
2．3．1 同相放大電路
2．3．2 反相放大電路
2．4 同相輸入和反相輸入放大電路的其他應(yīng)用
2．4．1 求差電路
2．4．2 儀用放大器
2．4．3 求和電路
2．4．4 積分電路和微分電路
2．5 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
3 二極管及其基本電路
3．1 半導(dǎo)體的基本知識
3．1．1 半導(dǎo)體材料
3．1．2 半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)
3．1．3 本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用
3．1．4 雜質(zhì)半導(dǎo)體
3．2 PN結(jié)的形成及特性
3．2．1 載流子的漂移與擴散
3．2．2 PN結(jié)的形成
3．2．3 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?
3．2．4 PN結(jié)的反向擊穿
3．2．5 PN結(jié)的電容效應(yīng)
3．3 二極管
3．3．1 二極管的結(jié)構(gòu)
3．3．2 二極管的Ⅰ-Ⅴ特性
3．3．3 二極管的主要參數(shù)
3．4 二極管的基本電路及其分析方法
3．4．1 簡單二極管電路的圖解分析方法
3．4．2 二極管電路的簡化模型分析方法
3．5 特殊二極管
3．5．1 齊納二極管
3．5．2 變?nèi)荻䴓O管
3．5．3 肖特基二極管
3．5．4 光電器件
3．6 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
4 場效應(yīng)三極管及其放大電路
4．1 金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)三極管
4．1．1 N溝道增強型MOSFET
4．1．2 N溝道耗盡型MOSFET
4．1．3 P溝道MOSFET
4．1．4 溝道長度調(diào)制等幾種效應(yīng)
4．1．5 MOSFET的主要參數(shù)
4．2 MOSFET基本共源極放大電路
4．2．1 基本共源極放大電路的組成
4．2．2 基本共源極放大電路的工作原理
4．2．3 放大電路的習(xí)慣畫法和主要分析法
4．3 圖解分析法
4．3．1 用圖解方法確定靜態(tài)工作點Q
4．3．2 動態(tài)工作情況的圖解分析
4．3．3 圖解分析法的適用范圍
4．4 小信號模型分析法
4．4．1 MOSFET的小信號模型
4．4．2 用小信號模型分析共源極放大電路
4．4．3 帶源極電阻的共源極放大電路的分析
4．4．4 小信號模型分析法的適用范圍
4．5 共漏極和共柵極放大電路
4．5．1 共漏極（源極跟隨器）放大電路
4．5．2 共柵極放大電路
4．5．3 MOSFET放大電路三種組態(tài)的總結(jié)和比較
4．6 集成電路單級MOSF'ET放大電路
4．6．1 帶增強型負載管的NMOS放大電路
4．6．2 帶耗盡型負載管的NMOS放大電路
4．6．3 帶PMOS負載管的NMOS放大電路（CMOS共源極放大電路）
4．7 多級放大電路
4．7．1 共源-共漏放大電路
4．7．2 共源-共柵放大電路
4．8 結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）及其放大電路
4．8．1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
4．8．2 JFET的特性曲線及參數(shù)
4．8．3 JFET放大電路的小信號模型分析法
4．9 砷化鎵金屬一半導(dǎo)體場效應(yīng)管
4．10 各種FET的特性及使用注意事項
4．11 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
5 雙極結(jié)型三極管（BJT）及其放大電路
5．1 BJT
5．1．1 BJT的結(jié)構(gòu)簡介
5．1．2 放大狀態(tài)下BJT的工作原理
5．1．3 BJT的Ⅰ-Ⅴ特性曲線
5．1．4 BJT的主要參數(shù)
5．1．5 溫度對BJT參數(shù)及特性的影響
5．2 基本共射極放大電路
5．2．1 基本共射極放大電路的組成
5．2．2 基本共射極放大電路的工作原理
5．3 BJT放大電路的分析方法
5．3．1 BJT放大電路的圖解分析法
5．3．2 BJT放大電路的小信號模型分析法
5．4 BJT放大電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定問題
5．4．1 溫度對靜態(tài)工作點的影響
5．4．2 射極偏置電路
5．5 共集電極放大電路和共基極放大電路
5．5．1 共集電極放大電路
5．5．2 共基極放大電路
5．5．3 BJT放大電路三種組態(tài)的比較
5．6 FET和BJT及其基本放大電路性能的比較
5．6．1 FET和BJT重要特性的比較
5．6．2 FET和BJT放大電路性能的比較
5．7 多級放大電路
5．7．1 共射-共基放大電路
5．7．2 共集-共集放大電路
5．7．3 共源-共基放大電路
5．8 光電三極管
5．9 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
6 頻率響應(yīng)
6．1 放大電路的頻率響應(yīng)
6．2 單時間常數(shù)RC電路的頻率響應(yīng)
6．2．1 RC高通電路的頻率響應(yīng)
6．2．2 RC低通電路的頻率響應(yīng)
6．3 共源和共射放大電路的低頻響應(yīng)
6．3．1 共源放大電路的低頻響應(yīng)
6．3．2 共射放大電路的低頻響應(yīng)
6．4 共源和共射放大電路的高頻響應(yīng)
6．4．1 MOS管的高頻小信號模型及單位增益頻率
6．4．2 共源放大電路的高頻響應(yīng)
6．4．3 BJT的高頻小信號模型及頻率參數(shù)
6．4．4 共射放大電路的高頻響應(yīng)
6．5 共柵和共基、共漏和共集放大電路的高頻響應(yīng)
6．5．1 共柵和共基放大電路的高頻響應(yīng)
6．5．2 共漏和共集放大電路的高頻響應(yīng)
6．6 擴展放大電路通頻帶的方法
6．6．1 共源-共基電路
6．6．2 共集-共射電路
6．7 多級放大電路的頻率響應(yīng)
6．8 單級放大電路的瞬態(tài)響應(yīng)
6．9 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
7 模擬集成電路
7．1 模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)
7．1．1 FET電流源電路
7．1．2 BJT電流源電路
7．2 差分式放大電路
7．2．1 差分式放大電路的一般結(jié)構(gòu)
7．2．2 FET差分式放大電路
7．2．3 BJT差分式放大電路
7．3 差分式放大電路的傳輸特性
7．3．1 MOSFET差分式放大電路的傳輸特性
7．3．2 BJT差分式放大電路的傳輸特性
7．4 帶有源負載的差分式放大電路
7．4．1 帶有源負載的源極耦合CMOS差分式放大電路
7．4．2 帶有源負載的BJT射極耦合差分式放大電路
7．5 集成運算放大器
7．5．1 CMOSMC14573集成運算放大器
7．5．2 BJT型LM741集成運算放大器
7．5．3 BiJFET型集成運算放大器LF356
7．6 實際集成運算放大器的主要參數(shù)和對應(yīng)用電路的影響
7．6．1 實際集成運放的主要參數(shù)
7．6．2 集成運放應(yīng)用中的實際問題
7．7 變跨導(dǎo)式模擬乘法器
7．7．1 變跨導(dǎo)式模擬乘法器的工作原理
7．7．2 模擬乘法器的應(yīng)用
7．8 放大電路中的噪聲與干擾
7．8．1 放大電路中的噪聲
7．8．2 放大電路中的干擾
7．8．3 低噪聲放大電路舉例
7．9 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
8 反饋放大電路
8．1 反饋的基本概念與分類
8．1．1 什么是反饋
8．1．2 直流反饋與交流反饋
8．1．3 正反饋與負反饋
8．1．4 串聯(lián)反饋與并聯(lián)反饋
8．1．5 電壓反饋與電流反饋
8．1．6 負反饋放大電路的四種組態(tài)
8．2 負反饋放大電路增益的一般表達式
8．3 負反饋對放大電路性能的影響
8．3．1 提高增益的穩(wěn)定性
8．3．2 減小非線性失真
8．3．3 抑制反饋環(huán)內(nèi)噪聲
8．3．4 對輸入電阻和輸出電阻的影響
8．3．5 擴展帶寬
8．4 深度負反饋條件下的近似計算
8．5 負反饋放大電路設(shè)計
8．5．1 設(shè)計負反饋放大電路的一般步驟
8．5．2 設(shè)計舉例
8．6 負反饋放大電路的穩(wěn)定性
8．6．1 負反饋放大電路的自激振蕩及穩(wěn)定工作的條件
8．6．2 頻率補償
8．7 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
9 功率放大電路
9．1 功率放大電路的一般問題
9．2 射極輸出器——甲類放大的實例
9．3 乙類雙電源互補對稱功率放大電路
9．3．1 電路組成
9．3．2 分析計算
9．3．3 功率BJT的選擇
9．4 甲乙類互補對稱功率放大電路
9．4．1 甲乙類雙電源互補對稱電路
9．4．2 甲乙類單電源互補對稱電路
9．4．3 MOS管甲乙類雙電源互補對稱電路
9．5 功率管
9．5．1 功率器件的散熱與功率BJT的二次擊穿問題
9．5．2 功率VMOSFET和DMOSFET
9．6 集成功率放大器舉例
9．6．1 以MOS功率管作輸出級的集成功率放大器
9．6．2 BJT集成功率放大器舉例
9．7 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
10 信號處理與信號產(chǎn)生電路
10．1 濾波電路的基本概念與分類
10．2 一階有源濾波電路
10．3 高階有源濾波電路
10．3．1 有源低通濾波電路
10．3．2 有源高通濾波電路
10．3．3 有源帶通濾波電路
10．3．4 二階有源帶阻濾波電路
10．4 開關(guān)電容濾波器
10．5 正弦波振蕩電路的振蕩條件
10．6 RC正弦波振蕩電路
10．7 LC正弦波振蕩電路
10．7．1 LC選頻放大電路
10．7．2 變壓器反饋式LC振蕩電路
10．7．3 三點式LC振蕩電路
10．7．4 石英晶體振蕩電路
10．8 非正弦信號產(chǎn)生電路
10．8．1 電壓比較器
10．8．2 方波產(chǎn)生電路
10．8．3 鋸齒波產(chǎn)生電路
10．9 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
11 直流穩(wěn)壓電源
11．1 小功率整流濾波電路
11．1．1 單相橋式整流電路
11．1．2 濾波電路
11．1．3 倍壓整流電路
11．2 線性穩(wěn)壓電路
11．2．1 穩(wěn)壓電源的質(zhì)量指標
11．2．2 線性串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路的工作原理
11．2．3 三端線性集成穩(wěn)壓器
11．2．4 三端集成穩(wěn)壓器的應(yīng)用
11．3 開關(guān)式穩(wěn)壓電路
11．3．1 開關(guān)式穩(wěn)壓電路的工作原理
11．3．2 帶隔離變壓器的直流變換型電源
11．3．3 開關(guān)穩(wěn)壓電源的應(yīng)用舉例
11．4 SPICE仿真例題
小結(jié)
習(xí)題
12 電子電路的計算機輔助分析與設(shè)計
12．1 電子電路SPICE程序輔助分析
12．2 電子電路SPICE程序輔助設(shè)計
附錄A PSpice／SPICE軟件簡介
A．1 PSpiceA／D仿真功能簡介
A．2 Capture中的電路描述
A．3 Capture／PSpiceA／D集成環(huán)境
A．4 PSpiceA／D中的有關(guān)規(guī)定
附錄B 電路理論簡明復(fù)習(xí)
B．1 基爾霍夫電流、電壓定律
B．2 疊加原理
B．3 戴維寧定理和諾頓定理
B．3．1 戴維寧定理
B．3．2 諾頓定理
B．4 密勒定理
附錄C 電阻的彩色編碼和標稱阻值
參考文獻
索引（漢英對照）
部分習(xí)題答案
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電子技術(shù)基礎(chǔ) 模擬部分(第六版)(本科教材) 作者簡介
康華光，1925年8月出生于湖南衡山，現(xiàn)為華中科技大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師。長期從事電子技術(shù)教學(xué)與生物醫(yī)學(xué)工程研究。康華光教授1951年畢業(yè)于武漢大學(xué)電機工程學(xué)系并留校任教。1953年院系調(diào)整到華中科技大學(xué)（原華中工學(xué)院）工作至今。現(xiàn)任中國電子學(xué)會生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)分會委員。曾任國家教委高校工科電工課程教學(xué)指導(dǎo)委員會副主任兼電子技術(shù)課程教學(xué)指導(dǎo)小組組長。由康華光主編的《電子技術(shù)基礎(chǔ)》（模擬、數(shù)字部分）；第1、2、3、4版（高等教育出版社，1979、1982、1988、1999年）曾先后于1988、1992、1996、2002年榮獲四次獎勵，含教材獎、教材特等獎、科技進步二等獎和教材一等獎。主持研究的“優(yōu)化電子技術(shù)基礎(chǔ)課程建設(shè)”項目獲1989年教學(xué)研究成果獎。在科研方面，康華光教授主要從事交叉學(xué)科的研究，如生物醫(yī)學(xué)信息的檢測與分析以及細胞電生理研究。建立了國內(nèi)個具有國際先進水平的細胞信使實驗室。主持了多項科研課題，開展國內(nèi)、國際交流與合作，成績卓著。培養(yǎng)了博士、碩士生40余名。發(fā)表了多篇學(xué)術(shù)論文和專著《膜片鉗技術(shù)及其應(yīng)用》（科學(xué)出版社，2002年）。
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