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半導體異質結物理(第二版) 版權信息
- ISBN：9787030168849
- 條形碼：9787030168849 ; 978-7-03-016884-9
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體異質結物理(第二版) 內容簡介
虞麗生編著的《半導體異質結物理》總結了國內外半導體異質結方面的研究成果，較系統地介紹了半導體異質結的基本物理原理和特性。本書共分10章，內容有半導體異質結材料特性、能帶圖、伏安特性、異質結晶體管、二維電子氣及調制摻雜器件、異質結中非平衡載流子特性、半導體異質結激光器、半導體異質結的光電特性、氮化鎵異質結、超晶格和多量子阱。 本書可供已學過半導體物理的高年級本科生、研究生及相關人員閱讀。
半導體異質結物理(第二版) 目錄
第二版前言
**版前言
第1章 序言
參考文獻
第2章 半導體異質結的組成與生長
2.1 材料的一般特性
2.1.1 晶格結構
2.1.2 能帶結構
2.1.3 有效質量和等效態密度
2.2 異質結界面的晶格失配
2.3 異質結的生長
2.3.1 液相外延法(LPE)
2.3.2 金屬有機化學氣相沉積法(M0cvD)
2.3.3 分子束外延(MBE)
思考題
參考文獻
第3章 半導體異質結的能帶圖
3.1 理想突變異質結的能帶圖
3.1.1 異型異質結——Anderson模型
3.1.2 同型異質結
3.1.3 對pN異質結的修正
3.2 異質結的能帶帶階
3.2.1 Anderson定則及有關爭議
3.2.2 測量能帶帶階的方法
3.3 有界面態的突變異質結能帶圖
3.3.1 界面態密度較小
3.3.2 界面態密度較大
3.3.3 界面態密度很大
3.4 漸變異質結的能帶圖
思考題
參考文獻
第4章 半導體異質結的伏安特性和異質結晶體管
4.1 異質結的注入比
4.2 異質結中的超注入現象
4.3 理想突變異質結的伏安特性
4.3.1 pN異質結
4.3.2 nN異質結
4.4 有界面態的異質結的伏安特性
4.4.1 熱電子發射和多階隧道的并聯模型
4.4.2 界面能級的電離對伏安特性的影響
4.4.3 空間電荷區的復合電流
4.4.4 完全經由界面態的復合電流
4.4.5 表面復合對伏安特性的影響
4.5 伏安特性的微商研究法
4.6 異質結雙極晶體管
4.6.1 理論分析
4.6.2 異質結雙極晶體管的制備
4.7 GezSi-x／Si異質結器件
4.7.1 GexSi-／Si異質結的基本特性
4.7.2 遷移率和輸運特性
4.7.3 GexSi-x／Si雙極晶體管和場效應晶體管
思考題
參考文獻
第5章 半導體異質結構中的二維電子氣及調制摻雜器件
5.1 方形勢阱中粒子運動的特性
5.1.1 一維方形勢阱
5.1.2 方形溝道勢阱中的粒子
5.2 異質結量子勢阱中的二維電子氣
5.2.1 方形勢阱的簡單分析
5.2.2 異質結界面的量子阱
5.2.3 勢阱中的面電子密度
5.2.4 界面組分漸變對勢阱的影響
5.3 二維電子氣的輸運
5.3.1 二維弛豫時間近似
5.3.2 二維電子氣的散射
5.4 調制摻雜結構和場效應晶體管
5.5 強磁場中的二維電子氣
5.5.1 磁量子效應和磁阻振蕩
5.5.2 二維電子氣的朗道能級
5.5.3 量子霍爾效應
思考題
參考文獻
第6章 半導體異質結中的非平衡載流子
6.1 過剩載流子的特性
6.1.1 準費米能級
6.1.2 過剩載流子的壽命
6.1.3 過剩載流子的擴散
6.2 異質結中的過剩載流子
6.3 異質結中過剩載流子壽命的測量
6.3.1 熒光脈沖衰減法
6.3.2 反向電壓恢復法
6.3.3 激光延遲法
6.3.4 光電流法
6.4 熱載流子的一般特性
6.4.1 電子溫度和分布函數
6.4.2 熱載流子的漂移和擴散
6.4.3 載流子在能谷之間的轉移
6.5 研究熱載流子特性的實驗方法
6.5.1 遷移率測量
6.5.2 光熒光譜測量
6.5.3 吸收光譜測量
6.5.4 拉曼散射測量
6.5.5 隧道效應測量
6.5.6 時間分辨光譜的測量
6.6 異質結中的熱電子行為
6.6.1 異質結中熱電子的光熒光譜
6.6.2 異質結中電子遷移率隨電場的變化
6.6.3 異質結中熱載流子的遠紅外發射
6.6.4 異質結中熱載流子的弛豫
6.6.5 異質結中熱電子的實際空間轉移
6.7 幾種實空間轉移器件
6.7.1 負阻振蕩器
6.7.2 負阻場效應晶體管(NERFET)
6.7.3 電荷注人晶體管(CHINT)
思考題
參考文獻
第7章 半導體異質結激光器及光波導
7.1 半導體受激光發射的基本原理
7.1.1 半導體中光的吸收、自發輻射和受激輻射
7.1.2 半導體中受激光發射的必要條件
7.1.3 半導體的吸收譜和增益譜
7.1.4 異質結對電流的限制作用
7.2 半導體激光器的閾值條件
7.2.1 閾值增益
7.2.2 半導體激光器的縱模
7.3 增益和電流的關系，量子效率和增益因子
7.4 半導體異質結激光器的橫模
7.4.1 半導體異質結光波導效應的理論分析
7.4.2 半導體激光器的條形結構
7.5 半導體激光器增益譜的測量
7.6 半導體異質結光波導
7 6.1 脊形光波導
7.6.2 組分無序化光波導
7.6.3 光彈光波導
思考題
參考文獻
第8章 半導體異質結的光電特性
8.1 異質結的光伏特性和光電流
8.2 鍵合異質結的光電流
8.3 用光電導方法測量AlGaN／GaN異質結中Al的組分
8.4 用光反射測量A1GaN及AlGaN／GaN異質結中Al的組分
8.5 用光電流方法測量金屬和GaN及AlGaN／GaN異質結構肖特基勢壘的高度
8.6 異質結光電晶體管
思考題
參考文獻
第9章 氮化鎵材料及其異質結特性
9.1 氮化鎵的基本物理特性
9.2 金屬和GaN及AlGaN／GaN的肖特基接觸
9.2.1 基本特性
9.2.2 金屬／GaN肖特基勢壘中電子的輸運機制
9.2.3 金屬和A1CaN／GaN結構的肖特基結
9.3 金屬在AlGaN上的肖特基結勢壘高度和Al組分的關系
9.4 p型GaN材料的特殊情況
9.4.1 空穴濃度
9.4.2 金屬在p-GaN上的肖特基接觸
9.5 AlGaN／GaN和InGaN／GaN的自發極化和壓電極化
9.5.1 壓電效應的由來及其對器件的影響
9.5.2 壓電效應引起的量子限制斯塔克(QCSE)效應
9.6 InGaN／GaN量子阱發光管和激光器中發光均勻性和光譜特性
9.6.1 InGaN／GaN量子阱發光的不均勻性
9.6.2 光譜特性
9.7 GaN的電子器件
思考題
參考文獻
第10章 半導體超晶格和多量子阱
10.1 超晶格和多量子阱的一般描述
10.2 超晶格的能帶
10.2.1 GaAs—Alz Ga1-xAs超晶格
10.2.2 InAs-GaSb超晶格
10.2.3 HgTe-CdTe超晶格
10.2.4 應變層超晶格
10.2.5 Iv-VI族和II-V族超晶格
10.2.6 摻雜超晶格
10.3 垂直于超晶格方向的電子輸運
10.4 超晶格的光譜特性
10.4.1 吸收光譜實驗
10.4.2 激子光譜
10.4.3 激子的飽和吸收
10.4.4 室溫熒光特性
10.4.5 其他光譜特性
10.5 超晶格和量子阱器件
10.5.1 量子阱激光器
10.5.2 光學雙穩態器件
10.6 量子阱和超晶格的近期進展
10.6.1 量子限制斯塔克效應(QCSE)
10.6.2 超晶格子能帶的電學研究
10.6.3 量子阱超晶格光電接收器
10.6.4 Wannier-Stark效應
10.6.5 超晶格紅外級聯激光器
10.6.6 超晶格中的布洛赫振蕩
思考題
參考文獻
部分參考答案
常用物理常數表
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