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半導(dǎo)體工藝與測(cè)試實(shí)驗(yàn) 版權(quán)信息
- ISBN：9787030436467
- 條形碼：9787030436467 ; 978-7-03-043646-7
- 裝幀：暫無
- 冊(cè)數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導(dǎo)體工藝與測(cè)試實(shí)驗(yàn) 本書特色
本書內(nèi)容包括半導(dǎo)體工藝的6個(gè)主要單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體材料特性表征與器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)、工藝和器件特性仿真實(shí)驗(yàn)，并通過綜合流程實(shí)驗(yàn)整合各單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)知識(shí)和技能，著重培養(yǎng)學(xué)生的半導(dǎo)體器件的綜合設(shè)計(jì)能力。
半導(dǎo)體工藝與測(cè)試實(shí)驗(yàn) 內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書介紹了與微電子技術(shù)有關(guān)的半導(dǎo)體工藝和測(cè)試方面的實(shí)驗(yàn), 包括半導(dǎo)體制備工藝的主要六個(gè)單項(xiàng)工藝實(shí)驗(yàn), 半導(dǎo)體材料與器件的常規(guī)測(cè)試實(shí)驗(yàn), 半導(dǎo)體工藝和器件特性仿真實(shí)驗(yàn), 以及銜接以上各單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)綜合器件設(shè)計(jì)、工藝制造、特性表征與檢測(cè)的課題實(shí)驗(yàn)。
半導(dǎo)體工藝與測(cè)試實(shí)驗(yàn) 目錄
前言
第1章 緒論
1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?
1.2 實(shí)驗(yàn)要求
1.3 潔凈室簡(jiǎn)介
1.4 實(shí)驗(yàn)室安全與注意事項(xiàng)
第2章 半導(dǎo)體工藝實(shí)驗(yàn)
2.1 光掩模版介紹
2.2 工藝流程介紹
2.3 硅片清洗實(shí)驗(yàn)
2.4 熱氧化工藝實(shí)驗(yàn)
2.5 光刻工藝實(shí)驗(yàn)
2.6 濕法刻蝕工藝實(shí)驗(yàn)
2.7 磷擴(kuò)散工藝實(shí)驗(yàn)
2.8 金屬蒸鍍工藝實(shí)驗(yàn)
第3章 半導(dǎo)體材料與器件特性表征實(shí)驗(yàn)
3.1 高頻光電導(dǎo)衰減法測(cè)量硅單晶非平衡少數(shù)載流子壽命實(shí)驗(yàn)
3.2 四探針法測(cè)量硅片電阻率與雜質(zhì)濃度實(shí)驗(yàn)
3.3 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)測(cè)量實(shí)驗(yàn)
3.4 pn結(jié)的電容-電壓(C-V)特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
3.5 雙極型晶體管的直流參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)
3.6 薄膜晶體管器件電學(xué)特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
3.7 MOS結(jié)構(gòu)的Si-SiO2界面態(tài)密度分布測(cè)量實(shí)驗(yàn)
第4章 綜合實(shí)驗(yàn)
4.1 半導(dǎo)體仿真工具SILVACO TCAD介紹
4.2 工藝仿真的基本操作
4.3 PMOS器件工藝仿真實(shí)驗(yàn)
4.4 半導(dǎo)體器件物理特性仿真實(shí)驗(yàn)
4.5 半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)
4.6 半導(dǎo)體器件制備和特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
參考文獻(xiàn)
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