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晶體硅太陽能電池制備技術 版權信息
- ISBN:9787563552467
- 條形碼:9787563552467 ; 978-7-5635-5246-7
- 裝幀:一般膠版紙
- 冊數:暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>>
晶體硅太陽能電池制備技術 本書特色
本書共分為緒論;硅材料基礎知識;晶體學基礎;多晶硅的制備;單晶硅的制備;硅材料的加工;硅電池片的制備工藝;分析與測試技術八章,其主要內容包括:太陽能電池種類;硅元素及其性質等。
晶體硅太陽能電池制備技術 內容簡介
本書共分為緒論 ; 硅材料基礎知識 ; 晶體學基礎 ; 多晶硅的制備 ; 單晶硅的制備 ; 硅材料的加工 ; 硅電池片的制備工藝 ; 分析與測試技術八章, 其主要內容包括: 太陽能電池種類 ; 硅元素及其性質等。
晶體硅太陽能電池制備技術 目錄
**章 緒論**節 太陽能電池種類一、晶體硅太陽能電池二、硅基薄膜太陽能電池三、化合物半導體薄膜太陽能電池四、染料敏化TiO2納米薄膜太陽能電池五、其他新型太陽能電池第二節 硅太陽能電池的發展現狀
第二章 硅材料基礎知識**節 硅元素及其性質一、硅元素簡介二、硅的物理性質三、硅的化學性質第二節 硅的化合物一、二氧化硅(SiO2)二、一氧化硅(SiO)三、硅的鹵化物(SiX4)四、三氯氫硅(SiHCl3)五、硅烷(SiH4)第三節 硅的分類第四節 硅半導體材料的基本知識一、能帶理論二、本征半導體與雜質半導體第五節 PN結一、PN結的形成二、PN結的單向導電三、PN結方程第三章 晶體學基礎**節 晶體結構一、晶體分類二、晶體特征三、晶向指數四、晶面指數五、立方晶體六、幾種典型半導體材料的結構第二節 晶體缺陷一、缺陷的種類二、點缺陷三、線缺陷四、面缺陷五、體缺陷第三節 硅晶體結構一、硅中的化學鍵二、硅的晶體結構三、硅中的點缺陷四、硅中的位錯五、硅材料的摻雜
第四章 多晶硅的制備**節 工業硅的制備一、工業硅的制備原理二、工業硅的生產工藝第二節 高純多晶硅原料的制備一、三氯氫硅還原法二、硅烷熱分解法三、流化床法四、太陽能級多晶硅制備新工藝及技術第三節 鑄造多晶硅的制備一、多晶硅錠的鑄造技術二、多晶硅鑄錠原料三、鑄錠原料配置四、鑄錠坩堝五、多晶硅鑄錠設備及工藝六、影響多晶硅錠的質量因素七、鑄造多晶硅中的缺陷第五章 單晶硅的制備**節 直拉單晶硅一、基本原理及示意圖二、直拉單晶硅工藝流程三、直拉法單晶硅生長設備簡介四、新型CZ硅生長技術第二節 區熔生長單晶硅一、區域熔煉二、FZ硅的制備第三節 單晶硅中的雜質一、硅中的氧二、硅中的碳三、硅中的氮四、硅中的氫五、硅中的金屬雜質第六章 硅材料的加工**節 單晶硅的加工第二節 多晶硅的加工一、硅塊的制備二、硅片的制備第三節 硅片的清洗一、清洗的作用二、清洗的原理三、常用的清洗方法第四節 漿料回收技術一、漿料回收工藝簡介二、漿料的檢測第七章 硅電池片的制備工藝**節 硅片檢測第二節 硅片的腐蝕及絨面制作一、單晶硅片制絨二、多晶硅片制絨第三節 擴散一、擴散方程二、磷擴散工藝原理三、擴散制結工藝過程四、擴散參數的控制第四節 刻蝕、去磷硅玻璃一、刻蝕及去PSG目的二、刻蝕種類三、濕法刻蝕流程第五節 減反射膜的制備技術一、減反射原理二、減反射膜的材料及制備三、SiN減反射膜和PECVD技術第六節 電極的制作及燒結一、歐姆接觸二、太陽能電池的收集電極三、電極的制備技術四、電極的燒結第七節 高效太陽能電池一、紫電池二、背場(BSF)太陽能電池三、鋁背場的制備及形成四、埋柵太陽能電池五、PERL太陽能電池第八章 分析與測試技術**節 導電型號測試一、整流法二、熱電動勢法第二節 電阻率測試一、四探針法二、非接觸法三、擴展電阻法第三節 少子壽命檢測一、光電導衰減法(PCD)二、表面光電壓法(SPV)三、微波反射光電導衰減法(MWPCD)第四節 硅塊、硅片檢測技術與設備一、硅塊的紅外探傷檢測二、硅片厚度及TTV檢測三、硅片表面粗糙度檢測四、全自動硅片分檢機參考文獻
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