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低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機(jī)理 版權(quán)信息
- ISBN：9787511446381
- 條形碼：9787511446381 ; 978-7-5114-4638-1
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類(lèi)：>>
低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機(jī)理 內(nèi)容簡(jiǎn)介
《低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機(jī)理》系統(tǒng)地研究了低維氮化鎵納米材料的穩(wěn)定性、電子、磁性等性質(zhì)。全書(shū)共包括7章：第1章為本書(shū)概述；第2章詳細(xì)地介紹了*一性原理方法；第3至第7章采用基于密度泛函框架下的*一性原理系統(tǒng)研究了填充GaN納米管、缺陷和摻雜GaN納米帶、吸附和摻雜GaN單層納米片、二維GaN/SiC納米片的穩(wěn)定性、電子、磁學(xué)特性和磁性起源機(jī)理。
低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機(jī)理 目錄
第1章 概述
第2章 理論計(jì)算基礎(chǔ)
第3章 過(guò)渡金屬納米線填充GaN納米管的結(jié)構(gòu)、電子特性和磁性
第4章 GaN納米帶的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)
第5章 過(guò)渡金屬吸附二維GaN單層納米片的電子結(jié)構(gòu)和磁性
第6章 過(guò)渡金屬摻雜GaN單層納米片磁性起源機(jī)理
第7章 二維GaN/SiC納米片: 界面電子和磁學(xué)特性以及電場(chǎng)響應(yīng)
展開(kāi)全部
低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機(jī)理 作者簡(jiǎn)介
陳國(guó)祥，男，1979年3月出生，博士，副教授（校聘教授崗位），碩士研究生導(dǎo)師，“新型半導(dǎo)體光電子材料及器件”青年科研創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)帶頭人。西安石油大學(xué)“青年拔尖人才”，陜西省“青年科技新星”，國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目同行評(píng)議專(zhuān)家，陜西省物理學(xué)會(huì)會(huì)員。2015年起享受陜西省“三秦人才”政府津貼。2015年1月至2016年1月在美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)物理系進(jìn)行合作科學(xué)研究（訪問(wèn)學(xué)者）。王豆豆， 2012年畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所，獲理學(xué)博士學(xué)位，現(xiàn)為西安科技大學(xué)理學(xué)院教師。主要從事納米聚合物材料結(jié)構(gòu)和物性的理論研究。曾作為主要參與者承擔(dān)了國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目“光學(xué)聚合物/二氧化鈦有序結(jié)構(gòu)化新材料的設(shè)計(jì)、制備及應(yīng)用基礎(chǔ)研究”的大部分研究工作。曾獲陜西省高等學(xué)校科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)。合作出版教材4部，先后發(fā)表學(xué)術(shù)論文10篇，其中SCI收錄8篇，EI收錄2篇。
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