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納米級(jí)集成電路系統(tǒng)電源完整性分析
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納米級(jí)集成電路系統(tǒng)電源完整性分析 版權(quán)信息
- ISBN：9787111569879
- 條形碼：9787111569879 ; 978-7-111-56987-9
- 裝幀：暫無(wú)
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類：>>
納米級(jí)集成電路系統(tǒng)電源完整性分析 本書(shū)特色
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，集成電路制造工藝的發(fā)展日新月異，目前已經(jīng)進(jìn)入到了前所未有的納米級(jí)階段。電源完整性作為系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)的重要課題，直接影響到集成電路的可靠性、性能以及功耗。因此，本書(shū)作者以系統(tǒng)級(jí)電源完整性為切入點(diǎn)，深入探討了電源完整性的影響、時(shí)鐘產(chǎn)生及分布、輸入/輸出單元中的電源完整性設(shè)計(jì)、電源完整性建模、溫度效應(yīng)以及低功耗電源完整性設(shè)計(jì)等方面的問(wèn)題，并以IBMPOWER7 處理器芯片作為實(shí)例進(jìn)行分析，后針對(duì)新型碳納米管互連元件在電源完整性中的應(yīng)用做了簡(jiǎn)要討論。
納米級(jí)集成電路系統(tǒng)電源完整性分析 內(nèi)容簡(jiǎn)介
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，集成電路制造工藝的發(fā)展日新月異，目前已經(jīng)進(jìn)入到了前所未有的納米級(jí)階段。電源完整性作為系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)的重要課題，直接影響到集成電路的可靠性、性能以及功耗。因此，本書(shū)作者以系統(tǒng)級(jí)電源完整性為切入點(diǎn)，深入探討了電源完整性的影響、時(shí)鐘產(chǎn)生及分布、輸入/輸出單元中的電源完整性設(shè)計(jì)、電源完整性建模、溫度效應(yīng)以及低功耗電源完整性設(shè)計(jì)等方面的問(wèn)題，并以IBMPOWER7+處理器芯片作為實(shí)例進(jìn)行分析，后針對(duì)新型碳納米管互連元件在電源完整性中的應(yīng)用做了簡(jiǎn)要討論。
納米級(jí)集成電路系統(tǒng)電源完整性分析 目錄
譯者序
原書(shū)前言
致謝
作者簡(jiǎn)介
本書(shū)作者及分工
第１章 集成電路電源完整性的重要性１
。豹保薄【w管縮放和電源完整性退化過(guò)程１
。豹保豹保薄『愣üβ剩ǎ茫校┖秃愣üβ拭芏龋ǎ茫校模┛s放下電源完整性３
。豹保豹保病〉凸脑O(shè)計(jì)及電源完整性退化４
１１３ 集成電路中的電源網(wǎng)格噪聲５
。豹保豹保础‰娫赐暾酝嘶瘜(duì)Ｉ／Ｏ電路及信號(hào)完整性的影響８
。豹保病‰娫赐暾詯夯囊蛩兀
。豹保勃保薄‰娫赐暾酝嘶瘜(duì)良率的影響９
。豹保勃保病p少電壓擴(kuò)展和增加功率１１
。豹保勃保场≈圃旒胺庋b技術(shù)的增強(qiáng)和成本１２
。豹保勃保础≡O(shè)計(jì)和驗(yàn)證成本１３
１２５ 不可持續(xù)的能源浪費(fèi)１３
。豹保场⒖嘉墨I(xiàn)１４
第２章 電源和襯底噪聲對(duì)電路的影響１５
。勃保薄‰娫丛肼暫鸵r底噪聲１５
２２ 路徑以及延遲單元和電源噪聲１７
。勃保勃保薄÷窂窖舆t和電源噪聲之間的關(guān)系１８
２２２ 組合單元延遲２２
。勃保勃保场∮|發(fā)器時(shí)間特性２５
。勃保场●詈闲(yīng)電路級(jí)時(shí)序分析２８
２３１ 難點(diǎn)２８
。勃保唱保病‰娫丛肼暤臅r(shí)間和空間的相關(guān)性３０
２３３ 統(tǒng)計(jì)噪聲模型３２
。勃保唱保础(gè)案分析３４
。勃保础∧M／射頻（ＲＦ）電路的噪聲影響３７
。勃保椽保薄‰娫丛肼暎常
２４２ 襯底噪聲３９
。勃保怠×(xí)題４０
。勃保丁⒖嘉墨I(xiàn)４０
第３章 電源完整性中的時(shí)鐘產(chǎn)生和分布４２
。唱保薄r(shí)鐘延時(shí)、偏移以及抖動(dòng)４２
。唱保病∮糜跁r(shí)鐘樹(shù)的互連元件４６
。唱保勃保薄』ミB元件的寄生器件４６
。唱保勃保病‰姼械亩x４６
３２３ 電感提。矗
。唱保勃保础』ミB元件仿真５３
３２５ 專用的感性互連元件５５
３２６ 信號(hào)傳輸時(shí)間和電感５８
。唱保场r(shí)鐘樹(shù)結(jié)構(gòu)及其仿真６０
。唱保唱保薄r(shí)鐘樹(shù)結(jié)構(gòu)６０
３３２ 工業(yè)級(jí)時(shí)鐘分布網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用６３
３４ 電源噪聲引起的時(shí)鐘偏移６４
。唱保椽保薄〈须娐分械碾娫丛肼暎叮
。唱保椽保病≡肼暶舾械臅r(shí)鐘分布網(wǎng)絡(luò)仿真６５
３４３ 在電壓Ｖ和溫度Ｔ變化的情況下，時(shí)鐘偏移分析的實(shí)例６６
。唱保椽保础∨c時(shí)鐘偏移和電源噪聲有關(guān)的其他工作７１
３５ 時(shí)鐘產(chǎn)生７１
３５１ 對(duì)與電源完整性有關(guān)的鎖相環(huán)和延遲鎖相環(huán)的討論７２
３５２ 鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)７３
３５３ 準(zhǔn)則１：將鎖相環(huán)與噪聲進(jìn)行隔離７４
３５４ 準(zhǔn)則２：將單端電路以及物理版圖設(shè)計(jì)為差分形式７６
３５５ 準(zhǔn)則３：環(huán)路濾波器、偏置產(chǎn)生電路和壓控振蕩器的電源抑制比、
噪聲設(shè)計(jì)７８
３６ 數(shù)據(jù)通信的時(shí)鐘提。福
３６１ 開(kāi)關(guān)式鑒相器８０
。唱保丢保病(shù)據(jù)恢復(fù)延遲鎖相環(huán)和相位插值器８１
。唱保贰】偨Y(jié)８１
。唱保浮⒖嘉墨I(xiàn)８１
第４章 Ｉ／Ｏ電路中的信號(hào)及電源完整性設(shè)計(jì)８３
４１ 引言８３
４２ 單端Ｉ／Ｏ電路設(shè)計(jì)８４
目 錄Ⅺ
４２１ 同步開(kāi)關(guān)輸出噪聲８４
。椽保勃保病y(cè)量的同步開(kāi)關(guān)輸出噪聲與仿真值的相關(guān)性８７
４２３ 片上電源分布網(wǎng)絡(luò)的測(cè)量以及全局電源分布網(wǎng)絡(luò)中的反諧振峰值８９
４２４ 信號(hào)完整性和電源完整性的聯(lián)合仿真８９
。椽保勃保怠膶Ｓ眉呻娐沸酒兴(jiàn)的整體電源分布網(wǎng)絡(luò)阻抗９３
。椽保勃保丁☆l域內(nèi)的目標(biāo)阻抗９５
。椽保勃保贰〔捎靡蕾囉陬l率目標(biāo)阻抗的信號(hào)衰減估計(jì)９８
４３ 差分Ｉ／Ｏ設(shè)計(jì)９９
４３１ 差分Ｉ／Ｏ電路的信號(hào)完整性建模９９
。椽保唱保病〔罘謧鬏斁、串?dāng)_噪聲和通孔的影響１００
。椽保唱保场C(jī)織玻璃纖維的共模轉(zhuǎn)換１０１
。椽保础∪S系統(tǒng)級(jí)封裝中的電源完整性設(shè)計(jì)和評(píng)估１０５
４４１ 寬總線結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)１０６
。椽保椽保病∪N層疊芯片和三維系統(tǒng)級(jí)封裝配置１０７
。椽保椽保场⊥暾碾娫捶植季W(wǎng)絡(luò)阻抗及其對(duì)同步開(kāi)關(guān)輸出噪聲的影響１１３
４５ 總結(jié)１１８
。椽保丁⒖嘉墨I(xiàn)１１９
第５章 電源完整性退化及建模１２１
。氮保薄”尘埃保玻
５２ 電源完整性建模１２３
。氮保勃保薄“寮(jí)電源完整性１２３
。氮保勃保病》庋b管殼的電源完整性１２４
。氮保勃保场∑想娫淳W(wǎng)格完整性１２４
。氮保场‰娫赐暾苑治觯保玻
５４ 頻域分析１２５
。氮保怠r(shí)域分析１２８
。氮保丁∧繕(biāo)阻抗背景１２９
。氮保贰(wèn)題公式化１３０
。氮保浮*壞情況電源分布網(wǎng)絡(luò)輸出電壓噪聲１３０
５９ 無(wú)可實(shí)現(xiàn)性限制的阻抗１３１
。氮保保啊【哂锌蓪(shí)現(xiàn)性限制的阻抗１３３
。氮保保蔼保薄∫浑A阻抗１３３
５１０２ 二階阻抗１３４
。氮保保薄(shí)際電源分布網(wǎng)絡(luò)１３９
５１１１ 無(wú)等效串聯(lián)電阻的理想ＬＣ結(jié)構(gòu)１４０
原書(shū)前言
致謝
作者簡(jiǎn)介
本書(shū)作者及分工
第１章 集成電路電源完整性的重要性１
。豹保薄【w管縮放和電源完整性退化過(guò)程１
。豹保豹保薄『愣üβ剩ǎ茫校┖秃愣üβ拭芏龋ǎ茫校模┛s放下電源完整性３
。豹保豹保病〉凸脑O(shè)計(jì)及電源完整性退化４
１１３ 集成電路中的電源網(wǎng)格噪聲５
。豹保豹保础‰娫赐暾酝嘶瘜(duì)Ｉ／Ｏ電路及信號(hào)完整性的影響８
。豹保病‰娫赐暾詯夯囊蛩兀
。豹保勃保薄‰娫赐暾酝嘶瘜(duì)良率的影響９
。豹保勃保病p少電壓擴(kuò)展和增加功率１１
。豹保勃保场≈圃旒胺庋b技術(shù)的增強(qiáng)和成本１２
。豹保勃保础≡O(shè)計(jì)和驗(yàn)證成本１３
１２５ 不可持續(xù)的能源浪費(fèi)１３
。豹保场⒖嘉墨I(xiàn)１４
第２章 電源和襯底噪聲對(duì)電路的影響１５
。勃保薄‰娫丛肼暫鸵r底噪聲１５
２２ 路徑以及延遲單元和電源噪聲１７
。勃保勃保薄÷窂窖舆t和電源噪聲之間的關(guān)系１８
２２２ 組合單元延遲２２
。勃保勃保场∮|發(fā)器時(shí)間特性２５
。勃保场●詈闲(yīng)電路級(jí)時(shí)序分析２８
２３１ 難點(diǎn)２８
。勃保唱保病‰娫丛肼暤臅r(shí)間和空間的相關(guān)性３０
２３３ 統(tǒng)計(jì)噪聲模型３２
。勃保唱保础(gè)案分析３４
。勃保础∧M／射頻（ＲＦ）電路的噪聲影響３７
。勃保椽保薄‰娫丛肼暎常
２４２ 襯底噪聲３９
。勃保怠×(xí)題４０
。勃保丁⒖嘉墨I(xiàn)４０
第３章 電源完整性中的時(shí)鐘產(chǎn)生和分布４２
。唱保薄r(shí)鐘延時(shí)、偏移以及抖動(dòng)４２
。唱保病∮糜跁r(shí)鐘樹(shù)的互連元件４６
。唱保勃保薄』ミB元件的寄生器件４６
。唱保勃保病‰姼械亩x４６
３２３ 電感提。矗
。唱保勃保础』ミB元件仿真５３
３２５ 專用的感性互連元件５５
３２６ 信號(hào)傳輸時(shí)間和電感５８
。唱保场r(shí)鐘樹(shù)結(jié)構(gòu)及其仿真６０
。唱保唱保薄r(shí)鐘樹(shù)結(jié)構(gòu)６０
３３２ 工業(yè)級(jí)時(shí)鐘分布網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用６３
３４ 電源噪聲引起的時(shí)鐘偏移６４
。唱保椽保薄〈须娐分械碾娫丛肼暎叮
。唱保椽保病≡肼暶舾械臅r(shí)鐘分布網(wǎng)絡(luò)仿真６５
３４３ 在電壓Ｖ和溫度Ｔ變化的情況下，時(shí)鐘偏移分析的實(shí)例６６
。唱保椽保础∨c時(shí)鐘偏移和電源噪聲有關(guān)的其他工作７１
３５ 時(shí)鐘產(chǎn)生７１
３５１ 對(duì)與電源完整性有關(guān)的鎖相環(huán)和延遲鎖相環(huán)的討論７２
３５２ 鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)７３
３５３ 準(zhǔn)則１：將鎖相環(huán)與噪聲進(jìn)行隔離７４
３５４ 準(zhǔn)則２：將單端電路以及物理版圖設(shè)計(jì)為差分形式７６
３５５ 準(zhǔn)則３：環(huán)路濾波器、偏置產(chǎn)生電路和壓控振蕩器的電源抑制比、
噪聲設(shè)計(jì)７８
３６ 數(shù)據(jù)通信的時(shí)鐘提。福
３６１ 開(kāi)關(guān)式鑒相器８０
。唱保丢保病(shù)據(jù)恢復(fù)延遲鎖相環(huán)和相位插值器８１
。唱保贰】偨Y(jié)８１
。唱保浮⒖嘉墨I(xiàn)８１
第４章 Ｉ／Ｏ電路中的信號(hào)及電源完整性設(shè)計(jì)８３
４１ 引言８３
４２ 單端Ｉ／Ｏ電路設(shè)計(jì)８４
目 錄Ⅺ
４２１ 同步開(kāi)關(guān)輸出噪聲８４
。椽保勃保病y(cè)量的同步開(kāi)關(guān)輸出噪聲與仿真值的相關(guān)性８７
４２３ 片上電源分布網(wǎng)絡(luò)的測(cè)量以及全局電源分布網(wǎng)絡(luò)中的反諧振峰值８９
４２４ 信號(hào)完整性和電源完整性的聯(lián)合仿真８９
。椽保勃保怠膶Ｓ眉呻娐沸酒兴(jiàn)的整體電源分布網(wǎng)絡(luò)阻抗９３
。椽保勃保丁☆l域內(nèi)的目標(biāo)阻抗９５
。椽保勃保贰〔捎靡蕾囉陬l率目標(biāo)阻抗的信號(hào)衰減估計(jì)９８
４３ 差分Ｉ／Ｏ設(shè)計(jì)９９
４３１ 差分Ｉ／Ｏ電路的信號(hào)完整性建模９９
。椽保唱保病〔罘謧鬏斁、串?dāng)_噪聲和通孔的影響１００
。椽保唱保场C(jī)織玻璃纖維的共模轉(zhuǎn)換１０１
。椽保础∪S系統(tǒng)級(jí)封裝中的電源完整性設(shè)計(jì)和評(píng)估１０５
４４１ 寬總線結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)１０６
。椽保椽保病∪N層疊芯片和三維系統(tǒng)級(jí)封裝配置１０７
。椽保椽保场⊥暾碾娫捶植季W(wǎng)絡(luò)阻抗及其對(duì)同步開(kāi)關(guān)輸出噪聲的影響１１３
４５ 總結(jié)１１８
。椽保丁⒖嘉墨I(xiàn)１１９
第５章 電源完整性退化及建模１２１
。氮保薄”尘埃保玻
５２ 電源完整性建模１２３
。氮保勃保薄“寮(jí)電源完整性１２３
。氮保勃保病》庋b管殼的電源完整性１２４
。氮保勃保场∑想娫淳W(wǎng)格完整性１２４
。氮保场‰娫赐暾苑治觯保玻
５４ 頻域分析１２５
。氮保怠r(shí)域分析１２８
。氮保丁∧繕(biāo)阻抗背景１２９
。氮保贰(wèn)題公式化１３０
。氮保浮*壞情況電源分布網(wǎng)絡(luò)輸出電壓噪聲１３０
５９ 無(wú)可實(shí)現(xiàn)性限制的阻抗１３１
。氮保保啊【哂锌蓪(shí)現(xiàn)性限制的阻抗１３３
。氮保保蔼保薄∫浑A阻抗１３３
５１０２ 二階阻抗１３４
。氮保保薄(shí)際電源分布網(wǎng)絡(luò)１３９
５１１１ 無(wú)等效串聯(lián)電阻的理想ＬＣ結(jié)構(gòu)１４０
展開(kāi)全部
納米級(jí)集成電路系統(tǒng)電源完整性分析 作者簡(jiǎn)介
作者簡(jiǎn)介ＭａｓａｎｏｒｉＨａｓｈｉｍｏｔｏ：分別于１９９７、１９９９和２００１年在日本京都大學(xué)獲得通信和計(jì)算機(jī)工程學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。自２００４年起，在日本大阪大學(xué)的信息系統(tǒng)工程系從事教學(xué)和科研工作，目前是副教授。他的主要研究領(lǐng)域?yàn)槠想娫丛肼暫托盘?hào)耦合噪聲的建模和測(cè)試工作。Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ博士感興趣的研究包括時(shí)序、功耗和信號(hào)完整性分析、超低功耗設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、軟錯(cuò)誤建模、物理設(shè)計(jì)的高性能優(yōu)化和片上高速信號(hào)產(chǎn)生。Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ博士已經(jīng)發(fā)表了２００多篇期刊和會(huì)議論文，獲得２００４年ＡＳＰ－ＤＡＣ佳論文獎(jiǎng)和２００８年ＡＳＰ－ＤＡＣ大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)競(jìng)賽特別功能獎(jiǎng)。他是ＩＥＥＥ、ＡＣＭ、ＩＥＩＣＥ和ＩＰＳＪ成員，也是數(shù)個(gè)國(guó)際會(huì)議的技術(shù)方案委員會(huì)成員，包括ＤＡＣ、ＩＴＣ、ＩＣＣＡＤ、ＶＬＳＩ電路討論會(huì)、ＩＳＰＤ、ＡＳＰ－ＤＡＣ、ＤＡＴＥ、ＩＣＣＤ和ＩＳＱＥＤ。
ＲａｊＮａｉｒ：于１９８６年獲得印度邁索爾大學(xué)電子通信工程學(xué)士學(xué)位，于１９９４年獲得路易斯安那州立大學(xué)電氣工程碩士學(xué)位。具有超過(guò)２５年的工業(yè)和學(xué)術(shù)領(lǐng)域科研工作經(jīng)驗(yàn)，在工程期刊和會(huì)議上發(fā)表大量的受邀論文和簡(jiǎn)報(bào)，得到同行的廣泛好評(píng)。職業(yè)生涯一直從事電子和半導(dǎo)體相關(guān)工作，主要關(guān)注功率和功率傳送，信號(hào)和電源完整性研究。在近的２０年，ＲａｊＮａｉｒ創(chuàng)辦了兩個(gè)創(chuàng)業(yè)公司，主要從事顯影硅、封裝方面的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和電源完整性相關(guān)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件。是之前一本關(guān)于集成電路電源完整性分析和管理方面著作的合著者，擁有超過(guò)４０個(gè)授權(quán)專利，是半導(dǎo)體業(yè)、電源完整性和超大規(guī)模／３Ｄ集成方面的專家顧問(wèn)。作者簡(jiǎn)介ＭａｓａｎｏｒｉＨａｓｈｉｍｏｔｏ：分別于１９９７、１９９９和２００１年在日本京都大學(xué)獲得通信和計(jì)算機(jī)工程學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。自２００４年起，在日本大阪大學(xué)的信息系統(tǒng)工程系從事教學(xué)和科研工作，目前是副教授。他的主要研究領(lǐng)域?yàn)槠想娫丛肼暫托盘?hào)耦合噪聲的建模和測(cè)試工作。Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ博士感興趣的研究包括時(shí)序、功耗和信號(hào)完整性分析、超低功耗設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、軟錯(cuò)誤建模、物理設(shè)計(jì)的高性能優(yōu)化和片上高速信號(hào)產(chǎn)生。Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ博士已經(jīng)發(fā)表了２００多篇期刊和會(huì)議論文，獲得２００４年ＡＳＰ－ＤＡＣ佳論文獎(jiǎng)和２００８年ＡＳＰ－ＤＡＣ大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)競(jìng)賽特別功能獎(jiǎng)。他是ＩＥＥＥ、ＡＣＭ、ＩＥＩＣＥ和ＩＰＳＪ成員，也是數(shù)個(gè)國(guó)際會(huì)議的技術(shù)方案委員會(huì)成員，包括ＤＡＣ、ＩＴＣ、ＩＣＣＡＤ、ＶＬＳＩ電路討論會(huì)、ＩＳＰＤ、ＡＳＰ－ＤＡＣ、ＤＡＴＥ、ＩＣＣＤ和ＩＳＱＥＤ。
ＲａｊＮａｉｒ：于１９８６年獲得印度邁索爾大學(xué)電子通信工程學(xué)士學(xué)位，于１９９４年獲得路易斯安那州立大學(xué)電氣工程碩士學(xué)位。具有超過(guò)２５年的工業(yè)和學(xué)術(shù)領(lǐng)域科研工作經(jīng)驗(yàn)，在工程期刊和會(huì)議上發(fā)表大量的受邀論文和簡(jiǎn)報(bào)，得到同行的廣泛好評(píng)。職業(yè)生涯一直從事電子和半導(dǎo)體相關(guān)工作，主要關(guān)注功率和功率傳送，信號(hào)和電源完整性研究。在近的２０年，ＲａｊＮａｉｒ創(chuàng)辦了兩個(gè)創(chuàng)業(yè)公司，主要從事顯影硅、封裝方面的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和電源完整性相關(guān)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件。是之前一本關(guān)于集成電路電源完整性分析和管理方面著作的合著者，擁有超過(guò)４０個(gè)授權(quán)專利，是半導(dǎo)體業(yè)、電源完整性和超大規(guī)模／３Ｄ集成方面的專家顧問(wèn)。
本書(shū)作者及分工ＭｏｈａｂＡｎｉｓ：從２０１０年開(kāi)始作為美國(guó)大學(xué)在開(kāi)羅的教職人員，２００３年至２０１０年作為加拿大滑鐵盧大學(xué)的計(jì)算機(jī)工程終身教授。他發(fā)表和出版過(guò)超過(guò)１５０篇論文和３本著作，是９個(gè)國(guó)際期刊的編輯。Ａｎｉｓ博士被授予安大略湖早期研究獎(jiǎng)，由于卓越的研究成果獲得了科爾頓獎(jiǎng)?wù)潞停桑牛牛艊?guó)際低功耗設(shè)計(jì)獎(jiǎng)，他在２００２年獲得滑鐵盧大學(xué)計(jì)算機(jī)工程博士學(xué)位，他主要參與本書(shū)第７章編寫(xiě)。
Ｃｈｕｎｇ－ＫｕａｎＣｈｅｎｇ：加州大學(xué)迭戈分校計(jì)算機(jī)科學(xué)與工程系教授，１９９１年獲得加州大學(xué)迭戈分校工程學(xué)院ＮＣＲ教學(xué)獎(jiǎng)，在２０００年成為ＩＥＥＥ會(huì)員，２００４、２００６和２００７年獲得ＩＢＭ員工獎(jiǎng)。在２０１３年獲得加州大學(xué)迭戈分校卓越職工獎(jiǎng)。主要參與第５～６章編寫(xiě)。
ＫｉａｎＨａｇｈｄａｄ：２０１１年獲得加拿大滑鐵盧大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程博士學(xué)位，在２００８年獲得加拿大自然科學(xué)和工程委員會(huì)研究生獎(jiǎng)。主要研究領(lǐng)域?yàn)楣β屎蜔嵬暾，低功耗電子學(xué)ｖａｒｉａｔｉｏｎ－ｔｏｌｅｒａｎｔ設(shè)計(jì)，Ｈａｇｈｄａｄ博士２０００年在加拿大安大略多倫多創(chuàng)立Ｈｅｘｏｃｏｍ公司，目前是該公司的工程師和董事長(zhǎng)。主要參與第７章的編寫(xiě)。
ＭａｓａｎｏｒｉＨａｓｈｉｍｏｔｏ：本書(shū)共同編輯，參與第１～３章和第８章的編寫(xiě)。
ＸｉａｎｇＨｕ：目前是高通公司功率完整性工程師，２０１０年到２０１３年是美國(guó)博通公司ＡＳＩＣ后端工程師。２０１２年獲得圣地亞哥加利福尼亞大學(xué)計(jì)算機(jī)工程博士學(xué)位。主要研究方向包括功率分配網(wǎng)絡(luò)的分析與優(yōu)化。主要參與本書(shū)第５、６章的編寫(xiě)。
ＲａｊＮａｉｒ：本書(shū)共同編輯，主要參與第１、３和８章的編寫(xiě)。
ＭｉｚｕｈｉｓａＮｉｈｅｉ：分別于１９９０、１９９２和２００６年獲得日本仙臺(tái)東北大學(xué)電氣工程工學(xué)學(xué)士、工程碩士和博士學(xué)位。從１９９２年開(kāi)始，在日本厚木富士通實(shí)驗(yàn)室工作。目前，在厚木國(guó)家先進(jìn)工業(yè)科學(xué)和技術(shù)國(guó)家研究所從事石墨烯互連和熱管理工藝研究。主要參與本書(shū)第１０章的編寫(xiě)。
ＹａｓｕｈｉｒｏＯｇａｓａｈａｒａ：２００８年獲得日本坂田大學(xué)信息系統(tǒng)工程博士學(xué)位。目前在日本國(guó)家先進(jìn)工業(yè)科學(xué)和技術(shù)國(guó)家研究所從事納米電子學(xué)研究，主要從事新器件的電子集成研究工作。Ｏｇａｓａｈａｒａ博士獲得２００８年ＡＳＰ－ＤＡＣ大學(xué)的大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)競(jìng)賽特別功能獎(jiǎng)，是ＩＥＥＥ和ＩＥＩＣＥ成員。參與本書(shū)第３章的編寫(xiě)。
ＡｍｉｒａｌｉＳｈａｙａｎ：２００５年獲得伊朗德黑蘭大學(xué)電氣工程學(xué)士學(xué)位，分別于２００８年和２０１１年獲得圣地亞哥加利福尼亞大學(xué)計(jì)算機(jī)工程碩士和博士學(xué)位。目前是圣地亞哥博通公司低功耗實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目組成員，他的研究方向包括低功耗實(shí)現(xiàn)、管理和分配。主要參與本書(shū)第５、６章編寫(xiě)。
ＨｏｗａｒｄＨＳｍｉｔｈ：分別于１９８４年和１９８５年獲得新西蘭理工學(xué)院學(xué)士和碩士學(xué)位，１９８４年加入ＩＢＭ，從事從封裝電氣設(shè)計(jì)和計(jì)算機(jī)體系分析到新處理器的片上信號(hào)和電源完整性分析工作，Ｓｍｉｔｈ先生目前是波基普西市ＩＢＭ公司系統(tǒng)和工藝組傳感器工程師，同時(shí)作為項(xiàng)目組長(zhǎng)負(fù)責(zé)高集成度ＣＭＯＳ電路和芯片工藝電氣分析工作。主要負(fù)責(zé)本書(shū)第９章的編寫(xiě)工作。
ＮａｖｉｎＳｒｉｖａｓｔａｖａ：在印度理工大學(xué)獲得技術(shù)學(xué)士學(xué)位，加利福尼亞大學(xué)碩士和博士學(xué)位。在俄勒岡州威爾遜維爾ＭｅｎｔｏｒＧｒａｐｈｉｃｓ公司工作期間主要從事ＶＬＳＩ寄生參數(shù)提取和互連模型工作，他在超過(guò)２５個(gè)高引用率的頂 級(jí)期刊發(fā)表論文并擔(dān)任多個(gè)會(huì)議論文的審稿人。負(fù)責(zé)本書(shū)第１０章的編寫(xiě)。
ＴｏｓｈｉｏＳｕｄｏ：分別于１９７３、１９７５和２００６年獲得日本東北大學(xué)學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。在１９７５年加入日本東芝公司，主要從事ＭＣＭ工藝研究和發(fā)展，微處理器封裝，高速信號(hào)完整性設(shè)計(jì)，功率完整性設(shè)計(jì)和ＣＭＯＳ大規(guī)模集成系統(tǒng)ＥＭＣ設(shè)計(jì)工作。在２００７年成為日本芝浦工業(yè)大學(xué)教授，在２００４年成為ＩＥＥＥ會(huì)員。主要負(fù)責(zé)本書(shū)第４章的編寫(xiě)。
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