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納米半導體場發射冷陰極理論與實驗 版權信息
- ISBN：9787030510426
- 條形碼：9787030510426 ; 978-7-03-051042-6
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
納米半導體場發射冷陰極理論與實驗 本書特色
場發射冷陰極在顯示技術、微波能源及高頻電子等方面具有十分重要的應用。本書基于作者多年來在納米半導體場發射冷陰極方面的工作積累，對該領域的發展歷程、理論基礎、設計模型與制備性能進行了系統的介紹與討論，期望為新型納米半導體場發射冷陰極研發與器件應用提供指導與參考。本書主要包括以下內容：半導體場發射理論模型及其在納米體系下的場發射理論模型的適用性問題；半導體量子結構增強場發射基本原理與思想；從實驗與理論兩方面系統探討了不同的量子結構(晶軸取向、膜厚膜層、組分搭配、摻雜濃度及表面處理等)半導體薄膜的場電子發射特性、場發射耦合增強物理機制及其能譜特性。*后，對納米半導體場發射冷陰極器件的發展與應用進行了展望。
納米半導體場發射冷陰極理論與實驗 內容簡介
從金屬場發射基本理論與思想著手，引入半導體場發射理論模型及其在納米體系下的場發射理論模型的適用性問題。提出了半導體量子結構增強場發射基本原理與思想，在此基礎上，介紹了以納米多層（量子結構）鋁鎵氮（AlGaN）取向薄膜（極化誘導）作為薄膜冷陰極結構場電子發射增強功能層基本設計方法與物理模型。進一步地，介紹了單層、多層納米半導體薄膜場發射設計與制備方法。接著從實驗與理論兩方面，系統介紹不同的量子結構（晶軸取向、膜厚膜層、組分搭配、摻雜濃度及表面處理等）半導體薄膜的場電子發射特性、場發射耦合增強物理機制及其能譜特性。*后，對納米半導體場發射冷陰極器件的發展與應用進行了展望。
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