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自旋電子學(xué)導(dǎo)論-納米科學(xué)與技術(shù)-上卷 版權(quán)信息
- ISBN：9787030418241
- 條形碼：9787030418241 ; 978-7-03-041824-1
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
自旋電子學(xué)導(dǎo)論-納米科學(xué)與技術(shù)-上卷 本書特色
《納米科學(xué)與技術(shù)：自旋電子學(xué)導(dǎo)論（上卷）》適合物理（特別是自旋電子學(xué)）及相關(guān)領(lǐng)域的大學(xué)本科高年級學(xué)生、研究生、教師、工程師和科研工作者等參考閱讀。
自旋電子學(xué)導(dǎo)論-納米科學(xué)與技術(shù)-上卷 內(nèi)容簡介
本書由工作在自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域里的國內(nèi)外50余位學(xué)者撰寫而成。全書分兩卷、共28章，各章均由該領(lǐng)域富有研究經(jīng)驗的知名專家負責(zé)，較全面地介紹和論述了目前自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域中的各個重要研究方向及其進展，并重點關(guān)注自旋電子學(xué)的關(guān)鍵材料探索、物理效應(yīng)研究及其原理型器件的設(shè)計開發(fā)和實際應(yīng)用。
自旋電子學(xué)導(dǎo)論-納米科學(xué)與技術(shù)-上卷 目錄
《納米科學(xué)與技術(shù)》叢書序現(xiàn)代磁學(xué)的黃金時期Golden Era Of Modern Magnetism上卷 第1章 磁性納米多層膜巨磁電阻效應(yīng)及其器件 1.1 背景簡介 1.2 巨磁電阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)、理論及其應(yīng)用 1.2.1 巨磁電阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)和典型實驗結(jié)果 1.2.2 巨磁電阻效應(yīng)的理論模型 1.2.3 巨磁電阻效應(yīng)的應(yīng)用 1.3 巨磁電阻的影響 1.3.1 隧穿磁電阻 1.3.2 龐磁電阻 1.3.3 鐵磁半導(dǎo)體中的磁電阻 1.3.4 納米線以及有機體系中的磁電阻 1.3.5 非磁體系中的磁電阻效應(yīng) 1.4 結(jié)論與展望 參考文獻 第2章 磁性顆粒膜中的巨磁電阻效應(yīng) 2.1 磁性顆粒膜中的超順磁性 2.1.1 鐵磁性顆粒的磁性 2.1.2 鐵磁性顆粒集合體的超順磁性 2.2 金屬／金屬型磁性顆粒膜的巨磁電阻效應(yīng) 2.2.1 理論解釋 2.2.2 金屬／金屬型顆粒膜GMR效應(yīng)的影響因素 2.3 金屬／絕緣體型磁性顆粒膜的巨磁電阻效應(yīng) 2.4 磁性納米粒子組裝顆粒膜的巨磁電阻效應(yīng) 2.5 結(jié)束語 參考文獻 第3章 磁性隧道結(jié)及隧穿磁電阻相關(guān)效應(yīng) 3.1 引言：磁性隧道結(jié)及其發(fā)展歷程 3.2 基于不同勢壘材料的單勢壘磁性隧道結(jié) 3.2.1 基于非晶Al-O勢壘的磁性隧道結(jié) 3.2.2 基于單晶γ-Al2O3勢壘的磁性隧道結(jié) 3.2.3 基于非晶Ti-O勢壘的磁性隧道結(jié) 3.2.4 基于單晶MgO（001）勢壘的磁性隧道結(jié) 3.2.5 基于尖晶石MgAl2O3（001）等新型勢壘的磁性隧道結(jié) 3.2.6 基于有機材料勢壘的磁性隧道結(jié) 3.2.7 基于半導(dǎo)體材料勢壘的磁性隧道結(jié) 3.2.8 基于其他勢壘的磁性隧道結(jié) 3.3 磁性隧道結(jié)中常用電極材料 3.3.1 基于單質(zhì)鐵磁金屬材料的磁性隧道結(jié) 3.3.2 基于高自旋極化率鐵磁金屬合金材料的磁性隧道結(jié) 3.3.3 具有高自旋極化率的半金屬電極材料 3.3.4 基于垂直磁各向異性磁電極材料的磁性隧道結(jié) 3.3.5 基于稀磁半導(dǎo)體電極材料的磁性隧道結(jié) 3.3.6 基于插層和復(fù)合電極材料的磁性隧道結(jié) 3.4 雙勢壘磁性隧道結(jié) 3.4.1 基于非晶Al-O雙勢壘的磁性隧道結(jié) 3.4.2 基于單晶MgO（001）雙勢壘的磁性隧道結(jié) 3.5 磁性隧道結(jié)中的物理效應(yīng) 3.5.1 自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng) 3.5.2 庫侖阻塞磁電阻效應(yīng) 3.5.3 磁電阻振蕩效應(yīng) 3.5.4 雙勢壘磁性隧道結(jié)中的量子阱共振隧穿效應(yīng) 3.5.5 磁性隧道結(jié)中的電場效應(yīng) 3.5.6 磁性隧道結(jié)中的熱自旋效應(yīng) 3.6 磁性隧道結(jié)在器件中的應(yīng)用 3.6.1 硬盤驅(qū)動器磁讀頭 3.6.2 磁性傳感器 3.6.3 磁性隨機存取存儲器 3.6.4 自旋納米振蕩器 3.6.5 自旋邏輯器件 3.6.6 自旋晶體管、自旋場效應(yīng)晶體管 3.6.7 自旋發(fā)光二極管 3.7 研究展望 參考文獻 附錄 磁性隧道結(jié)的發(fā)展歷史及其有代表性的優(yōu)化結(jié)構(gòu) 第4章 鐵磁體／反鐵磁體多層結(jié)構(gòu)中交換偏置的*新進展 第5章 磁性超薄膜中厚度誘導(dǎo)的自旋重取向相變 第6章 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)錳氧化物中的龐磁電阻效應(yīng)及其應(yīng)用 第7章 自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng) 第8章 自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)和微磁學(xué)模擬技術(shù) 第9章 鐵磁共振和自旋波的電檢測技術(shù)及其在自旋電子學(xué)方面的新應(yīng)用 第10章 磁性納米異質(zhì)受限結(jié)構(gòu)中的自旋和熱電輸運量子理論 第11章 各種霍爾效應(yīng)及其輸運性質(zhì)和應(yīng)用 第12章 自旋霍爾效應(yīng)、反常霍爾效應(yīng)和拓撲絕緣體 第13章 介觀器件中的自旋軌道耦合和自旋流 第14章 半導(dǎo)體中的自旋軌道耦合及其物理效應(yīng) 第15章 磁性阻挫系統(tǒng) 索引 彩圖
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自旋電子學(xué)導(dǎo)論-納米科學(xué)與技術(shù)-上卷 作者簡介
韓秀峰，中國科學(xué)院物理研究所研究員、博士生導(dǎo)師、課題組組長。1984年畢業(yè)于蘭州大學(xué)物理系，1993年在吉林大學(xué)獲博士學(xué)位。主要從事“自旋電子學(xué)材料、物理和器、件”研究，包括：磁性隧道結(jié)及隧穿磁電阻（TMR）效應(yīng)、多種鐵磁復(fù)合隧道結(jié)（MTJ）材料、新型磁隨機存取存儲器（MRAM）、磁邏輯、自旋納米振蕩器、自旋晶體管、磁電阻磁敏傳感器等原理型器件的研究。已發(fā)表SCI學(xué)術(shù)論文200余篇，獲得中國發(fā)明專利授權(quán)50余項和國際專利授權(quán)5項。與合作者研制成功一種新型納米環(huán)磁隨機存取存儲器（Nanoring MRAM）原理型演示器件、四種磁電阻磁敏傳感器原理型演示器件；其中“納米環(huán)磁性隧道結(jié)及新型納米環(huán)磁隨機存取存儲器的基礎(chǔ)性研究”獲2013年度北京市科學(xué)技術(shù)獎一等獎。
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