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功率半導(dǎo)體器件-產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告-(第10冊)-(附光盤) 版權(quán)信息
- ISBN：9787513017886
- 條形碼：9787513017886 ; 978-7-5130-1788-6
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
功率半導(dǎo)體器件-產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告-(第10冊)-(附光盤) 本書特色
楊鐵軍主編的這本《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告(第10冊)——功率半導(dǎo)體器件》是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專利分析研究報(bào)告。 報(bào)告先對功率半導(dǎo)體器件的整體專利情況進(jìn)行分析，再對目前熱門的IGBT器件產(chǎn)品和未來發(fā)展趨勢的寬禁帶半導(dǎo)體SiC功率器件進(jìn)行重點(diǎn)的分析和介紹，突出發(fā)展趨勢和發(fā)展需求，并對行業(yè)領(lǐng)先的國際重點(diǎn)企業(yè)的專利情況進(jìn)行詳細(xì)介紹，思路清晰，重點(diǎn)突出。 報(bào)告從發(fā)展趨勢、申請人、目標(biāo)國家／地區(qū)等多個(gè)維度對功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)專利進(jìn)行分析，而且每項(xiàng)分析都給出了明確的結(jié)論，這對于專利分析的結(jié)構(gòu)完整性非常重要。報(bào)告中大量使用經(jīng)過深度加工的專利統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，清晰地展現(xiàn)了功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)的專利分布情況。特別是對IGBT的專利從技術(shù)構(gòu)成和技術(shù)功效等技術(shù)角度清晰地展現(xiàn)了IGBT器件的技術(shù)發(fā)展路線和發(fā)展趨勢，對于產(chǎn)業(yè)的發(fā)展顯得非常重要。
功率半導(dǎo)體器件-產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告-(第10冊)-(附光盤) 內(nèi)容簡介
《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告（第10冊）：功率半導(dǎo)體器件》是功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的專利分析報(bào)告。報(bào)告從功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的專利（國內(nèi)、國外）申請、授權(quán)、申請人的已有專利狀態(tài)、其他先進(jìn)國家的專利狀況、同領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)的專利壁壘等方面入手，充分結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，展開分析，并得出分析結(jié)果。《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告（第10冊）：功率半導(dǎo)體器件》是了解功率半導(dǎo)體器件行業(yè)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀并預(yù)測未來走向，幫助企業(yè)做好專利預(yù)警的**工具書。
功率半導(dǎo)體器件-產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告-(第10冊)-(附光盤) 目錄
第1章 研究概述
1.1 技術(shù)概況
1.1.1 主要功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)特點(diǎn)及應(yīng)用
1.1.2 產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3 行業(yè)需求
1.2 研究對象和方法
1.2.1 技術(shù)分解
1.2.2 數(shù)據(jù)檢索
1.2.3 查全查準(zhǔn)評估
1.2.4 數(shù)據(jù)處理
1.2.5 相關(guān)事項(xiàng)和約定
第2章 功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?qū)＠治?br>2.1 全球?qū)＠治?br>2.1.1 發(fā)展趨勢分析
2.1.2 首次申請國家／地區(qū)分析
2.1.3 目標(biāo)國家／地區(qū)分析
2.1.4 申請人分析
2.2 中國專利分析
2.2.1 中國專利申請發(fā)展趨勢分析
2.2.2 主要技術(shù)分析
2.2.3 專利申請的國別分析
2.2.4 專利申請的省市／地區(qū)區(qū)域分布
2.2.5 國內(nèi)外申請人的類型分析
2.2.6 主要申請人分析
2.3 結(jié)論
第3章 igbt領(lǐng)域?qū)＠暾埛治?br>3.1 igbt領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)技術(shù)概況
3.1.1 技術(shù)概況
3.1.2 產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
3.2 全球?qū)＠暾埇F(xiàn)狀
3.2.1 技術(shù)構(gòu)成分析
3.2.2 igbt結(jié)構(gòu)的技術(shù)發(fā)展路線
3.2.3 首次申請國家／地區(qū)分析
3.2.4 目標(biāo)國家／地區(qū)分析
3.2.5 申請人分析
3.3 中國專利申請現(xiàn)狀
3.3.1 申請趨勢分析
3.3.2 技術(shù)構(gòu)成分析
3.3.3 技術(shù)功效分析
3.3.4 國外申請人區(qū)域分布分析
3.3.5 中國申請人區(qū)域分布分析
3.3.6 主要申請人分析
3.3.7 小結(jié)
3.4 結(jié)論
3.4.1 全球申請
3.4.2 中國申請
第4章 sic器件專利申請分析
4.1 全球?qū)＠暾埇F(xiàn)狀
4.1.1 申請趨勢分析
4.1.2 技術(shù)生命周期分析
4.1.3 技術(shù)構(gòu)成分析
4.1.4 申請人國家／地區(qū)分布
4.1.5 申請人分析
4.2 中國專利申請現(xiàn)狀
4.2.1 申請趨勢分析
4.2.2 技術(shù)構(gòu)成分析
4.2.3 申請人分析
4.3 mosfet柵氧化膜技術(shù)分析
4.3.1 發(fā)展路線分析
4.3.2 中國申請技術(shù)布局
4.3.3 未來需重點(diǎn)關(guān)注的相關(guān)申請
4.4 結(jié)論
4.4.1 全球申請狀況
4.4.2 中國申請狀況
4.4.3 mosfet柵氧化膜技術(shù)
第5章 英飛凌公司專利申請分析
5.1 專利申請現(xiàn)狀
5.1.1 申請量趨勢分析
……
第6章 abb公司專利申請分析
第7章 重要專利篩選及分析
第8章 主要結(jié)論
附錄1 重要專利列表
附錄2 sicmosfet器件柵氧化膜技術(shù)未來需要關(guān)注的相關(guān)申請
圖索引
表索引
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