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晶體生長及缺陷形成概論-晶體生長手冊-第1冊-(影印版) 版權信息
- ISBN：9787560333861
- 條形碼：9787560333861 ; 978-7-5603-3386-1
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
晶體生長及缺陷形成概論-晶體生長手冊-第1冊-(影印版) 本書特色
多年以來，有很多探索研究已經成功地描述了晶體生長的生長工藝和科學，有許多文章、專著、會議文集和手冊對這一領域的前沿成果做了綜合評述。這些出版物反映了人們對體材料晶體和薄膜晶體的興趣日益增長，這是由于它們的電子、光學、機械、微結構以及不同的科學和技術應用引起的。實際上，大部分半導體和光器件的現代成果，如果沒有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶體的發展則是不可能的。這些文章致力于生長機制的基本理解、缺陷形成、生長工藝和生長系統的設計，因此數量是龐大的。 本手冊針對目前備受關注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術水平進行闡述。我們的目的是使讀者了解經常使用的生長工藝、材料生產和缺陷產生的基本知識。為完成這一任務，我們精選了50多位**科學家、學者和工程師，他們的合作者來自于22個不同國家。這些作者根據他們的專業所長，編寫了關于晶體生長和缺陷形成共計52章內容：從熔體、溶液到氣相體材料生長；外延生長；生長工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術以及一些現代的特別課題。
晶體生長及缺陷形成概論-晶體生長手冊-第1冊-(影印版) 內容簡介
多年以來，有很多探索研究已經成功地描述了晶體生長的生長工藝和科學，有許多文章、專著、會議文集和手冊對這一領域的前沿成果做了綜合評述。這些出版物反映了人們對體材料晶體和薄膜晶體的興趣日益增長，這是由于它們的電子、光學、機械、微結構以及不同的科學和技術應用引起的。實際上，大部分半導體和光器件的現代成果，如果沒有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶體的發展則是不可能的。這些文章致力于生長機制的基本理解、缺陷形成、生長工藝和生長系統的設計，因此數量是龐大的。 本手冊針對目前備受關注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術水平進行闡述。我們的目的是使讀者了解經常使用的生長工藝、材料生產和缺陷產生的基本知識。為完成這一任務，我們精選了50多位**科學家、學者和工程師，他們的合作者來自于22個不同國家。這些作者根據他們的專業所長，編寫了關于晶體生長和缺陷形成共計52章內容：從熔體、溶液到氣相體材料生長；外延生長；生長工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術以及一些現代的特別課題。
晶體生長及缺陷形成概論-晶體生長手冊-第1冊-(影印版) 目錄
縮略語
part a晶體生長基礎及缺陷形成
1.晶體生長技術和表征：綜述
1.1發展歷史
1.2晶體生長理論
1.3晶體生長技術
1.4晶體缺陷及表征
參考文獻
2.表面成核
2.1晶體環境相平衡
2.2晶核形成及工作機理
2.3成核率
2.4飽和晶核密度
2.5在同質外延中的第二層成核
2.6異質外延中的聚集機理
2.7表面活性劑對成核的影響
2.8結論與展望
參考文獻
3.溶液中的晶體生長形態
3.1相平衡
3.2晶體的生長相理論
3.3影響晶體特性的因素
3.4表面結構
3.5晶體缺陷
3.6成核動力學一一過飽和
3.7溶劑
3.8雜質
3.9其他因素
3.10晶體特性變化過程
3.11小結
3.a附錄
參考文獻
4.晶體生長過程中缺陷的生長及演變
4.1綜述
4.2包晶
4.3條紋和生長區
4.4位錯
4.5孿晶
4.6溶液中快速生長完整晶體
參考文獻
5.沒有約束條件下的單晶生長
5.1背景
5.2光滑和粗糙的接觸面：生長機理和形態學
5.3表面微形貌
5.4多面體材料晶體的生長形貌
5.5內部形態
5.6完整單晶
參考文獻
6.熔體生長晶體期間缺陷的形成
6.1綜述
6.2點缺陷
6.3位錯
6.4第二相粒子
6.5面缺陷
6.6孿晶
6.7總結
參考文獻
展開全部
晶體生長及缺陷形成概論-晶體生長手冊-第1冊-(影印版) 作者簡介
Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal Growth Technologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） at Nashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large size sapphire crystals for LED lighting applications， characterization and related crystal growth furnace development. He received his PhD from the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master of Science from Anna University （India）. Immediately after his doctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory， presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology in India， where he established an advanced Crystal Growth Laboratory for the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARC Energy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at the Department of Materials Science and Engineering， Stony Brook University， NY， and also held a position of Research Assistant Professor at Hampton University， VA. During his 25 years of focused expertise in crystal growth research， he has developed optical， laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films using solution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， and characterized them using x-ray topography， synchrotron topography， chemical etching and optical and atomic force microscopic techniques. He co-organized a symposium on Industrial Crystal Growth under the 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009. Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served as session chairman in many crystal growth and materials science meetings. He has published over 100 papers and his research articles have attracted over 250 rich citations.
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