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包郵 晶體生長(zhǎng)模型及缺陷表征-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第5冊(cè)-(影印版)
作者：(美)德哈納拉,等編
開本：
16開
頁(yè)數(shù)：
367
本類榜單：自然科學(xué)銷量榜
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晶體生長(zhǎng)模型及缺陷表征-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第5冊(cè)-(影印版) 版權(quán)信息
- ISBN：9787560338705
- 條形碼：9787560338705 ; 978-7-5603-3870-5
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類：>>
晶體生長(zhǎng)模型及缺陷表征-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第5冊(cè)-(影印版) 本書特色
《springer手冊(cè)精選系列·晶體生長(zhǎng)手冊(cè)（第5冊(cè)）：晶體生長(zhǎng)模型及缺陷表征（影印版）》介紹了生長(zhǎng)工藝和缺陷形成的模型。這些章節(jié)驗(yàn)證了工藝參數(shù)和產(chǎn)生晶體質(zhì)量問(wèn)題包括缺陷形成的直接相互作用關(guān)系。隨后的partg展示了結(jié)晶材料特性和分析的發(fā)展。partf和g說(shuō)明了預(yù)測(cè)工具和分析技術(shù)在幫助高質(zhì)量的大尺寸晶體生長(zhǎng)工藝的設(shè)計(jì)和控制方面是非常好用的。
晶體生長(zhǎng)模型及缺陷表征-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第5冊(cè)-(影印版) 內(nèi)容簡(jiǎn)介
《Springer手冊(cè)精選系列·晶體生長(zhǎng)手冊(cè)（第5冊(cè)）：晶體生長(zhǎng)模型及缺陷表征（影印版）》介紹了生長(zhǎng)工藝和缺陷形成的模型。這些章節(jié)驗(yàn)證了工藝參數(shù)和產(chǎn)生晶體質(zhì)量問(wèn)題包括缺陷形成的直接相互作用關(guān)系。隨后的PartG展示了結(jié)晶材料特性和分析的發(fā)展。PartF和G說(shuō)明了預(yù)測(cè)工具和分析技術(shù)在幫助高質(zhì)量的大尺寸晶體生長(zhǎng)工藝的設(shè)計(jì)和控制方面是非常好用的。
晶體生長(zhǎng)模型及缺陷表征-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第5冊(cè)-(影印版) 目錄
縮略語(yǔ)
partf 晶體生長(zhǎng)及缺陷模型
36 熔體生長(zhǎng)晶體體材料的傳導(dǎo)和控制
36.1 運(yùn)輸過(guò)程的物理定律
36.2 熔體的流動(dòng)結(jié)構(gòu)
36.3 外力對(duì)流動(dòng)的控制
36.4 前景
參考文獻(xiàn)
37 ⅲ族氮化物的氣相生長(zhǎng)
37.1 ⅲ族氮化物的氣相生長(zhǎng)概述
37.2 ain/gan氣相淀積的數(shù)學(xué)模型
37.3 氣相淀積ain/gan的表征
37.4 gan的ivpe生長(zhǎng)模型——個(gè)案研究
37.5 氣相gan/ain膜生長(zhǎng)的表面形成
37.6 結(jié)語(yǔ)
參考文獻(xiàn)
38 生長(zhǎng)直拉硅晶體中連續(xù)尺寸量子缺陷動(dòng)力學(xué)
38.1 微缺陷的發(fā)現(xiàn)
38.2 無(wú)雜質(zhì)時(shí)的缺陷動(dòng)力學(xué)
38.3 有氧時(shí)的直拉缺陷動(dòng)力學(xué)
38.4 有氮時(shí)的直拉缺陷動(dòng)力學(xué)
38.5 直拉硅單晶中空位的橫向合并
38.6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
39 熔體基底化合物晶體生長(zhǎng)中應(yīng)力和位錯(cuò)產(chǎn)生的模型
39.1 綜述
39.2 晶體生長(zhǎng)過(guò)程
39.3 半導(dǎo)體材料的位錯(cuò)分布
39.4 位錯(cuò)產(chǎn)生的模型
39.5 晶體的金剛石結(jié)構(gòu)
39.6 半導(dǎo)體的變形特性
39.7 haasen模型對(duì)晶體生長(zhǎng)的應(yīng)用
39.8 替代模式
39.9 模型概述和數(shù)值實(shí)現(xiàn)
39.1 0數(shù)值結(jié)果
39.1 1總結(jié)
參考文獻(xiàn)
40 bs和efg系統(tǒng)中的質(zhì)量和熱量傳輸
40.1 雜質(zhì)分布的基預(yù)測(cè)模型——垂直bs系統(tǒng)
40.2 雜質(zhì)分布的基預(yù)測(cè)模型-efg系統(tǒng)
參考文獻(xiàn)
partg 缺陷表征及技術(shù)
41晶體層結(jié)構(gòu)的x射線衍射表征
41.1 x射線衍射
41.2 層結(jié)構(gòu)的基本直接x射線衍射分析
41.3 設(shè)備和理論思考
41.4 從低到高的復(fù)雜性分析實(shí)例
41.5 快速分析
41.6 薄膜微映射
41.7 展望
參考文獻(xiàn)
42 晶體缺陷表征的x射線形貌技術(shù)
42.1 x射線形貌的基本原則
42.2 x射線形貌技術(shù)的發(fā)展歷史
42.3 x射線形貌技術(shù)和幾何學(xué)
42.4 x射線形貌技術(shù)理論背景
42.5 x射線形貌上缺陷的對(duì)比原理
42.6 x射線形貌上的缺陷分析
42.7 目前的應(yīng)用狀況和發(fā)展
參考文獻(xiàn)
……
43 半導(dǎo)體的缺陷選擇性刻蝕
44 晶體的透射電子顯微鏡表征
45 點(diǎn)缺陷的電子自旋共振表征
46 半導(dǎo)體缺陷特性的正電子湮沒(méi)光譜表征
展開全部
晶體生長(zhǎng)模型及缺陷表征-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第5冊(cè)-(影印版) 相關(guān)資料
施普林格的手冊(cè)，一貫全面闡述基礎(chǔ)理論，提供可靠的研究方法和關(guān)鍵知識(shí)皮及大量的參考文獻(xiàn)，介紹最新的應(yīng)用實(shí)例，前瞻學(xué)科的發(fā)展方向。手冊(cè)作者多為世界首席專家或知名學(xué)者。手冊(cè)具有極大的實(shí)用性，其表格、圖標(biāo)、索引等更增加了它的使用價(jià)值。 ——《springer手冊(cè)精選系列》推薦委員會(huì)
晶體生長(zhǎng)模型及缺陷表征-晶體生長(zhǎng)手冊(cè)-第5冊(cè)-(影印版) 作者簡(jiǎn)介
Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal Growth Technologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） at Nashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large size sapphire crystals for LED lighting applications， characterization and related crystal growth furnace development. He received his PhD from the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master of Science from Anna University （India）. Immediately after his doctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory， presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology in India， where he established an advanced Crystal Growth Laboratory for the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARC Energy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at the Department of Materials Science and Engineering， Stony Brook University， NY， and also held a position of Research Assistant Professor at Hampton University， VA. During his 25 years of focused expertise in crystal growth research， he has developed optical， laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films using solution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， and characterized them using x-ray topography， synchrotron topography， chemical etching and optical and atomic force microscopic techniques. He co-organized a symposium on Industrial Crystal Growth under the 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009. Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served as session chairman in many crystal growth and materials science meetings. He has published over 100 papers and his research articles have attracted over 250 rich citations.
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