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電子元器件可靠性技術(shù)教程 版權(quán)信息
- ISBN：9787512401365
- 條形碼：9787512401365 ; 978-7-5124-0136-5
- 裝幀：暫無
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
電子元器件可靠性技術(shù)教程 本書特色
《電子元器件可靠性技術(shù)教程》：普通高校“十一五”規(guī)劃教材
電子元器件可靠性技術(shù)教程 目錄
第1章 元器件的分類1.1 現(xiàn)代元器件的發(fā)展里程碑1.1.1 **個半導(dǎo)體晶體管的誕生1.1.2 集成電路的發(fā)明和商業(yè)化1.2 元器件的分類與功能1.2.1 電氣元件1.2.2 機電元件1.2.3 電子器件1.2.4 其他元器件1.3 MEMS器件1.3.1 MEMS壓力與慣性器件1.3.2 微流體器件1.3.3 微光機電系統(tǒng)1.3.4 生物MEMS器件1.3.5 射頻MEMS器件1.3.6 MEMS器件的主要失效機理本章小結(jié)習(xí)題第2章 元器件制造技術(shù)2.1 半導(dǎo)體集成電路芯片制造技術(shù)2.1.1 發(fā)展里程碑2.1.2 基本工藝2.1.3 器件工藝2.1.4 芯片加工中的缺陷和成品率預(yù)測2.2 混合集成電路工藝2.2.1 厚膜工藝2.2.2 薄膜工藝2.2.3 混合集成電路的失效2.3 微機械加工技術(shù)2.3.1 體硅加工2.3.2 表面微加工2.3.3 LIGAE1藝2.4 納米尺度制造本章小結(jié)習(xí)題第3章 微電子的封裝技術(shù)3.1 微電子封裝概述3.1.1 封裝的作用3.1.2 封裝發(fā)展歷程3.1.3 微電子封裝的分級3.1 _4封裝的分類3.2 器件級封裝工藝3.2.1 典型工藝流程3.2.2 芯片互連方法3.3 器件級封裝的分類及其特點3.3.1 插裝型封裝3.3.2 表面安裝型封裝3.3.3 多芯片組件3.4 封裝技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用3.4.1 3D封裝3.4.2 系統(tǒng)封裝3.4.3 MEMS封裝3.5 微電子的失效機理3.5.1 熱／機械失效3.5.2 電致失效3.5.3 電化學(xué)失效本章小結(jié)習(xí)題第4章 元器件可靠性試驗與評價技術(shù)4.1 元器件可靠性試驗4.1.1 元器件可靠性試驗的定義4.1.2 元器件可靠性試驗的分類4.1.3 元器件可靠性試驗方法的國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)4.2 元器件可靠性基礎(chǔ)試驗4.2.1 元器件可靠性基礎(chǔ)試驗的定義4.2.2 可靠性基礎(chǔ)試驗的分類4.2.3 氣候環(huán)境應(yīng)力試驗4.2.4 機械環(huán)境應(yīng)力試驗4.2.5 與封裝有關(guān)的試驗4.2.6 與密封有關(guān)的試驗4.2.7 老煉試驗4.2.8 與外引線有關(guān)的試驗4.2.9 特殊試驗4.2.10 與標(biāo)識有關(guān)的試驗4.2.11 與輻射有關(guān)的試驗4.2.12 塑封器件特殊的可靠性基礎(chǔ)試驗4.3 元器件可靠性壽命試驗4.3.1 壽命試驗的定義和分類4.3.2 指數(shù)分布壽命試驗方案的確定4.3.3 壽命試驗中的一些技術(shù)問題4.4 元器件加速壽命試驗4.4.1 加速壽命試驗的定義4.4.2 加速壽命試驗的分類4.4.3 加速壽命試驗的理論依據(jù)4.4.4 恒定應(yīng)力加速壽命試驗方案的設(shè)計與實施4.4.5 加速壽命試驗的數(shù)據(jù)處理4.4.6 加速壽命試驗舉例4.5 元器件可靠性試驗的設(shè)計4.6 現(xiàn)代元器件可靠性評價技術(shù)4.6.1 現(xiàn)代元器件可靠性評價技術(shù)的發(fā)展4.6.2 晶片級可靠性評價技術(shù)4.6.3 微電子測試結(jié)構(gòu)可靠性評價技術(shù)4.6.4 結(jié)構(gòu)工藝質(zhì)量認(rèn)證可靠性評價技術(shù)4.6.5 敏感參數(shù)可靠性評價技術(shù)4.7 計算機輔助集成電路可靠性評價技術(shù)4.7.1 計算機輔助集成電路可靠性評價技術(shù)概述4.7.2 計算機輔助集成電路可靠性評價系統(tǒng)的構(gòu)成4.7.3 電遷移失效計算機模擬技術(shù)4.7.4 熱載流子退化計算機模擬技術(shù)4.7.5 氧化層擊穿失效計算機模擬技術(shù)本章小結(jié)習(xí)題第5章 元器件的使用可靠性控制5.1 元器件可靠性與質(zhì)量的概念5.1.1 元器件的可靠性5.1.2 元器件的失效率5.1.3 元器件質(zhì)量與質(zhì)量等級5.2 元器件的使用質(zhì)量管理5.2.1 元器件的使用質(zhì)量管理流程5.2.2 元器件選擇5.2.3 元器件采購5.2.4 元器件監(jiān)制5.2.5 元器件驗收5.2.6 元器件二次篩選5.2.7 元器件破壞性物理分析(DPA)5.2.8 元器件失效分析5.2.9 元器件使用5.2.10 元器件電裝與調(diào)試5.2.11 元器件儲存保管和超期復(fù)驗5.2.12 元器件發(fā)放5.2.13 失效或不合格元器件處理5.2.14 元器件評審5.2.15 元器件質(zhì)量信息管理5.3 元器件選用分析評價及其控制要求5.3.1 元器件選用與分析評價過程5.3.2 元器件優(yōu)選目錄制定和使用5.3.3 軍用產(chǎn)品元器件的選擇5.3.4 軍用元器件選用的控制要求5.4 軍用元器件質(zhì)量保證及其標(biāo)準(zhǔn)5.4.1 軍用元器件質(zhì)量保證概述5.4.2 軍用元器件可靠性和質(zhì)量保證有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)……第6章 元器件的降額設(shè)計第7章 熱設(shè)計與熱分析第8章 靜電放電損傷及防護(hù)第9章 可靠性篩選第10章 破壞性物理分析與失效分析附錄參考文獻(xiàn)
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電子元器件可靠性技術(shù)教程 節(jié)選
《電子元器件可靠性技術(shù)教程》是高等工科院校“質(zhì)量與可靠性”專業(yè)本科生教材，主要圍繞元器件可靠性技術(shù)這一主題，針對元器件的固有可靠性和使用可靠性的保證技術(shù)進(jìn)行了分類介紹。在固有可靠性保證中主要介紹了元器件的制造工藝、封裝技術(shù)、失效機理、可靠性試驗技術(shù)等。在使用可靠性保證中主要介紹了元器件選用控制、使用設(shè)計方法、靜電防護(hù)、可靠性篩選、破壞性物理分析及失效分析技術(shù)等。《電子元器件可靠性技術(shù)教程》在編寫過程中強調(diào)了理論與工程實踐相結(jié)合，不僅具有系統(tǒng)的技術(shù)性，還具有較強的工程實用性，并對一些前沿的元器件可靠性技術(shù)，如MEMS器件的可靠性現(xiàn)狀及失效機理等進(jìn)行了簡要介紹。《電子元器件可靠性技術(shù)教程》也可供大專院校其他專業(yè)本科生、研究生使用及工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)和參考。
電子元器件可靠性技術(shù)教程 相關(guān)資料
插圖：1954年，Bell實驗室開發(fā)出氧化、光掩膜、刻蝕和擴散工藝，這些工藝在今天的集成電路IC（Integreted Circuit）制造中仍在使用。1958年，德州儀器公司的Jack Kilby發(fā)明了集成電路，但是該發(fā)明用于大規(guī)模電路上存在連線上的困難。1958年后期，仙童公司的物理學(xué)家Jean Hoerni開發(fā)出一種在硅上制造PN結(jié)的技術(shù)，并在結(jié)上覆蓋了一層薄的硅氧化層作絕緣層，在硅二極管上蝕刻小孔用于連接PN結(jié)。SpragueElectric公司的物理學(xué)家Kurt Lehove開發(fā)出使用PN結(jié)隔離元件的技術(shù)，解決了連線問題。1959年，仙童公司的Robert Noyce通過在電路上方蒸鍍薄金屬層連接電路元件來制造集成電路，從此平面工藝開始了復(fù)雜的集成電路時代，并一直沿用至今。1960年Bell實驗室開發(fā)出外延沉積／注入技術(shù)，即將材料的單晶層沉積／注入到晶體襯底上。1961年，仙童公司和德州儀器公司共同推出了第一顆商用集成電路。1963年，RCA公司制造出第一片由金屬氧化物半導(dǎo)體MOS（Metal O.xide Semiconductor）工藝制造的集成電路，同年仙童公司的Frank Wanlass提出并發(fā)表了互補型MOS集成電路的概念。外延沉積／注入技術(shù)廣泛用于雙極型和亞微米互補金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）產(chǎn)品的加工。目前CMOS是應(yīng)用最廣泛的、高密度集成電路的基礎(chǔ)。
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