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半導體器件基礎 版權信息
- ISBN：9787121112546
- 條形碼：9787121112546 ; 978-7-121-11254-6
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體器件基礎 內容簡介
本書是一本微電子技術方面的入門書籍，全面介紹了半導體器件的基礎知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導體基礎，講解了半導體物理方面的相關知識及半導體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結、雙極結型晶體管（bjt）和其他結型器件的基本物理特性，并給出了相關特性的定性與定量分析。*后，作者討論了場效應器件，除了講解基礎知識之外，還分析了小尺寸器件相關的物理問題，并介紹了一些新型場效應器件。全書內容豐富、層析分明，兼顧了相關知識的深度與廣度，系統講解了解決實際器件問題所必需的分析工具，并且提供了大量利用計算機實現的練習與習題。
本書可作為微電子專業的本科生及研究生的教材或參考書，也是該領域工程技術人員的寶貴參考資料。
半導體器件基礎 目錄
**部分 半導體基礎
第1章 半導體概要
1.1 半導體材料的特性
1.1.1 材料的原子構成
1.1.2 純度
1.1.3 結構
1.2 晶體結構
1.2.1 單胞的概念
1.2.2 三維立方單胞
1.2.3 半導體晶格
1.2.4 密勒指數
1.3 晶體的生長
1.3.1 超純硅的獲取
1.3.2 單晶硅的形成
1.4 小結
習題
第2章 載流子模型
2.1 量子化概念
2.2 半導體模型
2.2.1 價鍵模型
2.2.2 能帶模型
2.2.3 載流子
2.2.4 帶隙和材料分類
2.3 載流子的特性
2.3.1 電荷
2.3.2 有效質量
2.3.3 本征材料內的載流子數
2.3.4 載流子數的控制—摻雜
2.3.5 與載流子有關的術語
2.4 狀態和載流子分布
2.4.1 態密度
2.4.2 費米分布函數
2.4.3 平衡載流子分布
2.5 平衡載流子濃度
2.5.1 n型和p型的公式
2.5.2 n型和p型表達式的變換
2.5.3 ni和載流子濃度乘積np
2.5.4 電中性關系
2.5.5 載流子濃度的計算
2.5.6 費米能級ef的確定
2.5.7 載流子濃度與溫度的關系
2.6 小結
習題
第3章 載流子輸運
3.1 漂移
3.1.1 漂移的定義與圖像
3.1.2 漂移電流
3.1.3 遷移率
3.1.4 電阻率
3.1.5 能帶彎曲
3.2 擴散
3.2.1 擴散的定義與圖像
3.2.2 熱探針測量法
3.2.3 擴散和總電流
3.2.4 擴散系數與遷移率的關系
3.3 復合-產生
3.3.1 復合-產生的定義與圖像
3.3.2 動量分析
3.3.3 r-g統計
3.3.4 少子壽命
3.4 狀態方程
3.4.1 連續性方程
3.4.2 少子的擴散方程
3.4.3 問題的簡化和解答
3.4.4 解答問題
3.5 補充的概念
3.5.1 擴散長度
3.5.2 準費米能級
3.6 小結
習題
第4章 器件制備基礎
4.1 制備過程
4.1.1 氧化
4.1.2 擴散
4.1.3 離子注入
4.1.4 光刻
4.1.5 薄膜淀積
4.1.6 外延
4.2 器件制備實例
4.2.1 pn結二極管的制備
4.2.2 計算機cpu的工藝流程
4.3 小結
**部分補充讀物和復習
可選擇的/補充的閱讀資料列表
圖的出處/引用的參考文獻
術語復習一覽表
**部分—復習題和答案
第二部分a pn結二極管
第5章 pn結的靜電特性
第7章 pn結二極管：小信號導納
第8章 pn結二極管：瞬態響應
第9章 光電二極管
第二部分b bjt和其他結型器件
第10章 bjt 基礎知識
第11章 bjt靜態特性
第12章 bjt動態響應模型
第13章 pnpn器件
第14章 ms接觸和肖特基二極管
第三部分 場效應器件
第15章 場效應導言—j-fet和mesfet
第16章 mos結構基礎
第17章 mosfet器件基礎
第18章 非理想mos
第19章 現代場效應管結構
附錄a 量子力學基礎
附錄b mos半導體靜電特性—精確解
附錄c mos c -v補充
附錄d mos i -v補充2
附錄e 符號表4
附錄f matlab程序源代碼
第1章 半導體概要
1.1 半導體材料的特性
1.1.1 材料的原子構成
1.1.2 純度
1.1.3 結構
1.2 晶體結構
1.2.1 單胞的概念
1.2.2 三維立方單胞
1.2.3 半導體晶格
1.2.4 密勒指數
1.3 晶體的生長
1.3.1 超純硅的獲取
1.3.2 單晶硅的形成
1.4 小結
習題
第2章 載流子模型
2.1 量子化概念
2.2 半導體模型
2.2.1 價鍵模型
2.2.2 能帶模型
2.2.3 載流子
2.2.4 帶隙和材料分類
2.3 載流子的特性
2.3.1 電荷
2.3.2 有效質量
2.3.3 本征材料內的載流子數
2.3.4 載流子數的控制—摻雜
2.3.5 與載流子有關的術語
2.4 狀態和載流子分布
2.4.1 態密度
2.4.2 費米分布函數
2.4.3 平衡載流子分布
2.5 平衡載流子濃度
2.5.1 n型和p型的公式
2.5.2 n型和p型表達式的變換
2.5.3 ni和載流子濃度乘積np
2.5.4 電中性關系
2.5.5 載流子濃度的計算
2.5.6 費米能級ef的確定
2.5.7 載流子濃度與溫度的關系
2.6 小結
習題
第3章 載流子輸運
3.1 漂移
3.1.1 漂移的定義與圖像
3.1.2 漂移電流
3.1.3 遷移率
3.1.4 電阻率
3.1.5 能帶彎曲
3.2 擴散
3.2.1 擴散的定義與圖像
3.2.2 熱探針測量法
3.2.3 擴散和總電流
3.2.4 擴散系數與遷移率的關系
3.3 復合-產生
3.3.1 復合-產生的定義與圖像
3.3.2 動量分析
3.3.3 r-g統計
3.3.4 少子壽命
3.4 狀態方程
3.4.1 連續性方程
3.4.2 少子的擴散方程
3.4.3 問題的簡化和解答
3.4.4 解答問題
3.5 補充的概念
3.5.1 擴散長度
3.5.2 準費米能級
3.6 小結
習題
第4章 器件制備基礎
4.1 制備過程
4.1.1 氧化
4.1.2 擴散
4.1.3 離子注入
4.1.4 光刻
4.1.5 薄膜淀積
4.1.6 外延
4.2 器件制備實例
4.2.1 pn結二極管的制備
4.2.2 計算機cpu的工藝流程
4.3 小結
**部分補充讀物和復習
可選擇的/補充的閱讀資料列表
圖的出處/引用的參考文獻
術語復習一覽表
**部分—復習題和答案
第二部分a pn結二極管
第5章 pn結的靜電特性
第7章 pn結二極管：小信號導納
第8章 pn結二極管：瞬態響應
第9章 光電二極管
第二部分b bjt和其他結型器件
第10章 bjt 基礎知識
第11章 bjt靜態特性
第12章 bjt動態響應模型
第13章 pnpn器件
第14章 ms接觸和肖特基二極管
第三部分 場效應器件
第15章 場效應導言—j-fet和mesfet
第16章 mos結構基礎
第17章 mosfet器件基礎
第18章 非理想mos
第19章 現代場效應管結構
附錄a 量子力學基礎
附錄b mos半導體靜電特性—精確解
附錄c mos c -v補充
附錄d mos i -v補充2
附錄e 符號表4
附錄f matlab程序源代碼
展開全部
半導體器件基礎 節選
本書是一本微電子技術方面的入門書籍，全面介紹了半導體器件的基礎知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導體基礎，講解了半導體物理方面的相關知識及半導體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結、雙極結型晶體管（BJT）和其他結型器件的基本物理特性，并給出了相關特性的定性與定量分析。*后，作者討論了場效應器件，除了講解基礎知識之外，還分析了小尺寸器件相關的物理問題，并介紹了一些新型場效應器件。全書內容豐富、層析分明，兼顧了相關知識的深度與廣度，系統講解了解決實際器件問題所必需的分析工具，并且提供了大量利用計算機實現的練習與習題。
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