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微電子器件分冊-電子元器件應(yīng)用技術(shù)手冊 版權(quán)信息
- ISBN：9787506657518
- 條形碼：9787506657518 ; 978-7-5066-5751-8
- 裝幀：暫無
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
微電子器件分冊-電子元器件應(yīng)用技術(shù)手冊 內(nèi)容簡介
本手冊收集了主要常用電子元器件的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、選用原則、檢驗、測試、篩選等應(yīng)用知識，并收集了部分常用的、有特殊性能的元器件的型號、規(guī)格及主要電性能參數(shù)，供讀者選用時參考，其目的就是為廣大科技人員、電路設(shè)計師、可靠性工程師、電子物資人員及檢驗人員提供一套比較完整實用的電子元器件應(yīng)用技術(shù)資料。
微電子器件分冊-電子元器件應(yīng)用技術(shù)手冊 目錄
第1章 微電子器件的分類與命名方法
1.1 微電子器件的分類
1.2 微電子器件的命名方法
1.2.1 國產(chǎn)微電子器件的型號命名方法
1.2.2 主要國家和地區(qū)半導(dǎo)體分立器件命名方法
第2章 微電子器件的主要電性能參數(shù)及檢測
2.1 主要電性能參數(shù)
2.1.1 半導(dǎo)體分立器件
2.1.2 集成電路
2.2 微電子器件的檢測
2.2.1 微電子器件的檢驗規(guī)則
2.2.2 半導(dǎo)體分立器件的測試
2.2.3 集成電路的測試
2.3 微電子器件測試儀器
2.3.1 分立器件的測試儀器——sts 8103a半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)
2.3.2 集成電路的測試儀器
第3章 微電子器件的二次篩選
3.1 電子元器件篩選的目的與要求
3.2 確定元器件篩選程序的依據(jù)
3.3 篩選程序
3.4 篩選試驗項目
3.4.1 高溫存貯試驗篩選(穩(wěn)定性烘焙)
3.4.2 電老煉篩選
3.4.3 溫度循環(huán)試驗篩選
3.4.4 密封檢漏篩選
3.4.5 晶體管熱敏參數(shù)快速篩選試驗
3.4.6 粒子碰撞噪聲檢測試驗篩選(pind試驗)
3.5 篩選試驗的利弊分析
3.5.1 篩選付出的代價
3.5.2 元器件二次篩選的局限性和風(fēng)險性
3.5.3 對主要篩選試驗項目的分析
3.6 篩選程序規(guī)范及舉例
3.6.1 對軍用半導(dǎo)體分立器件的篩選試驗要求
3.6.2 對軍用集成電路的篩選試驗要求
3.6.3 篩選程序舉例
3.7 篩選試驗設(shè)備
3.7.1 spzh-t高溫分立器件綜合老煉檢測系統(tǒng)
3.7.2 spjt-g大功率晶體管老煉篩選系統(tǒng)
3.7.3 spdc-t dc／dc電源高溫老煉檢測系統(tǒng)
第4章 電子元器件的選擇與控制
4.1 微電子器件的質(zhì)量等級
4.2 電子元器件的失效率等級
4.3 “七專”元器件
4.4 元器件的選擇規(guī)則
4.5 電子元器件的質(zhì)量控制
4.5.1 制定元器件可靠性保障大綱
4.5.2 對電子物資部門的要求
4.5.3 研制整機電子元器件的質(zhì)量控制
第5章 微電子器件的可靠性應(yīng)用
5.1 電浪涌對器件造成的損傷與防范
5.1.1 接通電容性負載時產(chǎn)生的浪涌電流
5.1.2 斷開電感性負載時產(chǎn)生的浪涌電壓
5.1.3 驅(qū)動白熾燈時產(chǎn)生的浪涌電流
5.1.4 數(shù)字集成電路開關(guān)工作時產(chǎn)生的電流浪涌
5.1.5 直流穩(wěn)壓電源引起的浪涌
5.1.6 接地不當(dāng)導(dǎo)致器件損壞
5.1.7 ttl電路防浪涌干擾的應(yīng)用
5.2 噪聲對微電子器件的影響
5.2.1 對接地不良引起噪聲的防范
5.2.2 對靜電耦合和電磁耦合產(chǎn)生噪聲的防范
5.2.3 對反射引起噪聲的防范
5.3 溫度對微電子器件的影響
5.4 機械過應(yīng)力對器件的損傷
5.4.1 引線的形成與切斷
5.4.2 在印制板上安裝器件
5.4.3 焊接
5.4.4 器件在整機系統(tǒng)中的布局設(shè)計
5.4.5 運輸
5.5 微電子器件的降額使用
5.5.1 微電子器件*大額定值的概念
5.5.2 合理降額
5.5.3 在降額使用時應(yīng)注意的問題
5.6 微電子器件的抗輻射應(yīng)用
5.6.1 抗輻射加固在電子整機系統(tǒng)的器件選擇
5.6.2 電子整機系統(tǒng)中的抗輻射措施
5.7 常用集成電路應(yīng)遵守的一般規(guī)則
5.8 集成穩(wěn)壓器的應(yīng)用與安全保護
5.8.1 集成穩(wěn)壓器的保護電路
5.8.2 使用中的安全保護
第6章 失效分析
6.1 失效分析所具備的基本條件
6.1.1 專業(yè)分析人員
6.1.2 分析設(shè)備及相關(guān)測試儀器
6.1.3 失效分析環(huán)境條件要求
6.2 微電子器件失效分析的一般程序
6.2.1 開封前
6.2.2 開封后
6.3 微電子器件失效模式與失效機理分析
6.3.1 微電子器件的制造工藝概述
6.3.2 工藝缺陷技術(shù)術(shù)語簡介
6.3.3 失效模式與失效機理
6.4 失效機理分析
6.4.1 表面失效機理分析
6.4.2 體內(nèi)失效機理分析
6.4.3 電極系統(tǒng)及封裝的失效機理分析
6.5 利用測試特性曲線進行分析
6.5.1 pn結(jié)特性曲線
6.5.2 晶體管異常輸出特性曲線
6.5.3 測試ic管腳電特性分析失效原因
第7章 靜電對微電子器件的危害與防范
7.1 靜電的危害
7.1.1 靜電效應(yīng)
7.1.2 靜電的危害
7.1.3 靜電對電子產(chǎn)品的損害形式
7.2 靜電敏感器件(ssd)的分級
7.2.1 靜電放電敏感度的分類
7.2.2 人體帶電模型
7.3 靜電的防護
7.3.1 建立安全工作區(qū)
7.3.2 靜電接地技術(shù)及其應(yīng)用
7.3.3 靜電防護的基本要求
7.3.4 靜電的防護措施
7.4 防靜電保護
7.4.1 防靜電保護元件
7.4.2 防靜電器材
第8章 半導(dǎo)體二極管
8.1 整流二極管
8.1.1 1n系列整流二極管
8.1.2 2dp系列整流二極管
8.1.3 快速恢復(fù)整流二極管
8.2 穩(wěn)壓二極管
8.2.1 2cw37系列穩(wěn)壓二極管
8.2.2 2cw系列穩(wěn)壓二極管
8.2.3 1n系列玻封硅穩(wěn)壓二極管
8.3 開關(guān)二極管
8.3.1 2ck系列硅開關(guān)二極管
8.3.2 1n系列開關(guān)二極管
8.4 微波二極管
8.4.1 簡介
8.4.2 點接觸二極管主要特性參數(shù)
8.4.3 肖特基勢壘二極管
8.4.4 pin二極管
8.4.5 體效應(yīng)二極管
8.4.6 變?nèi)荻䴓O管
8.5 點接觸二極管
第9章 半導(dǎo)體三極管
9.1 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)
9.2 半導(dǎo)體三極管的分類
9.3 半導(dǎo)體三極管的工作原理
9.4 半導(dǎo)體三極管的特性曲線
9.5 中小功率三極管
9.6 開關(guān)三極管
9.7 高反壓三極管
9.8 大功率三極管
9.9 低噪聲三極管
9.10 雙三極管
9.11 達林頓晶體管
第10章 集成電路
10.1 數(shù)字集成電路
10.1.1 cmos電路主要性能參數(shù)
10.1.2 數(shù)字集成電路外引線排列圖
10.2 模擬集成電路
10.2.1 常用集成運算放大器主要性能參數(shù)
10.2.2 集成運算放大器的封裝形式及引腳排列
10.2.3 運算放大器基本應(yīng)用電路
參考文獻
1.1 微電子器件的分類
1.2 微電子器件的命名方法
1.2.1 國產(chǎn)微電子器件的型號命名方法
1.2.2 主要國家和地區(qū)半導(dǎo)體分立器件命名方法
第2章 微電子器件的主要電性能參數(shù)及檢測
2.1 主要電性能參數(shù)
2.1.1 半導(dǎo)體分立器件
2.1.2 集成電路
2.2 微電子器件的檢測
2.2.1 微電子器件的檢驗規(guī)則
2.2.2 半導(dǎo)體分立器件的測試
2.2.3 集成電路的測試
2.3 微電子器件測試儀器
2.3.1 分立器件的測試儀器——sts 8103a半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)
2.3.2 集成電路的測試儀器
第3章 微電子器件的二次篩選
3.1 電子元器件篩選的目的與要求
3.2 確定元器件篩選程序的依據(jù)
3.3 篩選程序
3.4 篩選試驗項目
3.4.1 高溫存貯試驗篩選(穩(wěn)定性烘焙)
3.4.2 電老煉篩選
3.4.3 溫度循環(huán)試驗篩選
3.4.4 密封檢漏篩選
3.4.5 晶體管熱敏參數(shù)快速篩選試驗
3.4.6 粒子碰撞噪聲檢測試驗篩選(pind試驗)
3.5 篩選試驗的利弊分析
3.5.1 篩選付出的代價
3.5.2 元器件二次篩選的局限性和風(fēng)險性
3.5.3 對主要篩選試驗項目的分析
3.6 篩選程序規(guī)范及舉例
3.6.1 對軍用半導(dǎo)體分立器件的篩選試驗要求
3.6.2 對軍用集成電路的篩選試驗要求
3.6.3 篩選程序舉例
3.7 篩選試驗設(shè)備
3.7.1 spzh-t高溫分立器件綜合老煉檢測系統(tǒng)
3.7.2 spjt-g大功率晶體管老煉篩選系統(tǒng)
3.7.3 spdc-t dc／dc電源高溫老煉檢測系統(tǒng)
第4章 電子元器件的選擇與控制
4.1 微電子器件的質(zhì)量等級
4.2 電子元器件的失效率等級
4.3 “七專”元器件
4.4 元器件的選擇規(guī)則
4.5 電子元器件的質(zhì)量控制
4.5.1 制定元器件可靠性保障大綱
4.5.2 對電子物資部門的要求
4.5.3 研制整機電子元器件的質(zhì)量控制
第5章 微電子器件的可靠性應(yīng)用
5.1 電浪涌對器件造成的損傷與防范
5.1.1 接通電容性負載時產(chǎn)生的浪涌電流
5.1.2 斷開電感性負載時產(chǎn)生的浪涌電壓
5.1.3 驅(qū)動白熾燈時產(chǎn)生的浪涌電流
5.1.4 數(shù)字集成電路開關(guān)工作時產(chǎn)生的電流浪涌
5.1.5 直流穩(wěn)壓電源引起的浪涌
5.1.6 接地不當(dāng)導(dǎo)致器件損壞
5.1.7 ttl電路防浪涌干擾的應(yīng)用
5.2 噪聲對微電子器件的影響
5.2.1 對接地不良引起噪聲的防范
5.2.2 對靜電耦合和電磁耦合產(chǎn)生噪聲的防范
5.2.3 對反射引起噪聲的防范
5.3 溫度對微電子器件的影響
5.4 機械過應(yīng)力對器件的損傷
5.4.1 引線的形成與切斷
5.4.2 在印制板上安裝器件
5.4.3 焊接
5.4.4 器件在整機系統(tǒng)中的布局設(shè)計
5.4.5 運輸
5.5 微電子器件的降額使用
5.5.1 微電子器件*大額定值的概念
5.5.2 合理降額
5.5.3 在降額使用時應(yīng)注意的問題
5.6 微電子器件的抗輻射應(yīng)用
5.6.1 抗輻射加固在電子整機系統(tǒng)的器件選擇
5.6.2 電子整機系統(tǒng)中的抗輻射措施
5.7 常用集成電路應(yīng)遵守的一般規(guī)則
5.8 集成穩(wěn)壓器的應(yīng)用與安全保護
5.8.1 集成穩(wěn)壓器的保護電路
5.8.2 使用中的安全保護
第6章 失效分析
6.1 失效分析所具備的基本條件
6.1.1 專業(yè)分析人員
6.1.2 分析設(shè)備及相關(guān)測試儀器
6.1.3 失效分析環(huán)境條件要求
6.2 微電子器件失效分析的一般程序
6.2.1 開封前
6.2.2 開封后
6.3 微電子器件失效模式與失效機理分析
6.3.1 微電子器件的制造工藝概述
6.3.2 工藝缺陷技術(shù)術(shù)語簡介
6.3.3 失效模式與失效機理
6.4 失效機理分析
6.4.1 表面失效機理分析
6.4.2 體內(nèi)失效機理分析
6.4.3 電極系統(tǒng)及封裝的失效機理分析
6.5 利用測試特性曲線進行分析
6.5.1 pn結(jié)特性曲線
6.5.2 晶體管異常輸出特性曲線
6.5.3 測試ic管腳電特性分析失效原因
第7章 靜電對微電子器件的危害與防范
7.1 靜電的危害
7.1.1 靜電效應(yīng)
7.1.2 靜電的危害
7.1.3 靜電對電子產(chǎn)品的損害形式
7.2 靜電敏感器件(ssd)的分級
7.2.1 靜電放電敏感度的分類
7.2.2 人體帶電模型
7.3 靜電的防護
7.3.1 建立安全工作區(qū)
7.3.2 靜電接地技術(shù)及其應(yīng)用
7.3.3 靜電防護的基本要求
7.3.4 靜電的防護措施
7.4 防靜電保護
7.4.1 防靜電保護元件
7.4.2 防靜電器材
第8章 半導(dǎo)體二極管
8.1 整流二極管
8.1.1 1n系列整流二極管
8.1.2 2dp系列整流二極管
8.1.3 快速恢復(fù)整流二極管
8.2 穩(wěn)壓二極管
8.2.1 2cw37系列穩(wěn)壓二極管
8.2.2 2cw系列穩(wěn)壓二極管
8.2.3 1n系列玻封硅穩(wěn)壓二極管
8.3 開關(guān)二極管
8.3.1 2ck系列硅開關(guān)二極管
8.3.2 1n系列開關(guān)二極管
8.4 微波二極管
8.4.1 簡介
8.4.2 點接觸二極管主要特性參數(shù)
8.4.3 肖特基勢壘二極管
8.4.4 pin二極管
8.4.5 體效應(yīng)二極管
8.4.6 變?nèi)荻䴓O管
8.5 點接觸二極管
第9章 半導(dǎo)體三極管
9.1 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)
9.2 半導(dǎo)體三極管的分類
9.3 半導(dǎo)體三極管的工作原理
9.4 半導(dǎo)體三極管的特性曲線
9.5 中小功率三極管
9.6 開關(guān)三極管
9.7 高反壓三極管
9.8 大功率三極管
9.9 低噪聲三極管
9.10 雙三極管
9.11 達林頓晶體管
第10章 集成電路
10.1 數(shù)字集成電路
10.1.1 cmos電路主要性能參數(shù)
10.1.2 數(shù)字集成電路外引線排列圖
10.2 模擬集成電路
10.2.1 常用集成運算放大器主要性能參數(shù)
10.2.2 集成運算放大器的封裝形式及引腳排列
10.2.3 運算放大器基本應(yīng)用電路
參考文獻
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