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半導體異質結構與納米結構表征 版權信息
- ISBN：9787030269690
- 條形碼：9787030269690 ; 978-7-03-026969-0
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體異質結構與納米結構表征 本書特色
本書是由意大利torino大學材料系carlo lamberti教授主編的，以意大利的大學教授為主體，包括歐洲其他國家：英國、法國、西班牙、瑞士及比利時學者共同編寫的。全書共13章，內容是介紹表征異質結構，包括半導體異質結、超晶格，以及低維結構如ⅲ-ⅴ族化合物納米線、量子點等——的結構性質與電子性質的分析手段和方法。這些性質主要是指在襯底上生長的異質表面層或異質材料問的界面、界面層(interlayer)特性。
半導體異質結構與納米結構表征 內容簡介
本書主要討論了用于確定半導體量子阱和超晶格結構性質(結構、物理，化學、電氣等)的專門表征技術。此外，介紹了采用**原理進行的模擬、建模方法，以及異質結構的電學與光學特性。
本書結構基于雙重目標：以物理、化學，材料科學、工程學和納米技術領域的本科生與研究生能夠理解的程度，提供每一個被挑選的專門技術的基本概念；從*新的文獻中挑選采用這些專門技術得到的*佳結果作為例子，這些技術用來理解半導體異質結構的性質。這些章節綜合了基本概念的講解和*有關聯的創新例子的討論。此外，有關量子阱、量子線和量子點的內容可以看作是將先進表征技術應用到亞納米尺度下材料的結構與電學性質的實例。
在學術界與工業實驗室內從事異質結構器件設計，生長，表征與測試的研究人員，也可以用作更為廣泛的納米技術領域的參考書。
半導體異質結構與納米結構表征 目錄
前言
第1章 導論：納米技術的多學科性質與探索前沿表征技術的必要性
第2章 結構性質與電子性質的**原理(從頭算起)模擬研究
第3章 納米結構的電學性質表征
第4章 采用高分辨率x射線衍射技術(xrd)的半導體異質結構的應變與組分確定
第5章 透射電子顯微鏡(tem)技術用于成像與半導體異質結構的組分確定
第6章 通過光致發光技術(pl)以了解半導體納米結構的結構性質與電子性質
第7章 ⅲ族元素氮化物(ⅲ-nitride)的異質結構中的與功率大小有關的陰極發光：從內部場屏蔽到可控能帶帶隙調制
第8章 拉曼譜技術
第9章 用于半導體異質結構與納米結構研究的x射線吸收精細結構(xaps)方法
第10章 受同步輻射光照的納米結構：對表面敏感的x射線技術及異常散射
第11章 用于研究納米結構的結構性質的掠入射衍射異常精細結構(gidaps)方法
第12章 光發射譜在異質結研究中的作用
第13章 半導體異質結構界面與界面層的電子自旋諧振(esr)譜分析方法
名稱索引
第1章 導論：納米技術的多學科性質與探索前沿表征技術的必要性
第2章 結構性質與電子性質的**原理(從頭算起)模擬研究
第3章 納米結構的電學性質表征
第4章 采用高分辨率x射線衍射技術(xrd)的半導體異質結構的應變與組分確定
第5章 透射電子顯微鏡(tem)技術用于成像與半導體異質結構的組分確定
第6章 通過光致發光技術(pl)以了解半導體納米結構的結構性質與電子性質
第7章 ⅲ族元素氮化物(ⅲ-nitride)的異質結構中的與功率大小有關的陰極發光：從內部場屏蔽到可控能帶帶隙調制
第8章 拉曼譜技術
第9章 用于半導體異質結構與納米結構研究的x射線吸收精細結構(xaps)方法
第10章 受同步輻射光照的納米結構：對表面敏感的x射線技術及異常散射
第11章 用于研究納米結構的結構性質的掠入射衍射異常精細結構(gidaps)方法
第12章 光發射譜在異質結研究中的作用
第13章 半導體異質結構界面與界面層的電子自旋諧振(esr)譜分析方法
名稱索引
展開全部
半導體異質結構與納米結構表征 節選
《半導體異質結構與納米結構表征(導讀版)》主要討論了用于確定半導體量子阱和超晶格結構性質(結構、物理，化學、電氣等)的專門表征技術。此外，介紹了采用**原理進行的模擬、建模方法，以及異質結構的電學與光學特性！栋雽w異質結構與納米結構表征(導讀版)》結構基于雙重目標：以物理、化學，材料科學、工程學和納米技術領域的本科生與研究生能夠理解的程度，提供每一個被挑選的專門技術的基本概念；從*新的文獻中挑選采用這些專門技術得到的*佳結果作為例子，這些技術用來理解半導體異質結構的性質。這些章節綜合了基本概念的講解和*有關聯的創新例子的討論。此外，有關量子阱、量子線和量子點的內容可以看作是將先進表征技術應用到亞納米尺度下材料的結構與電學性質的實例。在學術界與工業實驗室內從事異質結構器件設計，生長，表征與測試的研究人員，也可以用作更為廣泛的納米技術領域的參考書。
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