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金屬有機化合物氣相外延基礎及應用 版權信息
- ISBN：9787030238450
- 條形碼：9787030238450 ; 978-7-03-023845-0
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
金屬有機化合物氣相外延基礎及應用 內容簡介
金屬有機化合物氣相處延(MOVPE)技術是制備化合物半導體異質結、低維結構材料，以及生產化合物半導體光電子、微電子器件的重要方法。本書是國內**本全面系統地介紹MOVPE的專著，從理論和實踐兩個方面分別論述了該技術的生長系統和原材料特性等實驗基礎、MOVPE生長熱力學、化學反應動力學和輸運現象等理論基礎。在此基礎上系統介紹了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料生長及其量子阱、量子點等低維結構的MOVPE生長，以及在光電器件和電子器件方面的應用。書中附有大量參考文獻，以便讀者進一步參考。
本書可供從事半導體科研和生產的科研人員、大專院校教師和研究生使用。
金屬有機化合物氣相外延基礎及應用 目錄
前言
第1章緒論
1.1 外延生長
1.2 MOVPE概述
參考文獻
第2章 MOVPE生長系統
2.1 MOVPE氣體輸運分系統
2.2 MOVPE生長反應室分系統
2.3 MOVPE尾氣處理分系統
2.4 MOVPE生長控制裝置分系統
2.5 MOVPE外延層生長的原位監測
參考文獻
第3章 原材料
3.1 金屬有機化合物源
3.2 氫化物源
參考文獻
第4章 MOVPE的熱力學分析
4.1 外延生長速度的限制機構
4.2 MOVPE生長的固溶體固相成分與氣相成分關系
4.3 MOVPE生長相圖與單凝聚相生長區
4.4 摻雜
參考文獻
第5章 MOVPE化學反應動力學和質量輸運
5.1 MOVPE化學反應動力學
5.2 MOVPE反應室內的輸運現象與模型化
5.3 MOVPE化學反應一輸運模型的應用
參考文獻
第6章 MOVPE的表面過程
6.1 表面成核
6.2 外延生長模式
6.3 MOVPE環境下的表面再構
6.4 表面活性劑
參考文獻
第7章 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MOVPE生長
7.1 GaAs及其固溶體的MOVPE生長
7.2 InP、GaP及其有關化合物的MOVPE生長
7.3 銻化物的MOVPE生長
7.4 氮化物的MOVPE生長
7.5 選擇外延生長和非平面襯底上的外延生長
7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半導體的MOVPE生長
參考文獻
第8章 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的MOVPE生長
8.1 ZnSe及其有關化合物的MOVPE生長
8.2 ZnO及其固溶體的MOVPE生長
8.3 HgCdTe的MOVPE生長
參考文獻
第9章 低維半導體材料的MOVPE生長
9.1 量子阱結構的MOVPE生長
9.2 量子點和量子線結構的生長
參考文獻
第10章 MOVPE技術在半導體器件方面的應用
10.1 發光二極管
10.2 激光器
10.3 太陽能電池
10.4 半導體光探測器
10.5 高電子遷移率場效應晶體管
10.6 異質結雙極晶體管
10.7 光電集成電路
參考文獻
后記
第1章緒論
1.1 外延生長
1.2 MOVPE概述
參考文獻
第2章 MOVPE生長系統
2.1 MOVPE氣體輸運分系統
2.2 MOVPE生長反應室分系統
2.3 MOVPE尾氣處理分系統
2.4 MOVPE生長控制裝置分系統
2.5 MOVPE外延層生長的原位監測
參考文獻
第3章 原材料
3.1 金屬有機化合物源
3.2 氫化物源
參考文獻
第4章 MOVPE的熱力學分析
4.1 外延生長速度的限制機構
4.2 MOVPE生長的固溶體固相成分與氣相成分關系
4.3 MOVPE生長相圖與單凝聚相生長區
4.4 摻雜
參考文獻
第5章 MOVPE化學反應動力學和質量輸運
5.1 MOVPE化學反應動力學
5.2 MOVPE反應室內的輸運現象與模型化
5.3 MOVPE化學反應一輸運模型的應用
參考文獻
第6章 MOVPE的表面過程
6.1 表面成核
6.2 外延生長模式
6.3 MOVPE環境下的表面再構
6.4 表面活性劑
參考文獻
第7章 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MOVPE生長
7.1 GaAs及其固溶體的MOVPE生長
7.2 InP、GaP及其有關化合物的MOVPE生長
7.3 銻化物的MOVPE生長
7.4 氮化物的MOVPE生長
7.5 選擇外延生長和非平面襯底上的外延生長
7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半導體的MOVPE生長
參考文獻
第8章 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的MOVPE生長
8.1 ZnSe及其有關化合物的MOVPE生長
8.2 ZnO及其固溶體的MOVPE生長
8.3 HgCdTe的MOVPE生長
參考文獻
第9章 低維半導體材料的MOVPE生長
9.1 量子阱結構的MOVPE生長
9.2 量子點和量子線結構的生長
參考文獻
第10章 MOVPE技術在半導體器件方面的應用
10.1 發光二極管
10.2 激光器
10.3 太陽能電池
10.4 半導體光探測器
10.5 高電子遷移率場效應晶體管
10.6 異質結雙極晶體管
10.7 光電集成電路
參考文獻
后記
展開全部
金屬有機化合物氣相外延基礎及應用 節選
第2章 MOVPE生成系統
2.1 MOVPE氣體輸運分系統
氣體輸運分系統的功能是向反應室內輸運各種反應劑，并精確控制其計量、送入的時間和順序以及流過反應室的總氣體流速等，以便生長特定成分與結構的外延層。氣體輸運分系統由載氣供應子系統、氫化物供應子系統、M0源供應子系統和特殊設計的生長／放空多路組合閥等組成。
2.1.1 載氣供應子系統
載氣的作用是把反應劑輸運到反應室。載氣供應子系統包括氫氣和氮氣鋼瓶、壓力調節閥、氫氣和氮氣的提純器等。氫氣易于提純，并且具有還原性成為*廣泛使用的載氣。需要注意的是H2遇空氣可能形成易燃、易爆的混合氣。N2的作用除了和H2一樣作為載氣外，還利用它的惰性，在裝卸襯底、更換源瓶、或維修設備打開系統前，用氮氣置換系統中的氫氣。
MOVPE生長系統使用的載氣需要很高的純度。氫氣提純普遍使用鈀合金擴散純化器，利用在300～400。C只有氫氣能擴散通過鈀合金的特點，將氫氣中的雜質，諸如02、H20、C0、C02、N2和所有碳氫化合物，都降到<1ppb+。為防止工作中意外斷電導致溫度降低損壞鈀合金膜，一般都配備不間斷電源。另一種方法是采用高壓氮氣為動力的Verituri氣體真空發生器抽出鈀合金中的氫，并配合氮氣吹掃來保護鈀合金。純化氮氣（和惰性氣體）則采用化學和物理吸附型純化器，諸如鋯基或鎳基化學吸收型純化器。
……
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