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先進半導體存儲器：結構、設計與應用 版權信息
- ISBN：7505399489
- 條形碼：9787505399488 ; 978-7-5053-9948-8
- 裝幀：簡裝本
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
先進半導體存儲器：結構、設計與應用 本書特色
DRAM作為新一代高容量半導體產品制造技術的推動者，除用于計算機領域外，還廣泛用于汽車、航空、軍事和航天、電信以及無線工業等領域。近年來，新一代高容量、高性能的存儲器結構得到了進一步發展，包括嵌入式存儲器和不揮發快閃存儲器在內的大容量存儲設備得到了越來越廣泛的應用。
本書深入介紹了先進半導體存儲器的技術與發展，內容詳盡而新穎，具體包括：
● 靜態隨機存取存儲器技術，涉及先進的體系結構、低壓SRAM、快速SRAM、SOlSRAM以及專用SRAM（多端口、FIFO、CAM等）
● 高性能動態隨機存取存儲器技術——DDR、同步DRAM／SGRAM的特性和體系結構、EDRAM、CDRAM、各位DRAM的等比例縮小問題及其體系結構、多電平存儲DRAM和SOl DRAM等
● 專用DRAM的體系結構和設計一一VRAM、DDRSGRAM、RDRAM、SLDRAM和三維RAM等
● 先進不揮發存儲器的設計和技術，包括浮柵單元理論、EEPROM／快閃存儲器單元設計和多電平快閃存儲器等
● FRAM及其可靠性問題
● 嵌入式存儲器的設計和應用，包括高速緩存、合并處理器、DRAM體系結構、存儲卡和多媒體應用等
● 未來存儲器的發展方向：采用RTD、單電子存儲器等技術使存儲容量從兆字節發展到兆兆字節
先進半導體存儲器：結構、設計與應用 內容簡介
本書深入介紹了先進半導體存儲器的技術與發展，論述全面，涵蓋了近年來的新技術成果。書中講解了靜態隨機存取存儲器技術、高性能的動態隨機存取存儲器、專用DRAM的結構和設計，先進的不揮發存儲器的設計和技術、嵌入式存儲器的設計和應用，以及未來存儲器的發展方向等。DRAM作為新一代半導體產品制造技術的推動者，除用于計算機領域之外，還用于汽車、航空、航天、電信以及無線工業等領域。近年來，新一代高容量、高性能的存儲器結構得到了進一步發展，包括嵌入式存儲器和不揮發快閃存儲器在內的大容量存儲設備得到了越來越廣泛的應用。
本書適合作為大學微電子專業高年級本科生及研究生的教材，也可作為從事半導體制造與研究的工作人員的參考用書。
先進半導體存儲器：結構、設計與應用 目錄
第1章 先進半導體存儲器引論
1.1 半導體存儲器綜述
1.2 先進半導體存儲器的發展
1.3 將來存儲器的發展方向
參考文獻
第2章 靜態隨機存取存儲器技術
2.1 靜態隨機存取存儲器的基本結構和單元結構
2.2 選擇SRAM時的考慮因素
2.3 高性能的SRAM
2.4 先進的SRAM結構
2.5 低壓SRAM
2.6 BiCMOS工藝的SRAM
2.7 SOI SRAM
2.8 特種SRAM
參考文獻
第3章 高性能的動態隨機存取存儲器
3.1 動態隨機存取存儲器技術和發展趨勢
3.2 DRAM時序規范和操作
3.3 擴充數據輸出動態隨機存取存儲器(EDO DRAM)
3.4 增強式動態隨機存取存儲器（EDRAM）
3.5 同步的動態隨機存取存儲器/圖像隨機存取存儲器結構
3.6 增強式同步動態隨機存取存儲器（ESDRAM）
3.7 高速緩存動態隨機存取存儲器（CDRAM）
3.8 虛擬通道存儲動態隨機存取存儲器（VCM DRAM ）
3.9 先進的DRAM工藝技術展望
3.10 千兆位DRAM等比例縮小問題和結構
3.11 多電平存儲的動態隨機存取存儲器（MLDRAM）
3.12 絕緣體基外延硅動態隨機存取存儲器（SOI DRAM）
參考文獻
第4章 專用DRAM結構與設計
4.1 視頻RAM（VRAM）
4.2 同步顯存（SGRAM）
4.3 Rambus技術概述
4.4 同步鏈接DRAM（SLDRAM）
4.5 3-D RAM
4.6 存儲系統設計思路
參考文獻
第5章 先進的不揮發存儲器設計與技術
5.1 不揮發存儲器進展
5.2 浮柵單元工作原理和操作
5.3 不揮發存儲器單元和陣列設計
5.4 快閃存儲器體系結構
5.5 多電平不揮發存儲器
5.6 快閃存儲器的可靠性問題
5.7 鐵電存儲器
參考文獻
第6章 嵌入式存儲器的設計與應用
6.1 嵌入式存儲器的發展
6.2 高速緩沖存儲器的設計
6.3 嵌入式SRAM和DRAM的設計
6.4 合并處理器的DRAM體系結構
6.5 采用嵌入式邏輯體系結構的DRAM工藝
6.6 嵌入式EEPROM和flash存儲器
6.7 存儲器卡及其多媒體應用
參考文獻
第7章 未來的存儲器方向：兆字節到兆兆字節
7.1 將來的存儲器發展
7.2 磁阻隨機存取存儲器（MRAM）
7.3 諧振隧道二極管為基的存儲器
7.4 單電子存儲器
7.5 相變非易失性存儲器
7.6 質子非易失性存儲器
7.7 其他存儲器技術的發展（例子）
參考文獻
1.1 半導體存儲器綜述
1.2 先進半導體存儲器的發展
1.3 將來存儲器的發展方向
參考文獻
第2章 靜態隨機存取存儲器技術
2.1 靜態隨機存取存儲器的基本結構和單元結構
2.2 選擇SRAM時的考慮因素
2.3 高性能的SRAM
2.4 先進的SRAM結構
2.5 低壓SRAM
2.6 BiCMOS工藝的SRAM
2.7 SOI SRAM
2.8 特種SRAM
參考文獻
第3章 高性能的動態隨機存取存儲器
3.1 動態隨機存取存儲器技術和發展趨勢
3.2 DRAM時序規范和操作
3.3 擴充數據輸出動態隨機存取存儲器(EDO DRAM)
3.4 增強式動態隨機存取存儲器（EDRAM）
3.5 同步的動態隨機存取存儲器/圖像隨機存取存儲器結構
3.6 增強式同步動態隨機存取存儲器（ESDRAM）
3.7 高速緩存動態隨機存取存儲器（CDRAM）
3.8 虛擬通道存儲動態隨機存取存儲器（VCM DRAM ）
3.9 先進的DRAM工藝技術展望
3.10 千兆位DRAM等比例縮小問題和結構
3.11 多電平存儲的動態隨機存取存儲器（MLDRAM）
3.12 絕緣體基外延硅動態隨機存取存儲器（SOI DRAM）
參考文獻
第4章 專用DRAM結構與設計
4.1 視頻RAM（VRAM）
4.2 同步顯存（SGRAM）
4.3 Rambus技術概述
4.4 同步鏈接DRAM（SLDRAM）
4.5 3-D RAM
4.6 存儲系統設計思路
參考文獻
第5章 先進的不揮發存儲器設計與技術
5.1 不揮發存儲器進展
5.2 浮柵單元工作原理和操作
5.3 不揮發存儲器單元和陣列設計
5.4 快閃存儲器體系結構
5.5 多電平不揮發存儲器
5.6 快閃存儲器的可靠性問題
5.7 鐵電存儲器
參考文獻
第6章 嵌入式存儲器的設計與應用
6.1 嵌入式存儲器的發展
6.2 高速緩沖存儲器的設計
6.3 嵌入式SRAM和DRAM的設計
6.4 合并處理器的DRAM體系結構
6.5 采用嵌入式邏輯體系結構的DRAM工藝
6.6 嵌入式EEPROM和flash存儲器
6.7 存儲器卡及其多媒體應用
參考文獻
第7章 未來的存儲器方向：兆字節到兆兆字節
7.1 將來的存儲器發展
7.2 磁阻隨機存取存儲器（MRAM）
7.3 諧振隧道二極管為基的存儲器
7.4 單電子存儲器
7.5 相變非易失性存儲器
7.6 質子非易失性存儲器
7.7 其他存儲器技術的發展（例子）
參考文獻
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