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硅基氮化鎵外延材料與芯片

包郵 硅基氮化鎵外延材料與芯片

作者:李國強 著
出版社:科學出版社出版時間:2025-01-01
開本: B5 頁數: 286
本類榜單:自然科學銷量榜
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硅基氮化鎵外延材料與芯片 版權信息

硅基氮化鎵外延材料與芯片 內容簡介

本書共8章。其中,第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義,著重分析了GaN材料的性質和Si基GaN外延材料與芯片制備的發展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機理出發,依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術難點及對應的生長技術調控手段。第3~7章依次介紹了Si基GaNLED材料與芯片、Si基GaN高電子遷移率晶體管、Si基GaN肖特基二極管、Si基GaN光電探測芯片和Si基GaN光電解水芯片的工作原理、技術瓶頸、制備工藝以及芯片性能調控技術,并介紹了上述各種Si基GaN芯片的應用與發展趨勢。第8章對Si基GaN集成芯片技術進行了闡述。

硅基氮化鎵外延材料與芯片 目錄

目錄《半導體科學與技術叢書》出版說明序前言第1章 Si基GaN材料與芯片的研究意義 11.1 半導體材料的分類 11.2 GaN的結構與性質 41.3 GaN制備的難點 71.4 Si基GaN材料與芯片 9參考文獻 12第2章 Si基GaN材料的外延生長 152.1 Si基GaN薄膜的外延生長 152.1.1 Si基GaN外延薄膜生長的科學技術難題 152.1.2 GaN薄膜生長的基本模型.182.1.3 橫向外延過生長 202.1.4 插入層技術 222.1.5 低溫生長技術 272.1.6 應力補償技術 302.2 零維GaN量子點的生長技術 342.2.1 Si基GaN量子點的優勢及生長難點 342.2.2 緩沖層生長技術 372.2.3 自組織生長技術 402.2.4 選區生長技術 442.3 一維GaN納米線的生長技術 482.3.1 一維GaN納米線的優勢及生長難點 482.3.2 催化劑輔助生長技術 512.3.3 掩模法選區生長技術 522.3.4 自組裝生長技術 542.4 二維GaN的生長技術 592.4.1 二維GaN的優勢及生長難點 592.4.2 石墨烯封裝的遷移增強技術 602.4.3 模板技術 642.4.4 表面限域生長技術 65參考文獻 67第3章 Si基GaN LED材料與芯片 753.1 引言 753.2GaNLED芯片工作原理 753.3 Si基GaN LED材料的發展意義 773.3.1 Si基GaN LED的優勢 773.3.2 Si基GaN LED面臨的瓶頸 783.4 Si基GaN LED材料的生長與優化 783.4.1 V形坑調控技術 783.4.2 超晶格應力釋放層 803.4.3 InGaN/GaN多量子阱的優化 813.4.4 電子阻擋層 833.4.5 p 型GaN的設計 853.5 Si基大功率GaN LED芯片的制備工藝 863.5.1 各類結構性能對比 863.5.2 Si基GaN LED芯片的工藝流程 873.5.3 分割線電極技術 883.5.4 三維通孔電極技術 893.5.5 電流阻擋層 913.5.6 鏡面結構 923.5.7 金屬鍵合 943.5.8 激光剝離技術 953.5.9 表面粗化 973.6 Si基GaN LED芯片的應用及發展趨勢 983.6.1 照明及其發展趨勢 983.6.2 micro/mini-LED及全彩顯示 983.6.3 Si基紫外LED 993.6.4 可見光通信應用及其發展趨勢 101參考文獻 104第4章 Si基GaN高電子遷移率晶體管 1074.1 引言 1074.2GaNHEMT芯片的工作原理及制備工藝 1084.2.1GaN異質結及其極化效應 1084.2.2GaNHEMT芯片的工作原理 1104.2.3GaNHEMT芯片的基本工藝技術 1114.3GaNHEMT芯片分類及應用 1144.3.1 耗盡型GaN HEMT芯片 1154.3.2 增強型GaN HEMT芯片 1164.3.3GaNHEMT芯片的性能參數 1194.4 Si基GaN HEMT芯片性能提升技術 1224.4.1 Si基GaN HEMT芯片性能提升面臨的難點 1224.4.2 異質外延結構調控技術 1234.4.3 Si基GaN HEMT芯片關鍵技術 1364.5 Si基GaN HEMT芯片應用及發展趨勢 1424.5.1 電力電子應用及其發展趨勢 1424.5.2 射頻應用及其發展趨勢 144參考文獻 146第5章 Si基GaN肖特基二極管 1485.1 引言 1485.2 Si基GaN SBD的原理及性能參數 1495.2.1 工作原理 1495.2.2 性能參數 1585.3 Si基GaN SBD芯片性能調控 1615.3.1 Si基GaN SBD芯片的優勢及面臨的瓶頸 1615.3.2 Si基GaN SBD芯片結構設計 1655.3.3 Si基GaN SBD關鍵工藝 1785.4 Si基GaN SBD的應用及發展趨勢 1845.4.1 電源管理 1855.4.2 射頻前端 1865.4.3 發展趨勢 187參考文獻 188第6章 Si基GaN光電探測芯片 1916.1 引言 1916.2 Si基GaN光電探測芯片的工作原理及制備工藝 1926.2.1 Si基GaN光電探測芯片的工作原理 1926.2.2 Si基GaN光電探測芯片的性能參數 1956.2.3 Si基GaN光電探測芯片的制備工藝 1996.3 Si基GaN光電探測芯片性能調控技術 2016.3.1 Si基GaN光電探測芯片面臨的瓶頸 2016.3.2 局域表面等離激元共振技術 2026.3.3 新型異質結技術 2046.3.4 低維納米材料技術 2106.4 Si基GaN光電探測芯片的應用 2156.4.1 光通信 2166.4.2 光學成像 218參考文獻 219第7章 Si基GaN光電解水芯片 2227.1 引言 2227.2 Si基GaN光電解水芯片的工作原理與結構參數 2237.2.1 光電解水芯片的工作原理 2237.2.2 Si基GaN光電解水芯片的結構 2257.2.3 Si基GaN光電解水芯片的性能參數 2267.3 Si基GaN光電解水芯片的發展意義 2307.3.1 Si基GaN光電解水芯片的優勢 2307.3.2 Si基GaN光電解水芯片面臨的瓶頸 2307.4 Si基GaN光電解水芯片的制備及性能 2317.4.1 Si基GaN光電解水芯片的制備工藝 2317.4.2 低失配外延技術 2347.4.3 摻雜工程 2367.4.4 異質結工程 2397.4.5 表面改性技術 2437.5 Si基GaN光電解水芯片的應用 2457.5.1 污染物分解 2457.5.2 海水電解 2477.5.3 PV-PEC耦合 248參考文獻 250第8章 Si基GaN集成芯片 2538.1 引言 2538.2 Si基GaN集成芯片工作原理及工藝 2548.3 Si基GaN集成芯片的優勢及應用 2548.3.1 Si基GaN數字芯片 2558.3.2 Si基GaN模擬芯片 2588.4 Si基GaN集成芯片的發展趨勢 262參考文獻 263《半導體科學與技術叢書》已出版書目 264
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