包郵集成電路制造工藝與模擬

作者：孫曉東、律博、宋文斌編著著

出版社：化學工業出版社出版時間：2025-01-01

開本： 16開 頁數： 185

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版權信息
本書特色
內容簡介
目錄

集成電路制造工藝與模擬版權信息

ISBN：9787122465375
條形碼：9787122465375 ; 978-7-122-46537-5
裝幀：平裝
冊數：暫無
重量：暫無
所屬分類：
工業技術
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電子通信
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微電子學、集成電路（IC）

集成電路制造工藝與模擬本書特色

★ 系統化集成電路教材，講解半導體制造工藝。★ 理論與實踐相結合，模擬實操掌握工藝流程。★ 加深對芯片制造工藝的深入理解，學以致用。

集成電路制造工藝與模擬內容簡介

本書內容涵蓋集成電路制造工藝及模擬仿真知識。詳細介紹了集成電路的發展史及產業發展趨勢、集成電路制造工藝流程及模擬仿真基礎、集成電路制造的材料及相關環境、晶圓的制備與加工；具體講解了氧化、淀積、金屬化、光刻、刻蝕、離子注入、平坦化等關鍵工藝步驟的理論，對氧化、光刻、離子注入等步驟進行工藝模擬仿真，對關鍵的光刻工藝進行虛擬操作模擬；以NMOS器件為例，介紹了基本CMOS工藝流程及其模擬過程。本書理論和實踐相結合，不僅講解了集成電路制造工藝及其理論知識，還通過工藝模擬軟件及虛擬操作模擬，使讀者親身感受關鍵的工藝步驟。本書可作為集成電路設計與集成系統、微電子科學與工程等專業的教材，也可供半導體行業從事芯片制造與加工的工程技術人員學習參考。

集成電路制造工藝與模擬目錄

第1章導論 0011.1 引言 0021.2 集成電路的發展歷史 0021.2.1 從分立元件到集成電路 0021.2.2 集成電路時代劃分 0051.2.3 摩爾定律的終結？ 0061.3 集成電路產業的發展 0071.3.1 集成電路產業鏈 0071.3.2 產業模式 008習題 0092.1 引言 0112.2 集成電路制造技術 0112.2.1 集成電路制造的階段劃分 0112.2.2 集成電路制造工藝流程 012第1章導論 0011.1 引言 0021.2 集成電路的發展歷史 0021.2.1 從分立元件到集成電路 0021.2.2 集成電路時代劃分 0051.2.3 摩爾定律的終結？ 0061.3 集成電路產業的發展 0071.3.1 集成電路產業鏈 0071.3.2 產業模式 008習題 009 第2章集成電路制造技術及模擬器 0102.1 引言 0112.2 集成電路制造技術 0112.2.1 集成電路制造的階段劃分 0112.2.2 集成電路制造工藝流程 0122.2.3 集成電路制造的發展趨勢 0132.3 工藝模擬器 0142.3.1 ATHENA概述 0142.3.2 工藝模擬仿真流程 0172.4 虛擬操作模擬器 0212.4.1 虛擬操作模擬概述 0212.4.2 虛擬操作基礎 021習題 023 第3章集成電路制造材料和化學品及沾污控制 0243.1 引言 0253.2 材料 0253.2.1 半導體 0253.2.2 硅材料 0273.2.3 三代半導體材料 0283.3 化學品 0303.3.1 液體 0303.3.2 氣體 0313.4 沾污控制 0323.4.1 沾污雜質的分類 0333.4.2 凈化間沾污與控制 0353.4.3 硅的濕法清洗 038習題 040 第4章晶圓制備與加工 0414.1 引言 0424.2 半導體硅制備 0424.3 晶體生長 0424.3.1 直拉法 0424.3.2 區熔法 0444.4 晶圓加工與設備 0444.4.1 整形 0454.4.2 切片 0454.4.3 磨片與倒角 0464.4.4 刻蝕 0464.4.5 拋光 0464.4.6 清洗 0474.4.7 硅片評估 0474.4.8 包裝 047習題 047 第5章氧化工藝及模擬 0485.1 引言 0495.1.1 氧化的概念 0495.1.2 二氧化硅膜的性質 0495.1.3 二氧化硅膜的用途 0505.2 氧化工藝 0525.2.1 熱氧化方法 0525.2.2 熱氧化原理 0535.2.3 氧化工藝流程 0555.3 氧化設備 0575.3.1 臥式爐 0575.3.2 立式爐 0595.3.3 快速熱處理設備 0595.4 氧化工藝模擬 0605.4.1 參數介紹 0605.4.2 仿真運行 061習題 062 第6章淀積工藝及模擬 0636.1 引言 0646.1.1 金屬層和介質層 0646.1.2 薄膜淀積的概念 0666.1.3 薄膜特性 0666.1.4 薄膜生長階段 0666.1.5 薄膜淀積技術 0676.2 淀積工藝 0686.2.1 化學氣相淀積 0686.2.2 原子層淀積 0706.2.3 外延工藝 0716.3 淀積設備 0726.3.1 APCVD 0736.3.2 LPCVD 0736.3.3 等離子體輔助CVD 0746.4 淀積工藝模擬 0756.4.1 參數介紹 0756.4.2 仿真運行 077習題 078 第7章金屬化工藝及模擬 0797.1 引言 0807.1.1 金屬化的概念 0807.1.2 金屬化的作用 0807.2 金屬化工藝 0807.2.1 金屬化的類型 0807.2.2 金屬淀積 0837.2.3 傳統金屬化流程 0847.2.4 雙大馬士革流程 0847.3 金屬化工藝設備 0857.3.1 蒸發設備 0857.3.2 濺射設備 0857.3.3 CVD設備 0877.4 金屬化工藝模擬 0887.4.1 參數介紹 0887.4.2 仿真運行 088習題 090 第8章光刻工藝及模擬 0918.1 引言 0928.1.1 光刻的概念及目的 0928.1.2 光刻的主要參數 0928.1.3 光源 0948.1.4 掩模版 0948.1.5 光刻膠 0958.1.6 正性光刻和負性光刻 0958.2 光刻工藝步驟 0968.2.1 氣相成底膜 0968.2.2 旋轉涂膠 0978.2.3 軟烘 0978.2.4 對準和曝光 0978.2.5 曝光后烘焙 0978.2.6 顯影 0988.2.7 堅膜烘焙 0988.2.8 顯影后檢查 0988.3 光刻工藝設備 0988.3.1 光刻技術的發展歷程 0988.3.2 接觸式/接近式光刻機 0998.3.3 分步重復光刻機 0998.3.4 步進掃描光刻機 0998.3.5 浸沒式光刻機 1008.3.6 極紫外光刻機 1018.3.7 電子束光刻系統 1018.3.8 晶圓勻膠顯影設備 1018.3.9 濕法去膠系統 1028.4 下一代光刻技術 1028.5 光刻工藝模擬 1028.5.1 參數介紹 1028.5.2 仿真運行 1068.6 光刻工藝虛擬操作 1108.6.1 氣相成底膜虛擬操作 1118.6.2 旋轉涂膠模擬操作 1118.6.3 軟烘模擬操作 1138.6.4 對準和曝光模擬操作 1138.6.5 曝光后烘焙模擬操作 1168.6.6 顯影模擬操作 1168.6.7 堅膜烘焙模擬操作 1168.6.8 顯影后檢查模擬操作 116習題 117 第9章刻蝕工藝及模擬 1189.1 引言 1199.1.1 刻蝕的概念 1199.1.2 刻蝕的參數 1199.2 刻蝕工藝 1219.2.1 干法刻蝕 1219.2.2 濕法刻蝕 1229.3 刻蝕工藝設備 1239.3.1 反應離子刻蝕 1239.3.2 等離子體刻蝕 1239.3.3 電感耦合等離子體刻蝕 1249.4 刻蝕工藝模擬 1259.4.1 參數介紹 1259.4.2 仿真運行 125習題 127 第10章離子注入工藝及模擬 12810.1 引言 12910.2 擴散 12910.2.1 擴散原理 12910.2.2 擴散工藝 13010.3 離子注入 13010.3.1 基本原理 13010.3.2 離子注入主要參數 13110.4 離子注入工藝設備 13210.4.1 擴散工藝設備 13210.4.2 離子注入工藝設備 13210.5 擴散工藝模擬 13410.5.1 參數介紹 13410.5.2 仿真運行 13510.6 離子注入工藝模擬 13610.6.1 參數介紹 13610.6.2 仿真運行 137習題 140 第11章化學機械平坦化工藝及模擬 14111.1 引言 14211.2 傳統平坦化工藝 14211.2.1 反刻 14211.2.2 玻璃回流 14211.2.3 旋涂膜層 14211.3 化學機械平坦化工藝 14311.4 平坦化工藝設備 14311.5 平坦化工藝模擬 14511.5.1 參數介紹 14511.5.2 仿真運行 147習題 147 第12章 NMOS工藝模擬及仿真 14812.1 引言 14912.2 NMOS工藝模擬 14912.2.1 結構初始化 14912.2.2 定義襯底 15112.2.3 柵極氧化 15312.2.4 離子注入 15812.2.5 多晶硅柵淀積 16012.2.6 多晶硅柵刻蝕 16112.2.7 多晶硅氧化 16212.2.8 多晶硅摻雜 16312.2.9 氧化層淀積 16412.2.10 源極/漏極注入和退火 16512.2.11 金屬淀積 16712.2.12 器件參數 16812.2.13 確定電極 17012.3 NMOS器件仿真 17212.3.1 ATLAS概述 17212.3.2 器件仿真流程 17212.3.3 NMOS結構器件仿真 173習題 184 參考文獻 185

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