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衍射極限附近的光刻工藝(第2版) 版權信息
- ISBN：9787302676119
- 條形碼：9787302676119 ; 978-7-302-67611-9
- 裝幀：精裝
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
衍射極限附近的光刻工藝(第2版) 本書特色
集成電路產業是信息技術產業的核心，是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業。光刻工藝是集成電路制造業核心工藝技術之一，在集成電路的諸多領域，扮演著不可或缺的重要作用。
本書以光刻工藝為主線，將光刻設備、光刻材料、光刻成像的理論計算、光刻工藝中各種建模思想和推導、芯片制造的技術發展要求，以及對光刻工藝各項參數的要求緊密地聯系在一起，為讀者展現一個整體的圖景。本書是一部極具深度和廣度的光刻工藝技術著作，覆蓋多學科領域，體系結構完整，內容系統全面，數據資料翔實，論述嚴謹，可讀性強。本書的出版將幫助讀者全面、深入地了解光刻技術，推動光刻技術各領域的交流和協同，促進人才培養、技術進步和產業發展。
伍強博士等作者是隨著半導體產業的發展成長起來的資深光刻技術專家，不僅有深厚的學術根基，還有豐富的產業經驗，他們帶領的團隊多年來在國內外多家頂級公司一線工作，掌握了業界領先的制造工藝。他們處理實際問題的經驗以及從產業出發的獨特技術視角，將給讀者帶來啟發和幫助。本書理論與實際相結合，緊跟國際技術前沿，不斷更新和完善內容。
衍射極限附近的光刻工藝(第2版) 內容簡介
"為了應對我國在集成電路領域,尤其是光刻技術方面嚴重落后于發達國家的局面,破解光刻制造設備、材料和光學鄰近效應修正軟件幾乎完全依賴進口的困境,作為從事光刻工藝研發近 20 年的資深研發人員,作者肩負著協助光刻設備、材料和軟件等產業鏈共同研發和發展的責任,將為了應對我國在集成電路領域，尤其是光刻技術方面嚴重落后于發達國家的局面，擺脫光刻制造設備、材料和光學鄰近效應修正軟件幾乎完全依賴進口的困境，作為從事光刻工藝研發近20年的資深研發人員，作者肩負著協助光刻設備、材料和軟件等產業鏈共同研發和發展的責任，將近20年的學習成果和研發經驗匯編成書，建立聯系我國集成電路芯片的研發和制造，設備、材料和軟件的研發，以及大專院校、科研院所的科學技術研究、人才培養的一座橋梁。 本書以光刻工藝為主線，將光刻設備、光刻材料、光刻成像的理論計算、光刻工藝中各種建 模思想和推導、芯片制造的技術發展要求以及對光刻工藝各項參數的要求緊密、有機地聯系在一起，給讀者一個整體的圖景。本書可供光刻技術領域科研院所的研究人員、大專院校的教師和學生、集成電路工廠的工程技術人員等參考。"
衍射極限附近的光刻工藝(第2版) 目錄
第1章光刻技術引論分析、結構分析成像和像差分析、結構分析工件臺方法)套刻偏差補償探測傳感器、干涉儀等)可變焦互補型錐鏡)光束準直)物鏡（Anamorphic）仿真算法參考文獻連續出片16.4.3套刻前饋和反饋16.4.4混合套刻測量和反饋第1章光刻技術引論
1.1集成電路簡史
1.2我國集成電路的發展簡史(1958年至20世紀90年代)
1.3我國成像鏡頭的發展簡史和數碼相機的*新成果
1.4光刻機的發展簡史和我國光刻機的發展簡史
1.5我國光刻膠的發展簡史和*新進展
1.6光刻工藝使用的其他設備的發展和我國的發展
1.7光刻工藝的仿真計算發展
1.8極紫外光刻的發展和導向自組裝的發展
參考文獻
第2章光刻工藝概覽
2.1光刻的整體技術要點
2.2光刻工藝的流程
2.3光刻工藝使用的設備
2.3.1光刻機
2.3.2涂膠顯影一體機
2.4光刻工藝使用的材料： 光刻膠、抗反射層、填隙材料
2.5光刻工藝的一整套建立方法，包括確定各種膜厚、照明條件、工藝窗口等
參考文獻
思考題
第3章光學成像原理及分辨率
3.1光學成像原理
3.2分辨率的定義： 瑞利判據、全寬半高定義
3.3部分相干光的成像理論： 照明條件中的部分相干性
3.4光學照明系統的結構和功能： 科勒照明方式
3.5光學成像的傅里葉變換
參考文獻
思考題
第4章光刻膠
4.1光刻材料綜述
4.1.1光刻膠
4.1.2溶劑
4.1.3光刻膠的生產流程
4.1.4抗反射層
4.1.5顯影液和清洗液
4.1.6剝離劑和清除劑
4.2負性光刻膠(光刻膠樹脂、負性光刻膠類型、交聯化學原理)
4.2.1負性光刻膠原理
4.2.2負性光刻膠類型
4.3非化學放大型正性光刻膠——紫外436nm、365nm光刻膠
4.3.1非化學放大型正性光刻膠——重氮萘醌酚醛樹脂光刻膠
4.3.2重氮萘醌酚醛樹脂類型光刻膠體系的主要組成成分
4.4化學放大型的正性光刻膠——深紫外（DUV）248nm、193nm光刻膠
4.4.1對更短波長深紫外光刻膠的需求
4.4.2化學放大的原理
4.4.3基于聚羥基苯乙烯及其衍生物的248nm光刻膠
4.4.4以聚甲基丙烯酸酯為主的193nm光刻膠
4.4.5193nm浸沒式光刻膠
4.4.6正性負顯影（NTD）光刻膠
4.5極紫外（EUV）光刻膠
4.5.1基于斷鏈作用的非化學放大光刻膠
4.5.2聚合物型化學放大光刻膠
4.5.3正性極紫外（EUV）化學放大光刻膠
4.5.4負性有機小分子型光刻膠
4.5.5正性有機小分子型光刻膠
4.5.6基于無機物的新型光刻膠
4.6光刻膠的分辨率線邊粗糙度曝光靈敏度(RLS)極限
4.7輻射化學與光化學概述
4.7.1輻射作用
4.7.2激發態復合物
4.7.3能量轉移
4.7.4光譜增感
4.7.5光化學與輻射化學
4.7.6輻射化學量子產率
4.7.7輻射曝光敏感度
4.7.8輻射與光刻膠材料相互作用機理
4.8描述光刻膠物理特性的基本參數
4.8.1迪爾參數（Dill parameters）
4.8.2光酸擴散長度和系數
4.8.3光刻膠顯影液中溶解率對比度
參考文獻
思考題
第5章抗反射層
5.1抗反射層和反射率控制
5.2抗反射層種類
5.2.1頂部抗反射層
5.2.2底部抗反射層
5.3有機、無機底部抗反射層對比
5.4底部抗反射層與光刻膠相互作用
5.5含硅的抗反射層(SiARC)
5.6用于極紫外光刻的底部增感層
參考文獻
思考題
第6章光刻機
6.1引言
6.2成像鏡頭的發展和像差消除原理
6.2.1單片凸透鏡的像差分析(三階塞得(Seidel)像差)
6.2.23片3組柯克鏡頭的成像和像差分析
6.2.34片3組天塞鏡頭的成像和像差分析
6.2.46片4組雙高斯鏡頭的成像和像差分析
6.3像差的種類和表征
6.3.1球差、彗差、像散、場曲、畸變、軸向色差和橫向色差
6.3.2鏡頭像差的分攤原理： 6片4組鏡頭像差分析
6.4齊明點(Aplanatic Point)和零像差設計
6.5大數值孔徑光刻機鏡頭的介紹
6.5.1蔡司0.93NA、193nm深紫外投影物鏡的成像和像差分析、結構分析
6.5.2蔡司1.35NA、193nm水浸沒式折反深紫外投影物鏡的成像和像差分析、結構分析
6.5.3蔡司0.33NA、6片6組13.5nm極紫外（EUV）全反射式投影物鏡的成像和像差分析、結構分析
6.5.4更大數值孔徑極紫外投影物鏡的展望
6.5.5我國光刻投影物鏡的簡要發展歷程和*新發展
6.6光刻機的移動平臺介紹
6.6.1移動平臺系統及移動平臺的功能、結構和主要元件
6.6.2移動平臺三維空間位置的校準
6.6.3阿斯麥雙工件臺光柵尺測控系統介紹
6.6.4我國在光刻機雙工件臺移動平臺研制的*新成果
6.6.5光刻機中硅片的對準和調平(阿斯麥雙工件臺方法、尼康串列工件臺方法)
6.6.6掩模臺的對準
6.6.7硅片臺的高精度對準補償
6.6.8浸沒式光刻機硅片臺的溫度補償和硅片吸附的局部受力導致的套刻偏差補償
6.6.9掩模版受熱的k18畸變系數的補償
6.6.10鏡頭受熱的焦距和像散補償方法
6.6.11光刻機的產能計算方法介紹
6.6.12光刻機中的部分傳感器(空間像傳感器、光瞳像差傳感器、光強探測傳感器、干涉儀等)
6.7光刻機的照明系統結構和功能
6.7.1固定光圈的照明系統、帶可變照明方式的照明系統(阿斯麥公司的可變焦互補型錐鏡)
6.7.2照明光的非相干化、均勻化及穩定性
6.7.3偏振照明系統
6.7.4自定義照明系統(阿斯麥公司的Flexray)
6.8光刻機的使用和維護
6.8.1光刻機的定期檢查項目(焦距校準、套刻校準、照明系統校準、光束準直)
6.8.2多臺光刻機的套刻匹配(標準)
6.8.3多臺光刻機的照明匹配
6.8.4多臺光刻機的焦距匹配
6.8.5阿斯麥公司的光刻機的基線（Baseline）維持功能
6.9光刻機的延伸功能
6.9.1曝光均勻性的補償
6.9.2套刻分布的補償
6.9.3阿斯麥光刻機基于氣壓傳感器（AGILE）的精確調平測量
6.9.4硅片邊緣對焦調平的特殊處理
6.9.5硅片邊緣曝光的特殊處理
6.10193nm浸沒式光刻機的特點
6.10.1防水貼
6.10.2浸沒頭(水罩)
6.1113.5nm極紫外（EUV）光刻機的一些特點
6.11.1激光激發的等離子體光源
6.11.2照明系統和自定義照明系統
6.11.3全反射式的掩模版和投影物鏡
6.11.4高數值孔徑的投影物鏡設計： X方向和Y方向放大率不同的物鏡（Anamorphic）
參考文獻
思考題
第7章涂膠烘焙顯影一體機： 軌道機
7.1軌道機的主要組成部分(涂膠機、熱板、顯影機)和功能
7.1.1涂膠子系統
7.1.2熱板子系統
7.1.3顯影子系統
7.2光刻膠的容器類型(玻璃瓶和Nowpak塑料瓶)、輸送管道和輸送泵
7.3顯影后沖洗設備(含氮氣噴頭的先進缺陷去除ADR沖洗設備)
7.4光刻設備使用的過濾器
參考文獻
思考題
第8章光刻工藝的測量設備
8.1線寬掃描電子顯微鏡的原理和基本結構(電子光學系統的基本參數)
8.2線寬掃描電子顯微鏡的測量程序和測量方法
8.3線寬掃描電子顯微鏡的校準和調整
8.4套刻顯微鏡的原理和測量方法
8.5套刻顯微鏡的測量程序和測量方法
8.6套刻顯微鏡設備引入的誤差及其消除方法
8.7基于衍射的套刻(DBO)探測原理
8.8套刻記號的設計
8.9光學線寬(OCD)測量原理及應用
8.10缺陷檢測設備原理
參考文獻
思考題
第9章光掩模
9.1光掩模的種類
9.2光掩模的制作
9.2.1掩模版的數據處理
9.2.2掩模版的曝光刻蝕
9.2.3掩模版線寬、套刻、缺陷的檢測
9.2.4掩模版的修補
9.3光掩模制作過程中的問題
9.3.1掩模版電子束曝光的鄰近效應及補償方法
9.3.2電子束曝光的其他問題(霧化、光刻膠過熱等)
9.4光掩模線寬均勻性在不同技術節點的參考要求
9.4.1各技術節點對掩模版線寬均勻性的要求
9.4.2線寬均勻性測量使用的圖形類型
9.5光掩模制作和檢測設備的其他資料
9.5.1電子束各種掃描方式及其優、缺點
9.5.2電子束曝光機采用的電子槍
9.5.3多電子束的介紹和*新進展
參考文獻
思考題
第10章光刻工藝參數和工藝窗口
10.1曝光能量寬裕度、歸一化圖像光強對數斜率
10.2對焦深度
10.3掩模版誤差因子
10.4線寬均勻性(包括圖形邊緣粗糙度)
10.5光刻膠形貌
參考文獻
思考題
第11章光刻工藝的仿真
11.1反射率仿真算法
11.2對準記號對比度的算法
11.2.1阿斯麥公司的Athena系統仿真算法和尼康公司的FIA系統仿真算法
11.2.2兩種算法和實驗的比較
11.3光刻空間像的仿真參數
11.4一維阿貝仿真算法
11.5二維阿貝仿真算法
11.6基于傳輸交叉系數的空間像算法
11.7矢量的考慮
11.8偏振的計算
11.9像差的計算
11.10瓊斯矩陣
11.11時域有限差分的算法
11.11.1掩模三維散射造成的掩模函數的修正
11.11.2麥克斯韋方程組
11.11.3Yee元胞
11.11.4麥克斯韋方程組的離散化
11.11.5二階吸收邊界條件
11.11.6完全匹配層邊界條件
11.11.7金屬介電常數避免發散的方法
11.11.8掩模版三維散射的效應： 一維線條/溝槽
11.11.9掩模版三維散射的效應： 二維線端/通孔
11.11.10時域有限差分在極紫外光刻仿真里的應用
11.12嚴格的耦合波分析方法
11.12.1嚴格的耦合波分析方法推導過程
11.12.2嚴格的耦合波分析方法在極紫外光刻的仿真應用
11.13光源掩模協同優化
11.13.1不同光瞳照明條件對掩模版圖形的影響
11.13.2一個交叉互聯圖形的光源掩模協同優化舉例
11.14光刻膠曝光顯影模型
11.14.1一般光刻膠光化學反應的閾值模型
11.14.2改進型整合參數模型
11.14.3光刻膠光酸等效擴散長度在不同技術節點上的列表
11.14.4負顯影光刻膠的模型特點
11.14.5負顯影光刻膠的物理模型
11.15逆光刻仿真算法
11.15.1逆光刻的思想
11.15.2逆光刻的主要算法
11.15.3逆光刻面臨的主要挑戰
11.16其他仿真算法
參考文獻
思考題
第12章光學鄰近效應修正
12.1光學鄰近效應
12.1.1調制傳遞函數
12.1.2禁止周期
12.1.3光學鄰近效應的圖示分析(一維線條/溝槽)
12.1.4照明離軸角和光酸擴散長度對鄰近效應的影響
12.1.5光學鄰近效應在線端線端和線端橫線結構的表現
12.2光學鄰近效應的進一步探討： 密集圖形和孤立圖形
12.3相干長度的理論和仿真計算結果
12.4基于規則的簡單光學鄰近效應修正方法
12.5基于模型的光學鄰近效應修正中空間像計算的化簡
12.5.1傳輸交叉系數的考布本征值分解
12.5.2傳輸交叉系數的Yamazoe奇異值分解
12.5.3包含矢量信息的傳輸交叉系數
12.5.4掩模版多邊形圖形的基于邊的分解
12.5.5掩模三維效應計算的區域分解法
12.6基于模型的光學鄰近效應修正： 建模
12.6.1模型的數學表達式和重要參數
12.6.2建模采用的圖形類型
12.6.3類似20nm邏輯電路的前段線條層OPC建模舉例
12.6.4類似20nm邏輯電路的中后段通孔層OPC建模的特點
12.6.5類似20nm邏輯電路的后段溝槽層OPC建模的特點
12.7基于模型的光學鄰近效應修正： 修正程序
12.8光學鄰近效應中的亞分辨輔助圖形的添加
12.8.1基于規則的添加
12.8.2基于模型的添加
12.9基于模型的光學鄰近效應修正： 薄弱點分析和去除
參考文獻
思考題
第13章浸沒式光刻
13.1浸沒式光刻工藝產生的背景
13.2浸沒式光刻機使用的投影物鏡的特點
13.3浸沒式光刻工藝的分辨率提高
13.4浸沒式光刻工藝的工藝窗口提升
13.5浸沒式光刻工藝的新型光刻機的架構改進
13.5.1雙工件臺
13.5.2平面光柵板測控的硅片臺
13.5.3紫外光源調平系統
13.5.4像素式自定義照明系統(靈活照明系統)
13.6浸沒式光刻工藝的光刻膠
13.6.1*初的頂部隔水涂層
13.6.2自分凝隔水層的光刻膠
13.6.3含有光可分解堿的光刻膠
13.7浸沒式光刻工藝的光刻材料膜層結構
13.8浸沒式光刻工藝特有的缺陷
13.9浸沒式軌道機的架構
13.10浸沒式光刻的輔助工藝技術
13.10.1多重成像技術的使用
13.10.2負顯影技術
13.11浸沒式光刻工藝的建立
13.11.1光刻工藝研發的一般流程
13.11.2目標設計規則的研究和確認
13.11.3基于設計規則，通過仿真進行初始光源、掩模版類型的選取
13.11.4光刻材料的選取
參考文獻
思考題
第14章光刻工藝的缺陷
14.1旋涂工藝缺陷
14.1.1表面疏水化處理工藝相關缺陷
14.1.2光刻膠旋涂缺陷
14.1.3洗邊工藝相關缺陷
14.2顯影工藝缺陷
14.2.1材料特性對顯影缺陷的影響
14.2.2顯影模塊硬件特點對顯影缺陷的影響
14.2.3顯影清洗工藝特性與缺陷的關系
14.3其他類型缺陷(前層和環境等影響)
14.3.1化學放大光刻膠的“中毒”現象
14.3.2非化學放大光刻膠的“中毒”現象
14.4浸沒式光刻工藝缺陷
14.4.1浸沒式光刻機*早的專利結構圖
14.4.2浸沒式光刻遇到的常見缺陷分類分析
14.4.3去除浸沒式光刻缺陷的方法
參考文獻
思考題
第15章光刻工藝的線寬控制及改進
15.1光刻線寬均勻性的定義
15.2光刻線寬均勻性的計算方法
15.2.1硅片范圍的線寬均勻性
15.2.2曝光場內的線寬均勻性
15.3光刻線寬均勻性的改進方法
15.3.1批次批次之間均勻性的改進
15.3.2批次內部線寬均勻性的改進
15.3.3硅片內部線寬均勻性的改進
15.3.4曝光場內部線寬均勻性的改進
15.3.5局域線寬均勻性的改進
15.4線寬粗糙度以及改進方法介紹
15.4.1提高空間像對比度
15.4.2提高光刻膠的光化學反應充分度
15.4.3錨點的掩模版偏置選取
15.4.4曝光后烘焙的充分度
15.4.5選擇抗刻蝕能力強的(堅硬的)光刻膠
參考文獻
思考題
第16章光刻工藝的套刻控制及改進
16.1套刻控制的原理和參數
16.2套刻記號的設計和放置
16.2.1套刻記號的種類(歷史、現在)
16.2.2套刻記號的放置方式(切割道、芯片內)
16.3影響套刻精度的因素
16.3.1設備的漂移
16.3.2套刻記號的設計和放置
16.3.3襯底的影響
16.3.4化學機械平坦化研磨料殘留對套刻的影響
16.3.5刻蝕、熱過程工藝可能對套刻記號產生的變形
16.3.6掩模版圖形放置誤差對套刻的影響
16.3.7上、下層掩模版線寬誤差對套刻的擠壓
16.3.8掩模版受熱可能導致的套刻偏差
16.3.9高階套刻偏差的補償——套刻測繪
16.3.10套刻誤差來源分解舉例
16.4套刻/對準樹狀關系
16.4.1間接對準的誤差來源和改進方式
16.4.2光刻機指定硅片工件臺(對雙工件臺光刻機)和掩模版曝光機連續出片
16.4.3套刻前饋和反饋
16.4.4混合套刻測量和反饋
參考文獻
思考題
第17章線邊粗糙度和線寬粗糙度
17.1線邊粗糙度和線寬粗糙度概論
17.2線邊粗糙度和線寬粗糙度數據分析方法
17.3影響線邊粗糙度和線寬粗糙度的因素
17.4線邊粗糙度和線寬粗糙度的改善方法
17.5小結
參考文獻
思考題
第18章多重圖形技術
18.1背景
18.2光刻刻蝕、光刻刻蝕方法
18.3圖形的拆分方法——涂色法
18.3.1三角矛盾
18.3.2應用范圍
18.4自對準多重圖形技術
18.4.1自對準多重圖形技術的優點和缺點
18.4.2自對準多重圖形技術的應用范圍
18.5套刻的策略和原理
18.6線寬均勻性的計算和分配
參考文獻
思考題
第19章下一代光刻技術
19.1極紫外光刻技術的發展簡史
19.2極紫外光刻與193nm浸沒式光刻的異同點
19.2.1光刻設備的異同點
19.2.2光刻膠材料的異同點
19.2.3掩模版的異同點
19.2.4光刻工藝的異同點
19.2.5光學鄰近效應的異同點
19.3極紫外技術的進展
19.3.1光源的進展
19.3.2光刻膠的現狀
19.3.3掩模版保護膜的進展
19.3.4錫滴的供應和循環系統的進展
19.4導向自組裝技術介紹
19.4.1原理介紹
19.4.2類型： 物理限制型外延和化學表面編碼型外延
19.4.3缺陷的來源和改進
19.4.4圖形設計流程介紹
19.5納米壓印技術介紹
19.6電子束直寫技術介紹
參考文獻
思考題
第20章光刻工藝的工藝窗口標準的發展與未來趨勢
20.1光刻新技術的發展
20.2極紫外技術的局限性
20.3光刻工藝窗口主要參數的發展和趨勢
20.3.1曝光能量寬裕度
20.3.2掩模版誤差因子
20.3.3焦深
20.3.4套刻精度
20.3.5線邊粗糙度/線寬粗糙度
20.4化學放大型光刻膠的等效光酸擴散長度
參考文獻
思考題
第21章光刻技術發展展望
21.1光刻技術繼續發展的幾點展望
21.2光刻技術的發展將促進我國相關技術的發展
附錄A典型光刻工藝測試圖形
附錄B光刻工藝建立過程中測試掩模版的繪制
思考題參考答案
專業詞匯索引
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衍射極限附近的光刻工藝(第2版) 作者簡介
伍強，復旦大學研究員博士生導師。1993年于復旦大學獲物理學學士學位，1999年于耶魯大學獲物理學博士學位。畢業后就職于IBM公司，擔任半導體集成電路光刻工藝研發工程師，在研發65nm邏輯光刻工藝時，在世界上首次通過建模精確地測量了光刻工藝的重要參數：等效光酸擴散長度。2004年回國，先后擔任光刻工藝研發主管、光刻設備應用部主管，就職于上海華虹NEC電子有限公司、荷蘭阿斯麥（ASML）光刻設備制造（中國）有限公司、中芯國際集成電路制造（上海）有限公司、中芯國際集成電路新技術研發（上海）有限公司、上海集成電路研發中心和復旦大學。先后研發或帶領團隊研發0.18μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、14nm、10nm、7nm等邏輯光刻工藝技術和0.11μm 動態隨機存儲器（DRAM）光刻工藝技術，帶領設備應用部團隊將193nm浸沒式光刻機成功引入中國。截至2023年8月，個人共獲得110項專利授權，其中40項美國專利，發表光刻技術論文79篇。擔任國家“02”重大專項光刻機工程指揮部專家，入選“2018年度上海市優秀技術帶頭人”計劃，2007-2009年擔任ISTC（國際半導體技術大會）光刻分會主席。2010-2023年擔任CSTIC（中國國際半導體技術大會）光刻分會副主席。
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