掃一掃
關(guān)注中圖網(wǎng)
官方微博
本類五星書更多>
-
>
公路車寶典(ZINN的公路車維修與保養(yǎng)秘籍)
-
>
晶體管電路設(shè)計(jì)(下)
-
>
基于個(gè)性化設(shè)計(jì)策略的智能交通系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)
-
>
花樣百出:貴州少數(shù)民族圖案填色
-
>
山東教育出版社有限公司技術(shù)轉(zhuǎn)移與技術(shù)創(chuàng)新歷史叢書中國(guó)高等技術(shù)教育的蘇化(1949—1961)以北京地區(qū)為中心
-
>
鐵路機(jī)車概要.交流傳動(dòng)內(nèi)燃.電力機(jī)車
-
>
利維坦的道德困境:早期現(xiàn)代政治哲學(xué)的問題與脈絡(luò)
中圖價(jià):¥69.8
加入購(gòu)物車
圖解入門——半導(dǎo)體工程學(xué)精講 版權(quán)信息
- ISBN：9787111767398
- 條形碼：9787111767398 ; 978-7-111-76739-8
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊(cè)數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
圖解入門——半導(dǎo)體工程學(xué)精講 本書特色
全面覆蓋量子力學(xué)基礎(chǔ)到MOSFET及界面量子化的經(jīng)典議題
為非物理、電子、材料專業(yè)的工科學(xué)生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理掃清障礙
圖解入門——半導(dǎo)體工程學(xué)精講 內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書首先深入探討了量子力學(xué)基礎(chǔ)及其在物質(zhì)、能帶理論、半導(dǎo)體和集成電路等領(lǐng)域的應(yīng)用。從電子的波動(dòng)性質(zhì)、不確定性原理到量子隧穿效應(yīng)，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過能帶理論和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的解析，闡明了半導(dǎo)體材料的電子行為。此外，還詳細(xì)介紹了摻雜半導(dǎo)體、晶格振動(dòng)以及載流子輸運(yùn)現(xiàn)象等關(guān)鍵概念。*后，探討了MOS結(jié)構(gòu)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及集成電路的工作原理。本書內(nèi)容豐富，結(jié)構(gòu)清晰，能夠幫助讀者深入理解量子力學(xué)在半導(dǎo)體技術(shù)中的重要作用。 本書適合有一定物理基礎(chǔ)的學(xué)生和從事半導(dǎo)體相關(guān)工作的人員閱讀。
圖解入門——半導(dǎo)體工程學(xué)精講 目錄
目 錄前 言第1章 量子力學(xué)基礎(chǔ) ?/? 11-1 波的表示方式 ?/? 21-2 相速度與群速度 ?/? 41-3 電子的物質(zhì)波性質(zhì) ?/? 51-4 不確定性原理 ?/? 71-5 薛定諤方程式與波函數(shù) ?/? 81-6 一維方勢(shì)阱 ?/? 111-7 自旋與泡利不相容原理 ?/? 161-8 三維方勢(shì)阱 ?/? 171-9 量子隧穿效應(yīng) ?/? 191-10 定態(tài)微擾理論 ?/? 231-11 含時(shí)微擾理論 ?/? 25目 錄前 言第1章 量子力學(xué)基礎(chǔ) ?/? 11-1 波的表示方式 ?/? 21-2 相速度與群速度 ?/? 41-3 電子的物質(zhì)波性質(zhì) ?/? 51-4 不確定性原理 ?/? 71-5 薛定諤方程式與波函數(shù) ?/? 81-6 一維方勢(shì)阱 ?/? 111-7 自旋與泡利不相容原理 ?/? 161-8 三維方勢(shì)阱 ?/? 171-9 量子隧穿效應(yīng) ?/? 191-10 定態(tài)微擾理論 ?/? 231-11 含時(shí)微擾理論 ?/? 25章末問題 ?/? 27第2章 從氫原子到物質(zhì) ?/? 292-1 氫原子 ?/? 302-2 氫分子 ?/? 342-3 由s軌道或p軌道組成的物質(zhì) ?/? 37章末問題 ?/? 49第3章 能帶理論 ?/? 503-1 晶體的周期性和晶體結(jié)構(gòu) ?/? 513-2 金屬自由電子理論 ?/? 553-3 布洛赫定理 ?/? 623-4 一維空格子的電子結(jié)構(gòu) ?/? 673-5 一維晶格的帶隙 ?/? 683-6 二維和三維晶格的帶隙 ?/? 713-7 一維強(qiáng)關(guān)聯(lián)近似 ?/? 753-8 二維強(qiáng)關(guān)聯(lián)近似 ?/? 81章末問題 ?/? 85第4章 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu) ?/? 864-1 強(qiáng)關(guān)聯(lián)近似下的能帶結(jié)構(gòu) ?/? 874-2 k?p微擾（1）：帶邊的詳細(xì)結(jié)構(gòu) ?/? 964-3 k?p微擾（2）：基于面心立方結(jié)構(gòu)空格子的計(jì)算 ?/? 994-4 有效質(zhì)量與運(yùn)動(dòng)方程 ?/? 1054-5 ?空穴 ?/? 1114-6 本征半導(dǎo)體載流子濃度與溫度的關(guān)系 ?/? 113章末問題 ?/? 118第5章 摻雜半導(dǎo)體 ?/? 1195-1 施主與受主 ?/? 1205-2 淺能級(jí)雜質(zhì)中心的有效質(zhì)量近似 ?/? 1245-3 被施主雜質(zhì)束縛的電子的空間分布 ?/? 1295-4 摻雜半導(dǎo)體中載流子濃度與溫度的關(guān)系 ?/? 133章末問題 ?/? 136第6章 晶格振動(dòng) ?/? 1386-1 什么是晶格振動(dòng) ?/? 1396-2 一維單原子晶格 ?/? 1406-3 一維雙原子晶格 ?/? 1436-4 三維晶格振動(dòng) ?/? 1486-5 聲子 ?/? 1506-6 晶格比熱 ?/? 154章末問題 ?/? 157第7章 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象 ?/? 1587-1 歐姆定律 ?/? 1597-2 霍爾效應(yīng) ?/? 1627-3 遷移率的溫度相關(guān)性 ?/? 1657-4 玻爾茲曼方程 ?/? 1667-5 散射過程的計(jì)算 ?/? 1717-6 弛豫時(shí)間的計(jì)算 ?/? 176章末問題 ?/? 181第8章 半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì) ?/? 1828-1 物質(zhì)中的電磁波 ?/? 1838-2 帶間躍遷 ?/? 1848-3 受施主束縛電子的光激發(fā) ?/? 193第9章 pn結(jié) ?/? 1999-1 pn結(jié)的形成方法 ?/? 2009-2 擴(kuò)散電流 ?/? 2009-3 pn結(jié)附近發(fā)生的現(xiàn)象 ?/? 2039-4 熱平衡狀態(tài)下的pn結(jié)能帶圖 ?/? 2079-5 連續(xù)性方程 ?/? 2109-6 正向電流 ?/? 2129-7 反向電流 ?/? 2169-8 結(jié)電容 ?/? 2189-9 pn結(jié)中的隧穿效應(yīng) ?/? 219章末問題 ?/? 222第10章 MOS結(jié)構(gòu) ?/? 22310-1 MOS結(jié)構(gòu)概述 ?/? 22410-2 積累層、耗盡層和反型層中的電場(chǎng)分布及勢(shì)能分布 ?/? 22510-3 Si表面的電子 ?/? 23310-4 理想MOS的電容 ?/? 23710-5 非理想MOS的情況 ?/? 239章末問題 ?/? 241第11章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ?/? 24211-1 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu) ?/? 24311-2 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理（1）：線性區(qū) ?/? 24311-3 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理（2）：一般情況下的電流-電壓特?性 ?/? 24611-4 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理（3）：飽和區(qū) ?/? 24811-5 遷移率 ?/? 25011-6 閾值電壓 ?/? 25311-7 亞閾值斜率 ?/? 25311-8 襯底偏壓效應(yīng) ?/? 256章末問題 ?/? 257第12章 集成電路 ?/? 25812-1 CMOS反相器的結(jié)構(gòu) ?/? 25912-2 CMOS反相器中p溝道型MOSFET的工作原理 ?/? 26012-3 CMOS反相器中p溝道型MOSFET工作原理的公式推導(dǎo) ?/? 26312-4 CMOS反相器工作原理的公式推導(dǎo) ?/? 26412-5 CMOS反相器的開關(guān)特性 ?/? 26612-6 等比例縮小 ?/? 268章末問題 ?/? 271第13章 界面的量子化 ?/? 27213-1 Si-MOS反型層電子的量子化 ?/? 27313-2 準(zhǔn)二維電子系統(tǒng)的電子狀態(tài) ?/? 27413-3 Si-MOS反型層的電子狀態(tài) ?/? 28013-4 磁場(chǎng)下的二維電子系統(tǒng)和邊緣態(tài) ?/? 28213-5 異質(zhì)結(jié) ?/? 287章末問題 ?/? 289章末問題的答案 ?/? 290
展開全部
圖解入門——半導(dǎo)體工程學(xué)精講 作者簡(jiǎn)介
原明人博士(理學(xué) )1983年畢業(yè)于東京理科大學(xué)理學(xué)部第1部應(yīng)用物理學(xué)科1985年在日本東北大學(xué)理學(xué)研究科物理專業(yè)修完了博士課程前期1985年在私營(yíng)企業(yè)從事半導(dǎo)體晶體工程和半導(dǎo)體器件的研究與開發(fā)工作1996年取得日本東北大學(xué)理學(xué)研究科(論文)博士學(xué)位2008年任教于東北學(xué)院大學(xué)工學(xué)部電子工學(xué)科(教授)現(xiàn)任教于東北學(xué)院大學(xué)工學(xué)部電氣電子工學(xué)科(教授)著作(均為共同撰寫)原明人博士(理學(xué) )1983年畢業(yè)于東京理科大學(xué)理學(xué)部第1部應(yīng)用物理學(xué)科1985年在日本東北大學(xué)理學(xué)研究科物理專業(yè)修完了博士課程前期1985年在私營(yíng)企業(yè)從事半導(dǎo)體晶體工程和半導(dǎo)體器件的研究與開發(fā)工作1996年取得日本東北大學(xué)理學(xué)研究科(論文)博士學(xué)位2008年任教于東北學(xué)院大學(xué)工學(xué)部電子工學(xué)科(教授)現(xiàn)任教于東北學(xué)院大學(xué)工學(xué)部電氣電子工學(xué)科(教授)著作(均為共同撰寫)《超LSI技術(shù)17:器件與工藝 第7篇》(半導(dǎo)體研究 第38卷:工業(yè)調(diào)查會(huì)，西澤潤(rùn)一編，1993年)，第9章CZ-Si晶體中輕元素雜質(zhì)的行為;《超LSI技術(shù)20:器件與工藝 第10篇》(半導(dǎo)體研究第42卷:工業(yè)調(diào)查會(huì)，西澤潤(rùn)一編，1996年)，第9章硅中的重金屬捕捉等共8本。
書友推薦
- >
山海經(jīng)
- >
巴金－再思錄
- >
伊索寓言-世界文學(xué)名著典藏-全譯本
- >
小考拉的故事-套裝共3冊(cè)
- >
史學(xué)評(píng)論
- >
上帝之肋:男人的真實(shí)旅程
- >
自卑與超越
- >
名家?guī)阕x魯迅:朝花夕拾
本類暢銷
