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半導(dǎo)體工藝可靠性 版權(quán)信息
- ISBN：9787111764946
- 條形碼：9787111764946 ; 978-7-111-76494-6
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導(dǎo)體工藝可靠性 本書特色
1、本書詳細描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認定,并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析,以及工藝的*終認定,是一本實用的、全面的指南,提供了驗證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計的實際范例；
2、半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。
半導(dǎo)體工藝可靠性 內(nèi)容簡介
半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的*終認定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計的實際范例。 本書適合從事半導(dǎo)體制造及可靠性方面的工程師與研究人員閱讀，也可作為高等院校微電子等相關(guān)專業(yè)高年級本科生和研究生的教材和參考書。
半導(dǎo)體工藝可靠性 目錄
譯者序第1部分概述第1章引言31.1背景31.2工藝可靠性項41.2.1FEOL41.2.2BEOL61.3工藝相關(guān)的可靠性81.4可靠性評估方法91.5本書的組織結(jié)構(gòu)10參考文獻11第2章器件物理基礎(chǔ)142.1基本材料特性介紹142.1.1導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體14譯者序第1部分概述第1章引言31.1背景31.2工藝可靠性項41.2.1FEOL41.2.2BEOL61.3工藝相關(guān)的可靠性81.4可靠性評估方法91.5本書的組織結(jié)構(gòu)10參考文獻11第2章器件物理基礎(chǔ)142.1基本材料特性介紹142.1.1導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體142.1.2電子和空穴能量162.1.3半導(dǎo)體中的碰撞與能量交換172.2PN結(jié)182.2.1PN結(jié)能帶182.2.2PN結(jié)偏置192.2.3結(jié)電容202.3金屬-氧化物-半導(dǎo)體電容的物理基礎(chǔ)212.3.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體電容的能帶212.3.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體電容的電容-電壓曲線232.4金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管物理特性242.4.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的電流-電壓特性242.4.2長溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的Vt272.4.3金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管中的電容272.5金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的二階效應(yīng)292.5.1短溝道效應(yīng)292.5.2寬度效應(yīng)302.5.3柵致漏極泄漏電流312.5.4硼滲透322.5.5襯底偏置的影響332.6界面陷阱和氧化層陷阱33參考文獻36第3章金屬-氧化物-半導(dǎo)體制造工藝流程373.1前道工藝373.2Cu雙大馬士革后端工藝42參考文獻46第4章可用于器件可靠性表征的測量484.1電容-電壓測量484.2直流電流-電壓494.2.1從直流電流-電壓測量中提取界面陷阱524.2.2從直流電流-電壓測量中提取氧化層陷阱544.3柵控二極管方法554.4電荷泵測量574.5用于界面和氧化層陷阱分離的中間帶隙測量604.6載流子分離測量614.7電流-電壓特性62參考文獻63第2部分前道工藝(FEOL)第5章熱載流子注入675.1*大溝道電場695.2HCI的物理機制715.2.1電場驅(qū)動的CHC機制715.2.2能量驅(qū)動的溝道-熱載流子機制：電子-電子散射735.2.3多重振動激發(fā)機制745.2.4NMOS熱載流子注入機理/模型755.2.5PMOS熱載流子注入機理/模型765.3熱載流子注入表征方法775.3.1監(jiān)控的器件參數(shù)775.3.2熱載流子注入退化模型785.3.3壽命外推805.4對熱載流子注入屏蔽效應(yīng)的表征825.5熱載流子注入退化飽和835.6溫度對熱載流子注入的影響845.7體偏置對熱載流子注入的影響855.8結(jié)構(gòu)對熱載流子注入的影響855.8.1溝道寬度對熱載流子注入的影響855.8.2溝道長度對熱載流子注入的影響895.8.3補償側(cè)墻對熱載流子注入的影響915.8.4柵極邊緣與淺溝槽隔離邊緣間距的影響945.9工藝對熱載流子注入性能的影響955.9.1漏區(qū)工程955.9.2柵極氧化層的魯棒性965.10熱載流子注入認定實踐100參考文獻101第6章柵極氧化層完整性和時間相關(guān)的介質(zhì)擊穿1086.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的隧穿1086.1.1柵極泄漏隧穿機制1086.1.2依賴極性的Qbd和Tbd1146.1.3柵極泄漏電流與Vbd/Tbd的關(guān)系1176.2柵極氧化層介質(zhì)擊穿機理1206.2.1本征與非本征擊穿1206.2.2隨時間變化的介質(zhì)擊穿1226.2.3Vbd與Tbd的相關(guān)性1236.2.4缺陷產(chǎn)生模型1246.2.5軟擊穿1296.3應(yīng)力誘導(dǎo)的泄漏電流1316.4柵極氧化層完整性測試結(jié)構(gòu)和失效分析1326.4.1體結(jié)構(gòu)1326.4.2多晶硅邊緣密集結(jié)構(gòu)1326.4.3淺溝槽-隔離-邊緣密集結(jié)構(gòu)1336.4.4淺溝槽隔離拐角密集結(jié)構(gòu)1346.4.5柵極氧化層完整性失效分析1356.5柵極氧化層時間相關(guān)介質(zhì)擊穿模型，壽命外推法1356.5.1Weibull分布1356.5.2活化能1356.5.31/E模型、E模型、V模型和冪律模型1366.5.4面積按比例變化1406.6工藝對柵極氧化層完整性和時間變化的介質(zhì)擊穿改進的影響1406.6.1氧化層厚度的影響1406.6.2氮化的影響1406.6.3氫/D2的影響1426.6.4金屬污染1436.6.5多晶硅晶粒結(jié)構(gòu)的影響1446.6.6多晶硅剖面的影響(多晶硅基腳)1456.6.7柵極氧化層預(yù)清洗和刻蝕的影響1456.6.8犧牲氧化后退火環(huán)境的影響1456.6.9無犧牲氧化層效應(yīng)1486.6.10光刻膠附著力的影響1506.6.11銦注入的影響1516.6.12冪律模型指數(shù)的工藝因子1516.7工藝認定實踐155參考文獻156第7章負偏置溫度不穩(wěn)定性1627.1負偏置溫度不穩(wěn)定性退化機制1647.1.1反應(yīng)-擴散模型1647.1.2恢復(fù)1677.1.3退化飽和機理1687.2退化時間指數(shù)n，活化能Ea，電壓/電場加速因子γ1717.2.1退化時間指數(shù)n1717.2.2活化能(Ea)1727.2.3電壓/電場加速因子γ1737.3表征方法1747.3.1時延(恢復(fù))對表征的影響1757.3.2應(yīng)力-電壓和應(yīng)力-時間影響1777.3.3不間斷應(yīng)力方法1797.3.4體偏置對負偏置溫度不穩(wěn)定性的影響1837.4為什么反型的PMOS*差1867.5結(jié)構(gòu)對負偏置溫度不穩(wěn)定性的影響1887.5.1溝道長度依賴性1897.5.2溝道寬度依賴性1917.5.3柵極氧化層厚度相關(guān)性1927.6工藝對負偏置溫度不穩(wěn)定性的影響1947.6.1氮及其分布1947.6.2氟摻入1977.6.3柵極氧化層和Si-SiO2界面質(zhì)量1987.6.4H2/D2退火1997.6.5后道工藝1997.6.6等離子體誘導(dǎo)損傷的影響2007.6.7硼滲透2007.6.8接觸刻蝕截止層的效果2007.6.9Si襯底取向的影響2017.7動態(tài)負偏置溫度不穩(wěn)定性2027.8工藝認定實踐202參考文獻204第8章等離子體誘導(dǎo)損傷2128.1引言2128.2等離子體誘導(dǎo)損傷機制2148.2.1等離子體密度2148.2.2晶圓上等離子
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半導(dǎo)體工藝可靠性 作者簡介
甘正浩（Gan Zhenghao），博士，中國上海中芯國際半導(dǎo)體制造有限公司(SMIC)技術(shù)開發(fā)中心可靠性高級經(jīng)理。他在半導(dǎo)體可靠性改進、測試/表征、問題解決、項目管理、建模和分析的研發(fā)方面擁有豐富的技術(shù)和管理經(jīng)驗。Gan博士出版了一本書并發(fā)表了50多篇研究論文，同時擁有60多項專利。
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