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現(xiàn)代集成電路工廠中的先進(jìn)光刻工藝研發(fā)方法與流程 版權(quán)信息
- ISBN：9787302664185
- 條形碼：9787302664185 ; 978-7-302-66418-5
- 裝幀：精裝
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
現(xiàn)代集成電路工廠中的先進(jìn)光刻工藝研發(fā)方法與流程 本書特色
（1）總結(jié)了作者團(tuán)隊(duì)多年來在光刻工藝研發(fā)與制造上的工作經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合自研的、基于物理模型的光刻工藝仿真軟件，直觀地再現(xiàn)已經(jīng)量產(chǎn)的各技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻工藝性能參數(shù)，并且結(jié)合實(shí)際光刻工藝操作來創(chuàng)建全新的光刻工藝學(xué)習(xí)思路。
（2）提出了一種符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)化研發(fā)方法，通過理論仿真與實(shí)際曝光數(shù)據(jù)相結(jié)合，力求更清楚地展示研發(fā)過程，是經(jīng)受住實(shí)際量產(chǎn)考驗(yàn)的規(guī)律總結(jié)。
（3）內(nèi)容具有理論性、系統(tǒng)性與全面性，由淺入深，循序提升，可以讓光刻從業(yè)者在短時間內(nèi)掌握基本原理和實(shí)操技能，從而快速投入工作，高效且準(zhǔn)確地完成工作。
（4）包含基礎(chǔ)理論與工程實(shí)踐，可供光刻技術(shù)領(lǐng)域科研院所的研究人員、大專院校的學(xué)生、集成電路工程的工程技術(shù)人員等學(xué)習(xí)和參考。
現(xiàn)代集成電路工廠中的先進(jìn)光刻工藝研發(fā)方法與流程 內(nèi)容簡介
本書基于作者團(tuán)隊(duì)多年的光刻工藝（包括先進(jìn)光刻工藝）研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā)，依次介紹光刻基礎(chǔ)知識，一個6晶體管靜態(tài)隨機(jī)存儲器的電路結(jié)構(gòu)與3個關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)中SRAM 制造的基本工藝流程，光刻機(jī)的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)化與光刻工藝仿真舉例，光刻技術(shù)的發(fā)展、應(yīng)用以及先進(jìn)光刻工藝的研發(fā)流程，光刻工藝試流片和流片的基本過程，光刻工藝試流片和流片中出現(xiàn)的常見問題和解決方法，光刻工藝中采用的關(guān)鍵技術(shù)舉例以及其他兩種與光刻相關(guān)的技術(shù)等內(nèi)容。
本書不僅介紹光刻工藝相關(guān)基礎(chǔ)知識，還介紹了一種符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)化研發(fā)方法，通過理論與仿真相結(jié)合，力求更加清楚地展示研發(fā)過程。本書可供光刻技術(shù)領(lǐng)域科研院所的研究人員、高等院校的學(xué)生、集成電路工程的技術(shù)人員等作為學(xué)習(xí)光刻技術(shù)的參考書。
現(xiàn)代集成電路工廠中的先進(jìn)光刻工藝研發(fā)方法與流程 目錄
第1章集成電路工廠引論
1．1現(xiàn)代集成電路工廠的布局
1．2工廠結(jié)構(gòu)
1．3工廠中的基本知識
1．3．1產(chǎn)品
1．3．2前表面可開放的統(tǒng)一硅片盒
1．3．3批次
1．3．4分片機(jī)
1．4工廠中的系統(tǒng)簡介
1．4．1制造執(zhí)行系統(tǒng)
1．4．2機(jī)臺自動化程序
1．4．3先進(jìn)過程控制
1．5工廠中光刻相關(guān)參數(shù)的控制
1．5．1光刻顯影后線寬的SPC圖表舉例
1．5．2光刻顯影后套刻的SPC圖表舉例
本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章光刻基礎(chǔ)知識簡介
2．1光的特性
2．2光學(xué)成像的類型
2．2．1古代光學(xué)成像類型的描述
2．2．2小孔成像的原理
2．2．3鏡頭(透鏡)成像的原理
2．3鏡頭成像過程中不同方向(X、Y、Z方向)成像倍率之間的關(guān)系
2．4投影物鏡雙遠(yuǎn)心結(jié)構(gòu)成像的原理和必要性
2．5光學(xué)系統(tǒng)的分辨率
2．5．1光學(xué)系統(tǒng)的衍射極限分辨率
2．5．2光學(xué)系統(tǒng)的k1因子
2．6鏡頭中的主要像差以及像差表征方法
2．6．1澤尼克像差
2．6．2常見像差產(chǎn)生原理與消除方法討論
2．7傅里葉光學(xué)基礎(chǔ)
2．8照明方式類型及其對光刻工藝窗口的影響
2．8．1相干照明的分辨率與對比度
2．8．2非相干照明的分辨率與對比度
2．8．3部分相干照明的分辨率與對比度
2．8．4部分相干照明與非相干照明對比度的關(guān)系
2．8．5照明條件演變過程
2．9表征光刻工藝窗口的三個重要參數(shù)
2．9．1曝光能量寬裕度的定義與影響因素
2．9．2掩模誤差因子的定義與影響因素
2．9．3焦深的定義、影響因素以及計(jì)算方式
2．10禁止周期產(chǎn)生的原因以及改善方法
2．10．1光學(xué)鄰近效應(yīng)重要表現(xiàn)形式之一——禁止周期
2．10．2禁止周期線寬減小的原因
2．10．3禁止周期線寬“波谷”現(xiàn)象與照明光瞳的關(guān)系
2．10．4光學(xué)鄰近效應(yīng)修正之后的禁止周期
本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章6T SRAM電路結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)中的工藝流程簡述
3．1光刻工藝處于工藝流程中的位置
3．26T SRAM的電路結(jié)構(gòu)和基本工作原理
3．2．1一個6T SRAM的電路結(jié)構(gòu)和基本原理
3．2．2對SRAM單元進(jìn)行“讀”的操作
3．2．3對SRAM單元進(jìn)行“寫”的操作
3．3晶體管結(jié)構(gòu)的發(fā)展趨勢及關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)中的工藝流程
3．3．1晶體管結(jié)構(gòu)的發(fā)展趨勢
3．3．2某接近193nm水浸沒式光刻極限的設(shè)計(jì)規(guī)則及HKMG平面晶體管的
工藝流程簡述 3．3．314nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)關(guān)鍵層次設(shè)計(jì)規(guī)則以及FinFET的工藝流程簡述 3．3．43nm關(guān)鍵層次設(shè)計(jì)規(guī)則以及CFET的工藝流程簡述 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第4章光刻工藝簡介 4．1光刻機(jī)及其重要子系統(tǒng)的發(fā)展歷史和*先進(jìn)光刻機(jī)的工作原理 4．1．1光刻機(jī)發(fā)展歷史和重要的時間節(jié)點(diǎn) 4．1．2光刻機(jī)中曝光光源的發(fā)展歷史 4．1．3光刻機(jī)中照明系統(tǒng)的發(fā)展歷史 4．1．4光刻機(jī)中投影物鏡鏡頭的發(fā)展歷史 4．1．5光刻機(jī)中雙工件臺的基本工作原理 4．2軌道機(jī)光刻機(jī)一體機(jī)簡介 4．3光刻工藝8步工藝流程 4．4線寬和套刻的測量設(shè)備與原理 4．4．1線寬測量的原理 4．4．2套刻測量的原理 4．5先進(jìn)光刻工藝中不同顯影類型的光刻膠 4．6掩模版類型與制作流程簡介 4．6．1掩模版類型簡介 4．6．2掩模版制作流程簡介 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第5章光刻工藝發(fā)展歷程與工藝標(biāo)準(zhǔn) 5．1主要技術(shù)節(jié)點(diǎn)中關(guān)鍵層次的工藝細(xì)節(jié) 5．1．1250~65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝細(xì)節(jié) 5．1．245~7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝細(xì)節(jié) 5．1．35~1．5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝細(xì)節(jié) 5．1．4250~1nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻工藝實(shí)現(xiàn)方式 5．2符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝探討 5．3照明光瞳的選擇 5．3．1照明光瞳選擇的理論基礎(chǔ) 5．3．2通過簡單的仿真結(jié)果判斷如何選擇合適的照明光瞳 5．3．3仿真舉例照明光瞳對線端線端的影響 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第6章光刻技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用、工藝的研發(fā)流程 6．1確定設(shè)計(jì)規(guī)則 6．1．1設(shè)計(jì)規(guī)則中圖形類型 6．1．2設(shè)計(jì)規(guī)則形狀與排布方向 6．2確立基本光刻工藝模型 6．3對光刻機(jī)中像差的要求 6．3．1彗差(Z7，Z8)對光刻工藝的影響 6．3．2球差(Z9)對光刻工藝的影響 6．4選擇合適的光刻材料 6．4．1選擇合適的光刻膠 6．4．2選擇合適的抗反射層 6．5線寬均勻性、套刻以及焦深的分配方式 6．5．1線寬均勻性的分配方式 6．5．2套刻的分配方式 6．5．3焦深的分配方式 6．6對掩模版的類型與規(guī)格的要求 6．7先進(jìn)光刻工藝的研發(fā)流程 6．7．1先進(jìn)芯片工藝研發(fā)的重要時間節(jié)點(diǎn) 6．7．2光刻工藝研發(fā)的一般流程 6．7．3制作測試掩模版 6．7．4光刻工藝仿真條件的確定 6．7．5光刻材料的選擇和評估 6．8光學(xué)鄰近效應(yīng)修正簡介 6．8．1OPC修正的必要性 6．8．2OPC修正的一般研發(fā)流程 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第7章光刻工藝試流片和流片簡述 7．1簡要介紹各部門、各工程師的分工 7．2流片的產(chǎn)品類型 7．3試流片和流片的具體過程 7．3．1芯片制造工藝流程與硅片批次的部分處理方法 7．3．2簡述試流片和流片的準(zhǔn)備工作 7．3．3硅片的種類 7．3．4光刻工藝模塊的具體工作內(nèi)容舉例 7．3．5批次試跑的一般流程 7．3．6FEM硅片數(shù)據(jù)處理 7．3．7工藝窗口驗(yàn)證 7．4硅片批次進(jìn)行常規(guī)流片時曝光以及數(shù)據(jù)的反饋流程 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第8章光刻工藝試流片和流片中出現(xiàn)的常見問題和解決方法 8．1光刻中常見的批次暫停舉例 8．1．1調(diào)焦調(diào)平圖像異常 8．1．2APC中某些條目缺失 8．1．3長時間沒有批次經(jīng)過時APC系統(tǒng)的狀態(tài)變化(一種APC設(shè)置
方式) 8．1．4套刻精度超過規(guī)格 8．2一些誤操作舉例 8．2．1多次涂膠 8．2．2套刻補(bǔ)償錯誤，包括越補(bǔ)越大 8．2．3帶有光刻膠硅片進(jìn)入爐管工藝 8．2．4SRC中的一些誤操作 8．2．5軌道機(jī)宕機(jī)時剝膠返工誤操作 8．2．6批次被錯誤釋放 8．2．7后段硅片進(jìn)入前段機(jī)臺 8．3其他的誤操作舉例 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第9章光刻工藝中采用的關(guān)鍵技術(shù) 9．1化學(xué)放大型光刻膠 9．1．1簡述光刻膠發(fā)展歷史 9．1．2等效光酸擴(kuò)散長度 9．2極紫外光刻工藝 9．2．1極紫外光刻工藝中的隨機(jī)效應(yīng)和線寬粗糙度 9．2．2極紫外光刻工藝仿真 9．3偏振照明 9．3．1采用偏振照明的原因及偏振照明與光瞳的選擇 9．3．2有無偏振照明時的仿真結(jié)果 9．4負(fù)顯影工藝 9．4．1正負(fù)顯影工藝的原理對比 9．4．2負(fù)顯影工藝的特點(diǎn) 9．4．3正負(fù)顯影工藝的仿真結(jié)果舉例 9．5PSM與OMOG掩模版 9．5．1兩種掩模版在單周期的仿真結(jié)果對比 9．5．2兩種掩模版在整個周期的仿真結(jié)果對比 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第10章與光刻相關(guān)的其他技術(shù) 10．1導(dǎo)向自組裝技術(shù) 10．1．1導(dǎo)向自組裝技術(shù)的基本原理 10．1．2導(dǎo)向自組裝技術(shù)的兩種方式 10．1．3國內(nèi)外導(dǎo)向自組裝技術(shù)的現(xiàn)狀和導(dǎo)向自組裝存在的挑戰(zhàn) 10．1．4導(dǎo)向自組裝技術(shù)在芯片制造中的應(yīng)用前景 10．2光學(xué)散射測量技術(shù) 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 索引 中英文對照表
工藝流程簡述 3．3．314nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)關(guān)鍵層次設(shè)計(jì)規(guī)則以及FinFET的工藝流程簡述 3．3．43nm關(guān)鍵層次設(shè)計(jì)規(guī)則以及CFET的工藝流程簡述 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第4章光刻工藝簡介 4．1光刻機(jī)及其重要子系統(tǒng)的發(fā)展歷史和*先進(jìn)光刻機(jī)的工作原理 4．1．1光刻機(jī)發(fā)展歷史和重要的時間節(jié)點(diǎn) 4．1．2光刻機(jī)中曝光光源的發(fā)展歷史 4．1．3光刻機(jī)中照明系統(tǒng)的發(fā)展歷史 4．1．4光刻機(jī)中投影物鏡鏡頭的發(fā)展歷史 4．1．5光刻機(jī)中雙工件臺的基本工作原理 4．2軌道機(jī)光刻機(jī)一體機(jī)簡介 4．3光刻工藝8步工藝流程 4．4線寬和套刻的測量設(shè)備與原理 4．4．1線寬測量的原理 4．4．2套刻測量的原理 4．5先進(jìn)光刻工藝中不同顯影類型的光刻膠 4．6掩模版類型與制作流程簡介 4．6．1掩模版類型簡介 4．6．2掩模版制作流程簡介 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第5章光刻工藝發(fā)展歷程與工藝標(biāo)準(zhǔn) 5．1主要技術(shù)節(jié)點(diǎn)中關(guān)鍵層次的工藝細(xì)節(jié) 5．1．1250~65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝細(xì)節(jié) 5．1．245~7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝細(xì)節(jié) 5．1．35~1．5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝細(xì)節(jié) 5．1．4250~1nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻工藝實(shí)現(xiàn)方式 5．2符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝探討 5．3照明光瞳的選擇 5．3．1照明光瞳選擇的理論基礎(chǔ) 5．3．2通過簡單的仿真結(jié)果判斷如何選擇合適的照明光瞳 5．3．3仿真舉例照明光瞳對線端線端的影響 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第6章光刻技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用、工藝的研發(fā)流程 6．1確定設(shè)計(jì)規(guī)則 6．1．1設(shè)計(jì)規(guī)則中圖形類型 6．1．2設(shè)計(jì)規(guī)則形狀與排布方向 6．2確立基本光刻工藝模型 6．3對光刻機(jī)中像差的要求 6．3．1彗差(Z7，Z8)對光刻工藝的影響 6．3．2球差(Z9)對光刻工藝的影響 6．4選擇合適的光刻材料 6．4．1選擇合適的光刻膠 6．4．2選擇合適的抗反射層 6．5線寬均勻性、套刻以及焦深的分配方式 6．5．1線寬均勻性的分配方式 6．5．2套刻的分配方式 6．5．3焦深的分配方式 6．6對掩模版的類型與規(guī)格的要求 6．7先進(jìn)光刻工藝的研發(fā)流程 6．7．1先進(jìn)芯片工藝研發(fā)的重要時間節(jié)點(diǎn) 6．7．2光刻工藝研發(fā)的一般流程 6．7．3制作測試掩模版 6．7．4光刻工藝仿真條件的確定 6．7．5光刻材料的選擇和評估 6．8光學(xué)鄰近效應(yīng)修正簡介 6．8．1OPC修正的必要性 6．8．2OPC修正的一般研發(fā)流程 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第7章光刻工藝試流片和流片簡述 7．1簡要介紹各部門、各工程師的分工 7．2流片的產(chǎn)品類型 7．3試流片和流片的具體過程 7．3．1芯片制造工藝流程與硅片批次的部分處理方法 7．3．2簡述試流片和流片的準(zhǔn)備工作 7．3．3硅片的種類 7．3．4光刻工藝模塊的具體工作內(nèi)容舉例 7．3．5批次試跑的一般流程 7．3．6FEM硅片數(shù)據(jù)處理 7．3．7工藝窗口驗(yàn)證 7．4硅片批次進(jìn)行常規(guī)流片時曝光以及數(shù)據(jù)的反饋流程 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第8章光刻工藝試流片和流片中出現(xiàn)的常見問題和解決方法 8．1光刻中常見的批次暫停舉例 8．1．1調(diào)焦調(diào)平圖像異常 8．1．2APC中某些條目缺失 8．1．3長時間沒有批次經(jīng)過時APC系統(tǒng)的狀態(tài)變化(一種APC設(shè)置
方式) 8．1．4套刻精度超過規(guī)格 8．2一些誤操作舉例 8．2．1多次涂膠 8．2．2套刻補(bǔ)償錯誤，包括越補(bǔ)越大 8．2．3帶有光刻膠硅片進(jìn)入爐管工藝 8．2．4SRC中的一些誤操作 8．2．5軌道機(jī)宕機(jī)時剝膠返工誤操作 8．2．6批次被錯誤釋放 8．2．7后段硅片進(jìn)入前段機(jī)臺 8．3其他的誤操作舉例 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第9章光刻工藝中采用的關(guān)鍵技術(shù) 9．1化學(xué)放大型光刻膠 9．1．1簡述光刻膠發(fā)展歷史 9．1．2等效光酸擴(kuò)散長度 9．2極紫外光刻工藝 9．2．1極紫外光刻工藝中的隨機(jī)效應(yīng)和線寬粗糙度 9．2．2極紫外光刻工藝仿真 9．3偏振照明 9．3．1采用偏振照明的原因及偏振照明與光瞳的選擇 9．3．2有無偏振照明時的仿真結(jié)果 9．4負(fù)顯影工藝 9．4．1正負(fù)顯影工藝的原理對比 9．4．2負(fù)顯影工藝的特點(diǎn) 9．4．3正負(fù)顯影工藝的仿真結(jié)果舉例 9．5PSM與OMOG掩模版 9．5．1兩種掩模版在單周期的仿真結(jié)果對比 9．5．2兩種掩模版在整個周期的仿真結(jié)果對比 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第10章與光刻相關(guān)的其他技術(shù) 10．1導(dǎo)向自組裝技術(shù) 10．1．1導(dǎo)向自組裝技術(shù)的基本原理 10．1．2導(dǎo)向自組裝技術(shù)的兩種方式 10．1．3國內(nèi)外導(dǎo)向自組裝技術(shù)的現(xiàn)狀和導(dǎo)向自組裝存在的挑戰(zhàn) 10．1．4導(dǎo)向自組裝技術(shù)在芯片制造中的應(yīng)用前景 10．2光學(xué)散射測量技術(shù) 本章小結(jié) 參考文獻(xiàn) 索引 中英文對照表
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現(xiàn)代集成電路工廠中的先進(jìn)光刻工藝研發(fā)方法與流程 作者簡介
李艷麗，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院青年研究員、碩士生導(dǎo)師。2010年于山東大學(xué)獲學(xué)士學(xué)位，2015年于復(fù)旦大學(xué)獲博士學(xué)位。博士期間主要從事硅納米晶體和硅納米線的制備以及研究其發(fā)光特性的工作，在國內(nèi)外期刊上發(fā)表多篇論文。2015-2021年，先后在中芯國際研發(fā)部、上海集成電路研發(fā)中心，負(fù)責(zé)28 nm、14 nm和5 nm基于EUV的光刻工藝技術(shù)研發(fā)工作。2021年6月加入復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院，主要研究方向是“集成電路先進(jìn)光刻工藝及光刻相關(guān)設(shè)備、光刻材料、光刻相關(guān)算法軟件”。自2019年起，在中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會（ CSTIC）、固態(tài)和集成電路技術(shù)國際會議（ICSICT）、國際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會（IWAPS）、 國際專用集成電路會議（ASICON）以及其他期刊上以一作或通訊作者發(fā)表EUV、DUV相關(guān)光刻技術(shù)論文20余篇，并憑借極紫外光刻膠隨機(jī)效應(yīng)模型獲得2020年CSTIC優(yōu)秀年輕工程師二等獎。還獲得2022年 ICSICT “杰出青年學(xué)者論文獎”。申報(bào)專利54項(xiàng)，授權(quán)16項(xiàng)（其中申報(bào)一作16項(xiàng)，授權(quán)6項(xiàng)），專利涉及深紫外、極紫外工藝、材料以及相關(guān)設(shè)備。 伍強(qiáng)，復(fù)旦大學(xué)研究員、博士生導(dǎo)師。1993年于復(fù)旦大學(xué)獲物理學(xué)學(xué)士學(xué)位，1999年于耶魯大學(xué)獲物理學(xué)博士學(xué)位。畢業(yè)后就職于IBM公司，擔(dān)任半導(dǎo)體集成電路光刻工藝研發(fā)工程師，在研發(fā)65nm邏輯光刻工藝時，在世界上首次通過建模精確地測量了光刻工藝的重要參數(shù)：等效光酸擴(kuò)散長度。2004年回國，先后擔(dān)任光刻工藝研發(fā)主管、光刻設(shè)備應(yīng)用部主管，就職于上海華虹NEC電子有限公司、荷蘭阿斯麥（ASML）光刻設(shè)備制造（中國）有限公司、中芯國際集成電路制造（上海）有限公司、中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司、上海集成電路研發(fā)中心和復(fù)旦大學(xué)。先后研發(fā)或帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研發(fā)0.18um、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、14nm、10nm、7nm等邏輯光刻工藝技術(shù)和0.11μm 動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）光刻工藝技術(shù)，帶領(lǐng)設(shè)備應(yīng)用部團(tuán)隊(duì)將193nm浸沒式光刻機(jī)成功引入中國。截至2023年12月，個人共獲得112項(xiàng)專利授權(quán)，其中40項(xiàng)美國專利，發(fā)表光刻技術(shù)論文83篇。擔(dān)任國家“02”重大專項(xiàng)光刻機(jī)工程指揮部專家，入選“2018年度上海市優(yōu)秀技術(shù)帶頭人”計(jì)劃。2007-2009年擔(dān)任ISTC（國際半導(dǎo)體技術(shù)大會）光刻分會主席，2010-2024年擔(dān)任CSTIC（中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會）光刻分會副主席。李艷麗，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院青年研究員、碩士生導(dǎo)師。2010年于山東大學(xué)獲學(xué)士學(xué)位，2015年于復(fù)旦大學(xué)獲博士學(xué)位。博士期間主要從事硅納米晶體和硅納米線的制備以及研究其發(fā)光特性的工作，在國內(nèi)外期刊上發(fā)表多篇論文。2015-2021年，先后在中芯國際研發(fā)部、上海集成電路研發(fā)中心，負(fù)責(zé)28 nm、14 nm和5 nm基于EUV的光刻工藝技術(shù)研發(fā)工作。2021年6月加入復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院，主要研究方向是“集成電路先進(jìn)光刻工藝及光刻相關(guān)設(shè)備、光刻材料、光刻相關(guān)算法軟件”。自2019年起，在中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會（ CSTIC）、固態(tài)和集成電路技術(shù)國際會議（ICSICT）、國際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會（IWAPS）、 國際專用集成電路會議（ASICON）以及其他期刊上以一作或通訊作者發(fā)表EUV、DUV相關(guān)光刻技術(shù)論文20余篇，并憑借極紫外光刻膠隨機(jī)效應(yīng)模型獲得2020年CSTIC優(yōu)秀年輕工程師二等獎。還獲得2022年 ICSICT “杰出青年學(xué)者論文獎”。申報(bào)專利54項(xiàng)，授權(quán)16項(xiàng)（其中申報(bào)一作16項(xiàng)，授權(quán)6項(xiàng)），專利涉及深紫外、極紫外工藝、材料以及相關(guān)設(shè)備。 伍強(qiáng)，復(fù)旦大學(xué)研究員、博士生導(dǎo)師。1993年于復(fù)旦大學(xué)獲物理學(xué)學(xué)士學(xué)位，1999年于耶魯大學(xué)獲物理學(xué)博士學(xué)位。畢業(yè)后就職于IBM公司，擔(dān)任半導(dǎo)體集成電路光刻工藝研發(fā)工程師，在研發(fā)65nm邏輯光刻工藝時，在世界上首次通過建模精確地測量了光刻工藝的重要參數(shù)：等效光酸擴(kuò)散長度。2004年回國，先后擔(dān)任光刻工藝研發(fā)主管、光刻設(shè)備應(yīng)用部主管，就職于上海華虹NEC電子有限公司、荷蘭阿斯麥（ASML）光刻設(shè)備制造（中國）有限公司、中芯國際集成電路制造（上海）有限公司、中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司、上海集成電路研發(fā)中心和復(fù)旦大學(xué)。先后研發(fā)或帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研發(fā)0.18um、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、14nm、10nm、7nm等邏輯光刻工藝技術(shù)和0.11μm 動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）光刻工藝技術(shù)，帶領(lǐng)設(shè)備應(yīng)用部團(tuán)隊(duì)將193nm浸沒式光刻機(jī)成功引入中國。截至2023年12月，個人共獲得112項(xiàng)專利授權(quán)，其中40項(xiàng)美國專利，發(fā)表光刻技術(shù)論文83篇。擔(dān)任國家“02”重大專項(xiàng)光刻機(jī)工程指揮部專家，入選“2018年度上海市優(yōu)秀技術(shù)帶頭人”計(jì)劃。2007-2009年擔(dān)任ISTC（國際半導(dǎo)體技術(shù)大會）光刻分會主席，2010-2024年擔(dān)任CSTIC（中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會）光刻分會副主席。
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