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半導體結構 版權信息
- ISBN：9787030789778
- 條形碼：9787030789778 ; 978-7-03-078977-8
- 裝幀：平裝
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體結構 內容簡介
《半導體結構》主要內容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結構理論和晶體的缺陷理論。**部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結構和關鍵性質的理解。**部分擬通過五個章節分別介紹晶體的基本概念、晶體結構、對稱性、晶體結構描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學特性和這些特性與晶體微觀、宏觀性質間的聯系。第二部分則主要圍繞實際晶體中各種雜志與缺陷態對晶體性能的影響撰寫。第二部分擬分為四章撰寫，第六至八章分別重點介紹晶體中三個維度的缺陷類型，包括點缺陷、線缺陷和面缺陷。*后，第九章介紹了多種晶體缺陷分析技術，如X射線衍射法、透射電子顯微技術、離子微探針技術等。
半導體結構 目錄
目錄第1章 晶體的性質 11.1 晶體和非晶體 11.2 晶體的基本性質 21.3 晶體的類型和結合力 5習題及思考題 11第2章 晶體的構造理論 132.1 點陣和平移群 132.2 14種空間點陣形式 152.3 晶體結構 182.3.1 晶體點陣結構 182.3.2 晶體結構中的等同點系概念 222.3.3 晶胞的概念 222.3.4 理想晶體和實際晶體 232.4 晶體結構的描述方法 232.4.1 球體密堆積原理 232.4.2 配位多面體 262.4.3 三種描述方法舉例 29習題及思考題 29實習A 認識布拉菲格子 31第3章 晶體的對稱性理論 323.1 對稱性概念、對稱動作和對稱要素 323.1.1 基本概念 323.1.2 對稱要素和對稱動作 323.1.3 對稱要素在點陣中的取向 383.1.4 晶體中對稱軸的軸次 393.1.5 5重旋轉軸與準晶體 403.2 晶體的宏觀對稱性及32種點群 423.2.1 晶體宏觀對稱要素 423.2.2 宏觀對稱要素的組合及32種對稱類型 433.2.3 點群按特征對稱要素分類及點群的表示符號 463.3 晶體的微觀對稱性及230種空間群 48習題及思考題 54實驗B 認識典型的晶胞 54第4章 晶體的晶向和晶面 554.1 原子坐標 554.2 晶面及晶面指數 564.3 晶向及晶向指數 574.4 倒易點陣 594.4.1 倒易點陣幾何 594.4.2 倒易點陣的矢量分析 624.5 晶面間距及夾角、晶向夾角及晶帶 644.5.1 晶面間距 644.5.2 晶面及晶向夾角 674.5.3 晶帶 68習題及思考題 70實習C 認識晶體的宏觀對稱性 71第5章 半導體材料及電子材料晶體結構的特點及性質 725.1 典型半導體材料晶體結構類型 725.1.1 金剛石型結構 725.1.2 閃鋅礦型結構 745.1.3 纖鋅礦型和氯化鈉型結構 765.2 半導體材料晶體結構與性能的關系 775.2.1 金剛石型和閃鋅礦型結構的一些重要參數 785.2.2 解理面 815.2.3 腐蝕特性 825.2.4 晶體生長性 855.3 電子材料中其他幾種典型晶體結構 885.4 固溶體晶體結構 925.4.1 替代式固溶體 925.4.2 間隙式固溶體 935.5 液晶的結構及特征 945.5.1 近晶型結構 945.5.2 向列型結構 945.5.3 膽甾型結構 955.6 納米晶體的結構及特征 96習題及思考題 97實習D 認識晶向和晶面 98第6章 半導體中的點缺陷 1006.1 點缺陷的基本概念 1006.1.1 熱缺陷的種類 1006.1.2 熱缺陷的統計計算 1036.1.3 雜質原子 1056.1.4 鍺、硅晶體中的空位及組態 1086.2 化合物半導體中的點缺陷 1096.2.1 化合物點缺陷的種類 1096.2.2 點缺陷的電離及對材料電化學性能的影響 1116.2.3 點缺陷平衡濃度的計算 1136.2.4 點缺陷與化學計量比偏離 1166.2.5 外壓對點缺陷濃度的影響 1176.3 點缺陷的締合 119習題及思考題 122第7章 半導體中的線缺陷 1237.1 晶體滑移機構及位錯模型的提出 1237.1.1 臨界切應力概念 1237.1.2 晶體滑移機構及位錯模型的建立 1247.1.3 位錯的基本類型 1267.2 伯格斯矢量 1297.2.1 伯格斯回路與伯格斯矢量 1297.2.2 伯格斯矢量的守恒性 1337.2.3 一種常見的確定伯格斯矢量的方法——Frank處理方法 1347.2.4 伯格斯矢量的一種符號表示法 1347.3 位錯的產生、運動及增殖機構 1367.3.1 機械應力和熱應力產生位錯的分析 1367.3.2 空位團的崩塌產生位錯及位錯的攀移運動 1407.3.3 位錯增殖機制 1417.4 位錯的應力場和應變能 1437.4.1 刃型位錯的應力場 1437.4.2 螺型位錯的應力場 1447.4.3 位錯的應變能 1457.5 位錯與其他缺陷間的相互作用 1477.5.1 位錯與雜質原子的相互作用 1477.5.2 位錯與空位、間隙原子等點缺陷的相互作用 1497.5.3 位錯的交割與割階 1507.5.4 位錯間的彈性交互作用 1517.6 鍺、硅單晶中的位錯 1557.6.1 金剛石型晶體的幾種典型位錯 1567.6.2 位錯對半導體材料的影響 160習題及思考題 162第8章 半導體中的面缺陷 1648.1 層錯 1648.1.1 堆垛層錯 1648.1.2 不全位錯 1658.1.3 擴展位錯 1688.1.4 金剛石型結構的堆垛層錯以及不全位錯的原子排布特點 1708.2 晶界 1718.2.1 小角度晶粒間界的位錯模型 1718.2.2 孿生晶界 1738.2.3 鑲嵌組織、亞晶界 1748.2.4 晶界能及雜質吸附 1758.3 相界 176習題及思考題 178第9章 半導體結構的表征技術 1799.1 晶體的極射赤面投影表示 1799.2 晶體的定向方法 1829.3 XRD光譜與晶體結構 1849.3.1 X射線的產生及性質 1849.3.2 X射線晶體衍射與布拉格方程 1869.3.3 復雜晶體對X射線的衍射 1889.3.4 單晶衍射技術——勞厄法 1919.3.5 X射線粉末衍射 1939.3.6 X射線粉末衍射譜圖分析 1949.4 透射電子顯微鏡 1969.4.1 透射電子顯微鏡的工作原理 1969.4.2 電子束在像平面成像 1979.4.3 電子束在焦平面成像 198習題及思考題 200參考文獻 201附錄A 常見礦石的名稱、分子式與所屬晶系 202附錄B 常見單質的所屬晶系 206附錄C 常見半導體材料的XRD標準卡 207
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