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半導體器件物理導論 版權信息
- ISBN：9787312058035
- 條形碼：9787312058035 ; 978-7-312-05803-5
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體器件物理導論 本書特色
內容豐富、精煉，著重介紹半導體器件的基礎知識，對問題的敘述著重基本物理圖像，以說透物理意義為主，盡量少用數學公式，不作數學推導。許多問題都不作定量的深入展開。希望用通俗易懂的文字把器件原理的物理圖像呈現給讀者，旨在幫助讀者更好地理解半導體器件的工作原理和性能，為讀者具備設計和優化新型器件的能力，建立一個扎實的學科基礎。
半導體器件物理導論 內容簡介
主要介紹半導體器件基本原理相關內容,反映當今半導體器件在概念和性能等方面的近期新進展,可以使讀者快速地了解當今主要半導體器件,如雙極、場效應、微波和光子器件的性能特點。內容包括:半導體基本知識,半導體pn 結、金屬-半導體接觸、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管、雙極晶體管、結型場效應晶體管、光器件、高壓功率器件、器件微納加工技術、半導體器件輻射效應。本書可作為高等院校微電子技術專業大四本科生和研究生一年級的教學用書,也可以作為半導體芯片科研人員的參考書。
半導體器件物理導論 目錄
**章 半導體基本知識
1.1 電子材料及分類
1.2 半導體材料特性
1.3 半導體能帶結構
1.4 載流子輸運
第二章 半導體pn結
2.1 熱平衡狀態
2.2 非平衡狀態
2.3 耗盡層電容
2.4 pn結直流特性
第三章 金屬-半導體接觸
3.1 功函數
3.2 肖特基接觸
3.3 歐姆接觸
3.4 肖特基勢壘二極管
3.5 表面態
3.6 金屬-半導體接觸能帶結構圖
第四章 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管
4.1 金屬-氧化物-半導體（MOS）器件結構及能帶圖
4.2 耗盡層寬度
4.3表面電荷濃度
4.4功函數差
4.5 平帶電壓
4.6 閾值電壓
4.7 電容-電壓特性
4.8 MOSFET基本工作原理
4.9 跨導
4.10 頻率限制特性
4.11 亞閾值電導
4.12 溝道長度的調制
4.13 遷移率變化及速度飽和
4.14 彈道輸運
4.15 單電子晶體管
第五章 雙極晶體管
5.1 雙極晶體管的工作原理
5.2 雙極晶體管的工作模式
5.3 雙極晶體管的放大作用
5.4 雙極晶體管兩種擊穿機制
5.5 漂移晶體管
第六章 結型場效應晶體管
6.1 pn JFET的基本工作原理
6.2 MESFET的基本工作原理
6.3 pn JFET夾斷電壓
6.4 pn JFET I-V特性
6.5 pn JFET跨導
6.6 MESFET閾值電壓和I-V特性
第七章 光器件
7.1 光學吸收及其吸收系數
7.2 pn結太陽能電池
7.3 異質結太陽能電池
7.4 非晶態硅太陽能電池
7.5 光電導體
7.6 PN結光電二極管
7.7 PIN光電二極管
7.8 發光二級管
7.9 激光二極管
第八章 高壓功率器件
8.1 功率MOSFET
8.2 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
8.3 碳化硅PIN二極管高壓器件
8.4 碳化硅PIN二極管微波器件
第九章 器件微納加工技術
9.1 光學曝光技術
9.2 電子束曝光技術
9.3 納米壓印技術
9.4 刻蝕技術
第十章 半導體器件輻射效應
10.1 器件輻射損傷
10.2 雙極晶體管輻射損傷基本現象
10.3 雙極晶體管輻射損傷基本機理
10.4 雙極晶體管結構加固基本措施
展開全部
半導體器件物理導論 作者簡介
向斌，中國科學技術大學材料科學與工程系教授，研究領域包括新能源材料及其器件應用的研究、納微器件加工、電子顯微鏡的原位表征等。
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