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半導體物理學(簡明版) 版權信息
- ISBN:9787121468681
- 條形碼:9787121468681 ; 978-7-121-46868-1
- 裝幀:一般膠版紙
- 冊數:暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>
半導體物理學(簡明版) 內容簡介
本書較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共9章,主要內容為:半導體的晶格結構和電子狀態;雜質和缺陷能級;載流子的統計分布;載流子的散射及電導問題;非平衡載流子的產生、復合及其運動規律;pn結;金屬和半導體的接觸;半導體表面與MIS結構;半導體異質結構。本書提供配套的教學大綱、電子課件PPT等教學資源。本書可作為高等學校集成電路科學與工程等相關專業半導體物理等相關課程的教材,也可供相關專業的科技人員參考。
半導體物理學(簡明版) 目錄
第1章 半導體中的電子狀態1
1.1 半導體的晶格結構和結合性質1
1.1.1 金剛石型結構和共價鍵1
1.1.2 閃鋅礦型結構和混合鍵2
1.1.3 纖鋅礦型結構3
1.2 半導體中的電子狀態和能帶4
1.2.1 原子的能級和晶體的能帶4
1.2.2 半導體中電子的狀態和能帶6
1.2.3 導體、半導體、絕緣體的能帶10
1.3 半導體中電子的運動―――有效質量11
1.3.1 半導體中E(k)與k的關系[3] 11
1.3.2 半導體中電子的平均速度12
1.3.3 半導體中電子的加速度12
1.3.4 有效質量的意義13
1.4 本征半導體的導電機構―――空穴[3] 14
1.5 回旋共振[4] 16
1.5.1 k空間等能面16
1.5.2 回旋共振描述18
1.6 硅和鍺的能帶結構19
1.6.1 硅和鍺的導帶結構19
1.6.2 硅和鍺的價帶結構22
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結構[7] 24
1.7.1 銻化銦的能帶結構24
1.7.2 砷化鎵的能帶結構[8] 25
1.7.3 磷化鎵和磷化銦的能帶結構25
1.7.4 混合晶體的能帶結構25
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結構26
1.8.1 二元化合物的能帶結構26
1.8.2 混合晶體的能帶結構27
1.9 Si1-xGex合金的能帶27
1.10 寬禁帶半導體材料29
1.10.1 GaN、AlN的晶格結構和能帶[18] 30
1.10.2 SiC的晶格結構和能帶32
習題35
參考資料35 __________
第2章 半導體中雜質和缺陷能級37
2.1 硅、鍺晶體中的雜質能級37
2.1.1 替位式雜質和間隙式雜質37
2.1.2 施主雜質、施主能級38
2.1.3 受主雜質、受主能級39
2.1.4 淺能級雜質電離能的簡單計算[2,3] 41
2.1.5 雜質的補償作用41
2.1.6 深能級雜質42
2.
展開全部
半導體物理學(簡明版) 作者簡介
劉恩科,西安交通大學教授p博士生導師,一直從事教學及科研工作。對本科生講授過普通物理學、原子物理學、固體物理學、半導體物理學、半導體物理與器件、半導體器件工藝、半導體物理與工藝實驗。對碩士生講授過太陽電池物理、半導體集成光學。對博士生講授過半導體光電子學和光集成等課程。
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