掃一掃
關注中圖網
官方微博
本類五星書更多>
-
>
闖進數學世界――探秘歷史名題
-
>
中醫基礎理論
-
>
當代中國政府與政治(新編21世紀公共管理系列教材)
-
>
高校軍事課教程
-
>
思想道德與法治(2021年版)
-
>
毛澤東思想和中國特色社會主義理論體系概論(2021年版)
-
>
中醫內科學·全國中醫藥行業高等教育“十四五”規劃教材
半導體材料及器件輻射缺陷與表征方法(2021材料基金) 版權信息
- ISBN：9787576705447
- 條形碼：9787576705447 ; 978-7-5767-0544-7
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體材料及器件輻射缺陷與表征方法(2021材料基金) 內容簡介
空間輻射誘導缺陷是導致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導缺陷的形成、演化和性質與半導體材料本身物理屬性、器件類型及結構密切相關。全書共分為4章，系統閘述了輻射誘導半導體缺陷的相關理論，數值模擬方法，表征技術及應用。
半導體材料及器件輻射缺陷與表征方法(2021材料基金) 目錄
目錄
第1章半導體物理基礎 …………………………………………………………001
1.1 概述 ………………………………………………………………………001
1.2 半導體的晶體結構與價鍵模型 ………………………………………002
1.3 半導體能帶 ……………………………………………………………017
1.4 熱平衡載流子 …………………………………………………………022
1.5 載流子輸運現象 ………………………………………………………034
1.6 非平衡載流子 …………………………………………………………040
1.7 缺陷對載流子輸運性質的影響 ………………………………………053
1.8 缺陷結構和性質的理論模擬 …………………………………………060
本章參考文獻 …………………………………………………………………079
第2章 半導體材料器件與原始缺陷 ……………………………………………082
2.1 半導體材料概述 ………………………………………………………082
2.2 硅、鍺及其外延材料 ……………………………………………………085
2.3化合物半導體材料 ……………………………………………………117
2.4 寬禁帶半導體材料 ……………………………………………………129
2.5其他半導體材料 ………………………………………………………144
2.6二極管 ……………………………………………………………………149
2.7 雙極型晶體管 …………………………………………………………159
2.8MOS場效應晶體管 ……………………………………………………170
本章參考文獻……………………………………………………………………180
第3章輻射誘導缺陷 ……………………………………………………………182
3.1 輻射物理基礎 …………………………………………………………182
3.2原子位移 …………………………………………………………………201
3.3 級聯損傷 …………………………………………………………………215
3.4 輻射誘導缺陷模擬仿真 ………………………………………………227
本章參考文獻 ……………………………………………………………………283
第4章 缺陷表征與分析方法 ……………………………………………………285
4.1半導體材料參數測試 …………………………………………………286
4.2半導體器件參數測試 …………………………………………………320
4.3 深能級瞬態譜測試 ……………………………………………………342
4.4光致熒光譜測試 ………………………………………………………368
本章參考文獻 …………………………………………………………………390
名詞索引 ……………………………………………………………………………………393
附錄 部分彩圖 …………………………………………………………………………395
展開全部
書友推薦
- >
伊索寓言-世界文學名著典藏-全譯本
- >
名家帶你讀魯迅:朝花夕拾
- >
月亮虎
- >
莉莉和章魚
- >
推拿
- >
回憶愛瑪儂
- >
我從未如此眷戀人間
- >
企鵝口袋書系列·偉大的思想20:論自然選擇(英漢雙語)
本類暢銷
