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摻雜GAN納米線制備技術 版權信息
- ISBN：9787502496401
- 條形碼：9787502496401 ; 978-7-5024-9640-1
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
摻雜GAN納米線制備技術 內容簡介
本書共分9章，主要內容包括各種元素摻雜GaN納米線的制備工藝與性能測試。對摻雜可以改善GaN納米線電學特性的原因進行了討論。另外，還介紹了AlN包覆GaN納米線的制備及表征，分析了AlN包覆GaN納米線的形成機理。本書內容涉及物理、化學、材料和電子信息等多個領域的相關知識，書中詳細地給出了各種摻雜GaN納米線制備的很好工藝，以便讀者更好地了解本書的內容。本書可供電子科學與技術、微電子學與固體電子學、光電信息工程、物理學類本科生、研究生及相關領域工程技術人員閱讀。也可作為高等院校相關專業師生的教學參考書。
摻雜GAN納米線制備技術 目錄
目錄1緒論11.1納米材料概述11.2GaN材料概述11.2.1物理性質21.2.2化學性質21.2.3電學性質21.2.4光學特性21.3GaN納米線的合成方法31.3.1分子束外延法31.3.2金屬有機化學氣相沉積法31.3.3氫化物輸運氣相外延生長法41.3.4模板限制生長法41.3.5激光燒蝕法41.3.6氧化物輔助生長法41.3.7化學氣相沉積法51.3.8溶膠凝膠法51.4納米線的生長機制51.4.1氣液固機制51.4.2氣固機制61.4.3GaN納米線表征與性能測試方法61.5場發射理論71.5.1經典FN理論71.5.2半導體場致電子發射91.5.3相關概念10參考文獻112P摻雜GaN納米線的制備及性能142.1實驗原料142.2襯底的處理152.3實驗步驟及形貌分析162.3.1基本實驗步驟162.3.2不同氨化溫度對P摻雜GaN納米線形貌的影響162.3.3不同氨化時間對P摻雜GaN納米線形貌的影響172.3.4不同氨氣流量對P摻雜GaN納米線形貌的影響182.3.5不同濃度P摻雜對GaN納米線形貌的影響192.4P摻雜GaN納米線的物相分析212.4.1純凈GaN納米線的物相分析212.4.2摻雜源比例為1∶30的P摻雜GaN納米線的物相分析222.4.3摻雜質量比為1∶20的P摻雜GaN納米線的物相分析232.4.4摻雜質量比為1∶10的P摻雜GaN納米線的物相分析242.5P摻雜GaN納米線的性能252.6P摻雜GaN納米的生長機制分析26參考文獻273Te摻雜GaN納米線的制備及性能283.1實驗方法及設備283.2實驗過程293.3樣品的表征與分析303.3.1樣品的表征方法303.3.2Ga2O3和Te質量比對納米線的影響303.3.3反應溫度對納米線的影響343.3.4Te摻雜GaN納米線的Raman分析363.4Te摻雜GaN納米線的性能38參考文獻414Sn摻雜GaN納米線的制備及性能424.1實驗方案424.1.1制備方法424.1.2實驗藥品的選擇434.2實驗設備434.3實驗過程444.4結果與討論454.4.1氨化溫度對Sn摻雜GaN納米線的影響454.4.2氨氣流量對Sn摻雜GaN納米線的影響464.4.3氨化時間對Sn摻雜GaN納米線的影響464.4.4Sn摻雜濃度對GaN納米線材料的影響484.4.5
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