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電子學系統(tǒng)輻射效應(yīng)與加固技術(shù)(2021材料基金) 版權(quán)信息
- ISBN：9787576705409
- 條形碼：9787576705409 ; 978-7-5767-0540-9
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
電子學系統(tǒng)輻射效應(yīng)與加固技術(shù)(2021材料基金) 內(nèi)容簡介
本書系統(tǒng)性地介紹輻射對電子學系統(tǒng)的損傷機制、研究方法和加固技術(shù)。第1~3章介紹輻射環(huán)境、輻射與物質(zhì)的相互作用，以及電子元器件的輻射效應(yīng)：第4~6章介紹多物理響應(yīng)與多物理場作用，輻射效應(yīng)的試驗與測試，以及輻射環(huán)境與輻射效應(yīng)的計算與仿真：第？章和第8章介紹電子學系統(tǒng)抗輻射加固技術(shù)與抗輻射性能評估。附錄提供了常用的輻射效應(yīng)數(shù)據(jù)以便查詢。
電子學系統(tǒng)輻射效應(yīng)與加固技術(shù)(2021材料基金) 目錄
第l章 輻射環(huán)境
1.1 概述
1.2 人為輻射環(huán)境
1.3 大氣輻射環(huán)境
1.4 空間輻射環(huán)境
1.5 其他輻射環(huán)境
1.6 本章小結(jié)
本章參考文獻
第2章 輻射與物質(zhì)的相互作用
2.1 概述
2.2 荷電粒子與靶物質(zhì)的相互作用
2.3 光子與物質(zhì)的相互作用
2.4 中子與靶物質(zhì)的相互作用
2.5 物質(zhì)的電離損傷和位移損傷
2.6 本章小結(jié)
本章參考文獻
第3章 電子元器件的輻射效應(yīng)
3.1 概述
3.2 材料的輻射效應(yīng)
3.3 PN結(jié)和二極管、雙極晶體管的輻射效應(yīng)
3.4 SiO2/Si界面和場效應(yīng)晶體管的輻射效應(yīng)
3.5 雙極工藝集成電路的輻射效應(yīng)
3.6 CMOS集成電路的輻射效應(yīng)
3.7 光電器件的輻射效應(yīng)
3.8 其他元器件的輻射效應(yīng)
3.9 本章小結(jié)
本章參考文獻
第4章 多物理響應(yīng)與多物理場作用
4.1 概述
4.2 多物理響應(yīng)
4.3 多物理場作用
4.4 本章小結(jié)
本章參考文獻
第5章 輻射效應(yīng)的試驗與測試
5.1 概述
5.2 輻射模擬源
5.3 劑量測量
5.4 宏觀特性參數(shù)測量
5.5 微觀特性參數(shù)測量
5.6 試驗方法
5.7 本章小結(jié)
本章參考文獻
第6章 輻射環(huán)境與輻射效應(yīng)的計算與仿真
6.1 概述
6.2 計算與仿真工具
6.3 輻射感生缺陷建模與仿真
6.4 器件建模與仿真
6.5 電路建模與仿真
6.6 本章小結(jié)
本章參考文獻
第7章 電子學系統(tǒng)抗輻射加固技術(shù)
7.1 概述
7.2 電子學系統(tǒng)
7.3 輻射環(huán)境指標分配
7.4 輻射屏蔽加固
7.5 元器件篩選和加固
7.6 電路硬件加固
7.7 系統(tǒng)程序加固
7.8 本章小結(jié)
本章參考文獻
第8章 抗輻射性能評估
8.1 概述
8.2 輻射效應(yīng)試驗
8.3 輻射效應(yīng)仿真
8.4 抗輻射性能評估
8.5 抗輻射加固保證
8.6 本章小結(jié)
本章參考文獻
附錄
附錄A 常用化學和物理參數(shù)
附錄B 材料、元器件的輻射效應(yīng)數(shù)據(jù)
附錄C 離子與材料的相互作用數(shù)據(jù)
附錄D 光子與材料的相互作用數(shù)據(jù)
附錄E 電子與材料的相互作用數(shù)據(jù)
附錄F 中子與材料的相互作用數(shù)據(jù)
附錄G 電子與光子射程比數(shù)據(jù)
縮略語索引
部分彩圖
1.1 概述
1.2 人為輻射環(huán)境
1.3 大氣輻射環(huán)境
1.4 空間輻射環(huán)境
1.5 其他輻射環(huán)境
1.6 本章小結(jié)
本章參考文獻
第2章 輻射與物質(zhì)的相互作用
2.1 概述
2.2 荷電粒子與靶物質(zhì)的相互作用
2.3 光子與物質(zhì)的相互作用
2.4 中子與靶物質(zhì)的相互作用
2.5 物質(zhì)的電離損傷和位移損傷
2.6 本章小結(jié)
本章參考文獻
第3章 電子元器件的輻射效應(yīng)
3.1 概述
3.2 材料的輻射效應(yīng)
3.3 PN結(jié)和二極管、雙極晶體管的輻射效應(yīng)
3.4 SiO2/Si界面和場效應(yīng)晶體管的輻射效應(yīng)
3.5 雙極工藝集成電路的輻射效應(yīng)
3.6 CMOS集成電路的輻射效應(yīng)
3.7 光電器件的輻射效應(yīng)
3.8 其他元器件的輻射效應(yīng)
3.9 本章小結(jié)
本章參考文獻
第4章 多物理響應(yīng)與多物理場作用
4.1 概述
4.2 多物理響應(yīng)
4.3 多物理場作用
4.4 本章小結(jié)
本章參考文獻
第5章 輻射效應(yīng)的試驗與測試
5.1 概述
5.2 輻射模擬源
5.3 劑量測量
5.4 宏觀特性參數(shù)測量
5.5 微觀特性參數(shù)測量
5.6 試驗方法
5.7 本章小結(jié)
本章參考文獻
第6章 輻射環(huán)境與輻射效應(yīng)的計算與仿真
6.1 概述
6.2 計算與仿真工具
6.3 輻射感生缺陷建模與仿真
6.4 器件建模與仿真
6.5 電路建模與仿真
6.6 本章小結(jié)
本章參考文獻
第7章 電子學系統(tǒng)抗輻射加固技術(shù)
7.1 概述
7.2 電子學系統(tǒng)
7.3 輻射環(huán)境指標分配
7.4 輻射屏蔽加固
7.5 元器件篩選和加固
7.6 電路硬件加固
7.7 系統(tǒng)程序加固
7.8 本章小結(jié)
本章參考文獻
第8章 抗輻射性能評估
8.1 概述
8.2 輻射效應(yīng)試驗
8.3 輻射效應(yīng)仿真
8.4 抗輻射性能評估
8.5 抗輻射加固保證
8.6 本章小結(jié)
本章參考文獻
附錄
附錄A 常用化學和物理參數(shù)
附錄B 材料、元器件的輻射效應(yīng)數(shù)據(jù)
附錄C 離子與材料的相互作用數(shù)據(jù)
附錄D 光子與材料的相互作用數(shù)據(jù)
附錄E 電子與材料的相互作用數(shù)據(jù)
附錄F 中子與材料的相互作用數(shù)據(jù)
附錄G 電子與光子射程比數(shù)據(jù)
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