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宇航MOSFET器件單粒子輻射加固技術(shù)與實(shí)踐(2021材料基金) 版權(quán)信息
- ISBN：9787576705416
- 條形碼：9787576705416 ; 978-7-5767-0541-6
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊(cè)數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
宇航MOSFET器件單粒子輻射加固技術(shù)與實(shí)踐(2021材料基金) 內(nèi)容簡介
本書系統(tǒng)介紹宇航MOSFET器件的單粒子效應(yīng)機(jī)理和加固技術(shù)。全書共6章，主要內(nèi)容包括空間輻射環(huán)境與基本輻射效應(yīng)、宇航MOSFET器件的空間輻射效應(yīng)及損傷模型、宇航MOSFET器件抗單粒子輻射加固技術(shù)，宇航MOSFET器件測試技術(shù)與輻照試驗(yàn)，并以一款宇航VDMOS器件為實(shí)例，詳述了抗單粒子加固樣品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝細(xì)節(jié)，*后介紹宇航MOSFET器件的應(yīng)用及發(fā)展趨勢。
宇航MOSFET器件單粒子輻射加固技術(shù)與實(shí)踐(2021材料基金) 目錄
第1章 空間輻射環(huán)境與基本輻射效應(yīng)
1.1 空間輻射環(huán)境
1.1.1 太陽宇宙射線
1.1.2 銀河宇宙射線
1.1.3 地球俘獲帶
1.2 基本輻射效應(yīng)
1.2.1 位移損傷效應(yīng)
1.2.2 總劑量效應(yīng)
1.2.3 單粒子效應(yīng)
1.3 單粒子輻射加固功率MOSFET器件面臨的挑戰(zhàn)
1.3.1 航天應(yīng)用對(duì)功率MOSFET器件的可靠性要求
1.3.2 航天應(yīng)用對(duì)功率MOSFET器件的抗輻射要求
本章參考文獻(xiàn)
第2章 宇航MOSFET器件的空間輻射效應(yīng)及損傷模型
2.1 重離子與材料的相互作用
2.1.1 重離子在材料中的能量損失
2.1.2 重離子在材料中的射程
2.2 宇航MOSFET器件物理
2.2.1 宇航VDMOS器件的基本器件結(jié)構(gòu)
2.2.2 宇航VDMOS器件靜態(tài)參數(shù)
2.2.3 宇航VDMOS器件動(dòng)態(tài)參數(shù)
2.2.4 宇航VDMOS器件極限參數(shù)
2.3 宇航MOSFET器件的單粒子輻射效應(yīng)
2.3.1 功率MOSFET的SEB效應(yīng)
2.3.2 功率MOSFET的SEGR效應(yīng)
2.3.3 功率MOSFET的SEB致SEGR效應(yīng)
2.4 宇航MOSFET器件的單粒子輻射損傷模型
2.4.1 描述單粒子效應(yīng)的幾個(gè)重要概念
2.4.2 功率MOSFET器件單粒子輻射效應(yīng)的影響因素
2.4.3 功率MOSFET的SEB損傷模型
2.4.4 功率MOSFET的SEGR損傷模型
本章參考文獻(xiàn)
第3章 宇航 MOSFET器件抗單粒子輻射加固技術(shù)
3.1 抗單粒子輻射加固整體思路
3.2 屏蔽技術(shù)
3.3 復(fù)合技術(shù)
3.3.1 局部高摻雜技術(shù)
3.3.2 異質(zhì)材料界面技術(shù)
3.3.3 重金屬復(fù)合中心技術(shù)
3.4 增強(qiáng)技術(shù)
3.4.1 柵介質(zhì)增強(qiáng)技術(shù)
3.4.2 寄生三極管觸發(fā)閾值提升技術(shù)
3.4.3 兩種功率MOSFET器件新結(jié)構(gòu)對(duì)比分析
本章參考文獻(xiàn)
第4章 宇航MOSFET器件測試技術(shù)與輻照試驗(yàn)
4.1 宇航MOSFET器件的應(yīng)用說明
4.2 MOSFET器件測試技術(shù)
4.2.1 電參數(shù)測試
4.2.2 安全工作區(qū)
4.2.3 宇航 MOSFET的破壞機(jī)理和對(duì)策
4.3 單粒子輻照試驗(yàn)源
4.3.1 單粒子輻照試驗(yàn)源分類
4.3.2 國外主流的重離子加速器
4.3.3 國內(nèi)的單粒子輻照試驗(yàn)源
4.4 單粒子輻照試驗(yàn)注意事項(xiàng)
4.5 單粒子輻照試驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
4.5.1 單粒子效應(yīng)研究手段
4.5.2 單粒子輻照試驗(yàn)原理
4.5.3 單粒子輻照試驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
4.6 單粒子輻照試驗(yàn)案例
4.6.1 單粒子輻照試驗(yàn)條件
4.6.2 MOSFET器件單粒子試驗(yàn)條件和結(jié)果
4.6.3 單粒子試驗(yàn)結(jié)果分析
本章參考文獻(xiàn)
第5章 宇航MOSFET器件設(shè)計(jì)實(shí)例
5.1 材料的選擇與參數(shù)設(shè)計(jì)
5.2 宇航MOSFET器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.2.1 MOSFET/VDMOS器件元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)例
5.2.2 實(shí)例VDMOS器件終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.2.3 寄生三極管檢測結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.3 實(shí)例VDMOS器件電參數(shù)設(shè)計(jì)及抗輻射評(píng)估
5.3.1 實(shí)例VDMOS器件電參數(shù)設(shè)計(jì)
5.3.2 實(shí)例VDMOS器件抗輻射能力評(píng)估
5.4 實(shí)例VDMOS器件工藝設(shè)計(jì)
5.4.1 整體工藝流程設(shè)計(jì)
5.4.2 關(guān)鍵工藝模塊設(shè)計(jì)
5.4.3 關(guān)鍵工藝窗口設(shè)計(jì)
5.5 實(shí)例VDMOS版圖設(shè)計(jì)
5.5.1 實(shí)例VDMOS器件整體版圖布局
5.5.2 實(shí)例VDMOS器件元胞版圖設(shè)計(jì)
5.5.3 實(shí)例VDMOS器件終端版圖設(shè)計(jì)
5.6 實(shí)例VDMOS器件流片結(jié)果與分析
本章參考文獻(xiàn)
第6章 宇航MOSFET器件的應(yīng)用及發(fā)展趨勢
6.1 宇航MOSFET器件在電源管理芯片中的設(shè)計(jì)及典型應(yīng)用
6.1.1 MOSFET器件在半橋開關(guān)里的應(yīng)用
6.1.2 MOSFET抗總劑量輻射設(shè)計(jì)
6.1.3 MOSFET抗單粒子燒毀設(shè)計(jì)
6.1.4 MOSFET抗單粒子?xùn)糯┙鉀Q途徑
6.2 宇航MOSFET器件的發(fā)展展望
6.2.1 硅MOSFET發(fā)展展望
6.2.2 SiC MOSFET發(fā)展展望
本章參考文獻(xiàn)
名詞索引
附錄 部分彩圖
1.1 空間輻射環(huán)境
1.1.1 太陽宇宙射線
1.1.2 銀河宇宙射線
1.1.3 地球俘獲帶
1.2 基本輻射效應(yīng)
1.2.1 位移損傷效應(yīng)
1.2.2 總劑量效應(yīng)
1.2.3 單粒子效應(yīng)
1.3 單粒子輻射加固功率MOSFET器件面臨的挑戰(zhàn)
1.3.1 航天應(yīng)用對(duì)功率MOSFET器件的可靠性要求
1.3.2 航天應(yīng)用對(duì)功率MOSFET器件的抗輻射要求
本章參考文獻(xiàn)
第2章 宇航MOSFET器件的空間輻射效應(yīng)及損傷模型
2.1 重離子與材料的相互作用
2.1.1 重離子在材料中的能量損失
2.1.2 重離子在材料中的射程
2.2 宇航MOSFET器件物理
2.2.1 宇航VDMOS器件的基本器件結(jié)構(gòu)
2.2.2 宇航VDMOS器件靜態(tài)參數(shù)
2.2.3 宇航VDMOS器件動(dòng)態(tài)參數(shù)
2.2.4 宇航VDMOS器件極限參數(shù)
2.3 宇航MOSFET器件的單粒子輻射效應(yīng)
2.3.1 功率MOSFET的SEB效應(yīng)
2.3.2 功率MOSFET的SEGR效應(yīng)
2.3.3 功率MOSFET的SEB致SEGR效應(yīng)
2.4 宇航MOSFET器件的單粒子輻射損傷模型
2.4.1 描述單粒子效應(yīng)的幾個(gè)重要概念
2.4.2 功率MOSFET器件單粒子輻射效應(yīng)的影響因素
2.4.3 功率MOSFET的SEB損傷模型
2.4.4 功率MOSFET的SEGR損傷模型
本章參考文獻(xiàn)
第3章 宇航 MOSFET器件抗單粒子輻射加固技術(shù)
3.1 抗單粒子輻射加固整體思路
3.2 屏蔽技術(shù)
3.3 復(fù)合技術(shù)
3.3.1 局部高摻雜技術(shù)
3.3.2 異質(zhì)材料界面技術(shù)
3.3.3 重金屬復(fù)合中心技術(shù)
3.4 增強(qiáng)技術(shù)
3.4.1 柵介質(zhì)增強(qiáng)技術(shù)
3.4.2 寄生三極管觸發(fā)閾值提升技術(shù)
3.4.3 兩種功率MOSFET器件新結(jié)構(gòu)對(duì)比分析
本章參考文獻(xiàn)
第4章 宇航MOSFET器件測試技術(shù)與輻照試驗(yàn)
4.1 宇航MOSFET器件的應(yīng)用說明
4.2 MOSFET器件測試技術(shù)
4.2.1 電參數(shù)測試
4.2.2 安全工作區(qū)
4.2.3 宇航 MOSFET的破壞機(jī)理和對(duì)策
4.3 單粒子輻照試驗(yàn)源
4.3.1 單粒子輻照試驗(yàn)源分類
4.3.2 國外主流的重離子加速器
4.3.3 國內(nèi)的單粒子輻照試驗(yàn)源
4.4 單粒子輻照試驗(yàn)注意事項(xiàng)
4.5 單粒子輻照試驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
4.5.1 單粒子效應(yīng)研究手段
4.5.2 單粒子輻照試驗(yàn)原理
4.5.3 單粒子輻照試驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
4.6 單粒子輻照試驗(yàn)案例
4.6.1 單粒子輻照試驗(yàn)條件
4.6.2 MOSFET器件單粒子試驗(yàn)條件和結(jié)果
4.6.3 單粒子試驗(yàn)結(jié)果分析
本章參考文獻(xiàn)
第5章 宇航MOSFET器件設(shè)計(jì)實(shí)例
5.1 材料的選擇與參數(shù)設(shè)計(jì)
5.2 宇航MOSFET器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.2.1 MOSFET/VDMOS器件元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)例
5.2.2 實(shí)例VDMOS器件終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.2.3 寄生三極管檢測結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.3 實(shí)例VDMOS器件電參數(shù)設(shè)計(jì)及抗輻射評(píng)估
5.3.1 實(shí)例VDMOS器件電參數(shù)設(shè)計(jì)
5.3.2 實(shí)例VDMOS器件抗輻射能力評(píng)估
5.4 實(shí)例VDMOS器件工藝設(shè)計(jì)
5.4.1 整體工藝流程設(shè)計(jì)
5.4.2 關(guān)鍵工藝模塊設(shè)計(jì)
5.4.3 關(guān)鍵工藝窗口設(shè)計(jì)
5.5 實(shí)例VDMOS版圖設(shè)計(jì)
5.5.1 實(shí)例VDMOS器件整體版圖布局
5.5.2 實(shí)例VDMOS器件元胞版圖設(shè)計(jì)
5.5.3 實(shí)例VDMOS器件終端版圖設(shè)計(jì)
5.6 實(shí)例VDMOS器件流片結(jié)果與分析
本章參考文獻(xiàn)
第6章 宇航MOSFET器件的應(yīng)用及發(fā)展趨勢
6.1 宇航MOSFET器件在電源管理芯片中的設(shè)計(jì)及典型應(yīng)用
6.1.1 MOSFET器件在半橋開關(guān)里的應(yīng)用
6.1.2 MOSFET抗總劑量輻射設(shè)計(jì)
6.1.3 MOSFET抗單粒子燒毀設(shè)計(jì)
6.1.4 MOSFET抗單粒子?xùn)糯┙鉀Q途徑
6.2 宇航MOSFET器件的發(fā)展展望
6.2.1 硅MOSFET發(fā)展展望
6.2.2 SiC MOSFET發(fā)展展望
本章參考文獻(xiàn)
名詞索引
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