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不同形貌GaN納米線制備技術 版權信息
- ISBN：9787502495954
- 條形碼：9787502495954 ; 978-7-5024-9595-4
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
不同形貌GaN納米線制備技術 內容簡介
本書以西安理工大學光電材料制備與器件設計團隊近20年所開展的GaN基材料制備與場發射特性研究為依托，通過化學氣相沉積法可控制備出塔形、鉛筆形、針尖狀、繩形、竹葉形、螺旋形及三維分支結構的GaN納米線，闡明了這些不同形貌GaN納米線的合成機理，發現它們因具有特殊的結構和大的場增強因子而具有優異的光電和場發射特性。
不同形貌GaN納米線制備技術 目錄
目錄1緒論1.1引言1.2納米材料簡介1.2.1納米材料概述1.2.2納米材料的特性1.3氮化鎵材料性質1.3.1物理性質1.3.2化學性質1.3.3電學性質1.3.4光學性質1.4氮化鎵納米線的合成方法1.4.1分子束外延法1.4.2金屬有機化學氣相沉積法1.4.3氫化物輸運氣相外延生長法1.4.4模板限制生長法1.4.5激光燒蝕法1.4.6氧化物輔助生長法1.4.7化學氣相沉積法1.4.8溶膠-凝膠法1.5納米線的生長機制1.5.1 VLS機制1.5.2 VS機制1.6場發射簡介1.6.1功函數1.6.2場增強因子1.6.3場發射陰極材料研究進展1.7 GaN納米材料研究進展1.7.1 GaN材料實驗研究進展1.7.2 GaN材料理論研究進展1.7.3 GaN納米材料場發射研究進展2特殊形貌GaN納米線制備及場發射性能研究2.1塔形GaN納米線制備2.1.1工藝條件對制備塔形GaN納米線的影響2.1.2塔形GaN納米線XRD表征2.1.3塔形GaN納米線SEM表征2.1.4塔形GaN納米線TEM表征2.1.5塔形GaN納米線生長機理分析2.2塔形GaN納米線性能測試2.2.1塔形GaN納米線光致發光譜分析2.2.2塔形GaN納米線拉曼光譜分析2.2.3塔形GaN納米線場發射性能分析2.3鉛筆形GaN納米線制備2.3.1工藝條件對制備鉛筆形GaN納米線的影響2.3.2鉛筆形GaN納米線XRD表征2.3.3鉛筆形GaN納米線SEM表征2.3.4鉛筆形GaN納米線生長機理分析2.4鉛筆形GaN納米線場發射性能分析2.5總結3三維分支結構GaN納米線制備及場發射性能研究3.1引言3.2三維分支結構GaN納米線制備3.3三維分支結構GaN納米線表征3.3.1三維分支結構GaN納米線XRD表征3.3.2三維分支結構GaN納米線SEM表征3.3.3三維分支結構GaN納米線TEM表征3.4三維分支結構GaN納米線生長機理分析3.5三維分支結構GaN納米線性能測試3.5.1三維分支結構GaN納米線光致發光譜分析3.5.2三維分支結構GaN納米線場發射性能分析3.6總結4 Se摻雜GaN納米線場發射性能研究4.1**性原理研究Se摻雜GaN納米線4.1.1密度泛函理論4.1.2計算模型和方法4.1.3形成能4.1.4模型優化4.1.5能帶結構4.1.6態密度4.1.7功函數4.2
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