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包郵 硅基射頻集成電路和系統(tǒng)

作者：廖懷林
出版社：科學(xué)出版社出版時(shí)間：2020-03-01
開(kāi)本： B5 頁(yè)數(shù)： 416
中 圖 價(jià):¥108.9(5.5折) 定價(jià)  ¥198.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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硅基射頻集成電路和系統(tǒng) 版權(quán)信息

硅基射頻集成電路和系統(tǒng) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

《硅基射頻集成電路和系統(tǒng)》以硅基射頻集成芯片系統(tǒng)為核心，介紹射頻電路和系統(tǒng)基礎(chǔ)、射頻集成電路基本理論和設(shè)計(jì)方法，以及國(guó)內(nèi)外硅基射頻集成電路和系統(tǒng)技術(shù)的新進(jìn)展。《硅基射頻集成電路和系統(tǒng)》分為射頻電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)、射頻收發(fā)機(jī)集成電路技術(shù)和面向特定應(yīng)用的射頻集成電路與系統(tǒng)技術(shù)三個(gè)部分。部分主要包括射頻電路和系統(tǒng)基礎(chǔ)與高頻器件及模型；第二部分主要包括射頻收發(fā)通道和頻率綜合器的關(guān)鍵電路技術(shù)；第三部分面向低功耗物聯(lián)網(wǎng)、可重構(gòu)射頻系統(tǒng)和毫米波雷達(dá)等應(yīng)用介紹相關(guān)射頻集成電路與系統(tǒng)技術(shù)。

硅基射頻集成電路和系統(tǒng) 目錄

目錄序前言第1章 緒論 1 1.1 引言 1 1.2 硅基射頻集成電路技術(shù)的發(fā)展 3 1.3 硅基射頻集成收發(fā)機(jī)芯片進(jìn)展 17 1.4 展望 20 參考文獻(xiàn) 21 第2章 射頻電路和系統(tǒng)基礎(chǔ) 23 2.1 反射系數(shù)與Smith圓圖 23 2.2 阻抗匹配和阻抗變換 24 2.3 非線性 28 2.3.1 功率1dB壓縮點(diǎn)(P1dB) 28 2.3.2 減敏與阻塞 29 2.3.3 交調(diào)信號(hào)及其影響 30 2.3.4 IIP3和IIP2 30 2.3.5 級(jí)聯(lián)非線性 31 2.4 噪聲 32 2.4.1 噪聲系數(shù) 33 2.4.2 靈敏度 34 2.4.3 動(dòng)態(tài)范圍 35 2.5 調(diào)制解調(diào) 35 2.5.1 模擬調(diào)制/解調(diào) 35 2.5.2 數(shù)字調(diào)制/解調(diào) 36 2.5.3 正交調(diào)制/解調(diào) 37 2.5.4 恒包絡(luò)調(diào)制/解調(diào) 38 2.6 多址接入技術(shù) 41 2.6.1 時(shí)分復(fù)用和頻分復(fù)用 41 2.6.2 頻分多址(FDMA) 43 2.6.3 時(shí)分多址(TDMA) 43 2.6.4 碼分多址(CDMA) 44 2.7 接收機(jī)系統(tǒng)架構(gòu) 44 2.7.1 外差接收機(jī) 44 2.7.2 零中頻接收機(jī) 49 2.8 發(fā)射機(jī)架構(gòu) 53 2.8.1 直接變頻發(fā)射機(jī) 53 2.8.2 外差發(fā)射機(jī) 54 參考文獻(xiàn) 54 第3章 射頻集成器件及其模型 56 3.1 集成電阻、電容及其高頻模型 56 3.1.1 集成電阻及其高頻模型 56 3.1.2 集成電容及其高頻模型 57 3.1.3 RF變?nèi)莨芗捌涓哳l模型 58 3.2 集成傳輸線 60 3.2.1 集成傳輸線簡(jiǎn)介 60 3.2.2 傳輸線基礎(chǔ) 61 3.2.3 慢波集成傳輸線 63 3.3 集成感性元件及其模型 64 3.3.1 集成感性元件簡(jiǎn)介 64 3.3.2 集成電感及其模型 65 3.3.3 集成變壓器及其模型 68 3.3.4 集成感性元件物理效應(yīng)解析模型 71 3.4 MOSFET器件與模型 76 3.4.1 MOSFET器件簡(jiǎn)介 76 3.4.2 MOSFET器件手算直流模型 76 3.4.3 MOSFET器件低頻等效小信號(hào)模型 77 3.4.4 MOSFET器件高頻模型 77 3.4.5 MOSFET高頻噪聲 80 3.4.6 有源器件高頻測(cè)試和參數(shù)提取簡(jiǎn)介 81 參考文獻(xiàn) 84 第4章 射頻接收機(jī)集成電路技術(shù) 86 4.1 低噪聲放大器 86 4.1.1 低噪聲放大器簡(jiǎn)介 86 4.1.2 放大器電路輸入阻抗 87 4.1.3 源簡(jiǎn)并低噪聲放大器 88 4.1.4 輸入端電阻直接匹配低噪聲放大器 92 4.1.5 共柵阻抗匹配低噪聲放大器 94 4.1.6 負(fù)反饋電阻匹配低噪聲放大器 95 4.1.7 高線性低噪聲放大器 95 4.2 混頻器 97 4.2.1 混頻器簡(jiǎn)述 97 4.2.2 混頻器折疊噪聲 99 4.2.3 諧波抑制混頻器 100 4.2.4 Sub-harmonic 混頻器 103 4.3 射頻集成濾波器 106 4.3.1 射頻集成濾波器簡(jiǎn)介 106 4.3.2 N通道濾波器阻抗變換 107 4.3.3 典型的N通道濾波器結(jié)構(gòu) 110 4.3.4 多相濾波器 111 4.4 模擬基帶電路 114 4.4.1 連續(xù)時(shí)間濾波器 114 4.4.2 分立時(shí)間濾波器 120 4.4.3 鏡像抑制濾波器 122 參考文獻(xiàn) 125 第5章 射頻發(fā)射機(jī)集成電路技術(shù) 127 5.1 功率放大器性能指標(biāo) 127 5.1.1 輸出功率 127 5.1.2 峰值-均值功率比 128 5.1.3 效率 128 5.1.4 線性度 129 5.1.5 星座圖和誤差矢量幅度 129 5.2 線性功率放大器 130 5.2.1 線性功率放大器分類及簡(jiǎn)介 130 5.2.2 共軛匹配和功率匹配 132 5.2.3 負(fù)載線理論 132 5.2.4 功率放大器的穩(wěn)定性 133 5.3 線性功率放大器設(shè)計(jì)實(shí)例 134 5.3.1 CMOS功率放大器設(shè)計(jì)難點(diǎn) 134 5.3.2 UHF頻段功率放大器設(shè)計(jì) 136 5.3.3 Loadpull 技術(shù)和Sourcepull 技術(shù) 147 5.4 非線性開(kāi)關(guān)類功率放大器 149 5.4.1 D類功率放大器 149 5.4.2 E類功率放大器 152 5.5 非線性功率放大器線性化技術(shù) 155 5.5.1 極坐標(biāo)發(fā)射機(jī) 155 5.5.2 差相發(fā)射機(jī) 156 5.5.3 Doherty PA 159 5.6 數(shù)字射頻發(fā)射機(jī) 161 5.6.1 數(shù)字射頻發(fā)射機(jī)簡(jiǎn)介 161 5.6.2 數(shù)控功率放大器 161 5.6.3 數(shù)控相位插值器 164 5.6.4 數(shù)字極坐標(biāo)發(fā)射機(jī) 167 5.6.5 數(shù)字正交發(fā)射機(jī) 168 5.6.6 數(shù)字差相發(fā)射機(jī) 172 參考文獻(xiàn) 173 第6章 頻率綜合器電路技術(shù) 175 6.1 鎖相環(huán)基礎(chǔ) 175 6.1.1 鎖相環(huán)頻率綜合器簡(jiǎn)介 175 6.1.2 相噪聲基礎(chǔ) 176 6.1.3 鎖定頻率分辨率 178 6.1.4 環(huán)路帶寬與鎖定時(shí)間 179 6.1.5 雜散 179 6.1.6 頻率調(diào)制和相位調(diào)制 179 6.2 電荷泵鎖相環(huán)電路技術(shù) 180 6.2.1 鎖相環(huán)環(huán)路特性 180 6.2.2 壓控振蕩器 186 6.2.3 分頻器 191 6.2.4 鑒頻鑒相器和電荷泵電路 192 6.2.5 小數(shù)分頻鎖相環(huán) 196 6.3 全數(shù)字鎖相環(huán)電路技術(shù) 200 6.3.1 數(shù)字鎖相環(huán)的小數(shù)分頻技術(shù) 201 6.3.2 高精度時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器技術(shù) 204 6.3.3 高精度數(shù)控振蕩器技術(shù) 207 6.3.4 數(shù)字鎖相環(huán)的環(huán)路分析 211 6.3.5 數(shù)字鎖相環(huán)的行為級(jí)建模 213 6.3.6 數(shù)字鎖相環(huán)設(shè)計(jì)實(shí)例 218 參考文獻(xiàn) 223 第7章 低功耗物聯(lián)網(wǎng)射頻集成電路與系統(tǒng)技術(shù) 225 7.1 低功耗藍(lán)牙射頻集成電路與系統(tǒng)技術(shù) 226 7.1.1 BLE系統(tǒng)簡(jiǎn)介 226 7.1.2 BLE電路系統(tǒng)指標(biāo)分析 232 7.1.3 BLE收發(fā)機(jī)參考設(shè)計(jì)指標(biāo) 237 7.1.4 低功耗藍(lán)牙關(guān)鍵電路與系統(tǒng)技術(shù) 238 7.1.5 BLE SoC芯片實(shí)例 247 7.2 低功耗廣域物聯(lián)網(wǎng)射頻與系統(tǒng)電路技術(shù) 251 7.2.1 NB-IoT簡(jiǎn)介 252 7.2.2 NB-IoT收發(fā)機(jī)關(guān)鍵電路和系統(tǒng)技術(shù) 255 7.3 基于非對(duì)等通信的RFID電路與系統(tǒng)技術(shù) 260 7.3.1 UHF RFID工作原理和通信協(xié)議 261 7.3.2 UHF RFID閱讀器芯片技術(shù) 267 7.3.3 UHF RFID標(biāo)簽芯片技術(shù) 276 7.4 超寬帶射頻集成電路與系統(tǒng)技術(shù) 281 7.4.1 UWB通信技術(shù)簡(jiǎn)介 281 7.4.2 UWB射頻系統(tǒng)關(guān)鍵問(wèn)題 283 7.4.3 UWB射頻集成電路和系統(tǒng)技術(shù) 283 7.5 無(wú)線人體傳感網(wǎng)射頻集成電路與系統(tǒng) 288 7.5.1 無(wú)線人體傳感網(wǎng) 288 7.5.2 體表通信環(huán)境傳輸特性 289 7.5.3 無(wú)線人體傳感網(wǎng)通信方式 291 7.5.4 人體信道通信收發(fā)機(jī)技術(shù)進(jìn)展 292 參考文獻(xiàn) 296 第8章 可重構(gòu)射頻集成電路與系統(tǒng)技術(shù) 299 8.1 可重構(gòu)射頻系統(tǒng)簡(jiǎn)介 299 8.2 可重構(gòu)射頻收發(fā)機(jī)技術(shù)挑戰(zhàn) 302 8.2.1 接收機(jī)系統(tǒng)要求分析 302 8.2.2 本振信號(hào)系統(tǒng)要求分析 305 8.2.3 發(fā)射機(jī)系統(tǒng)要求分析 306 8.3 可重構(gòu)接收機(jī)系統(tǒng)和關(guān)鍵電路技術(shù) 307 8.3.1 可重構(gòu)接收機(jī)架構(gòu) 308 8.3.2 高度可配置模擬基帶電路技術(shù) 322 8.4 面向可重構(gòu)應(yīng)用的頻率綜合器電路技術(shù) 327 8.4.1 寬工作頻率范圍頻率綜合器電路技術(shù) 327 8.4.2 低相噪聲頻率綜合器電路技術(shù) 330 8.5 可重構(gòu)發(fā)射機(jī)系統(tǒng)和關(guān)鍵電路技術(shù) 337 8.5.1 寬帶發(fā)射機(jī)架構(gòu)和相關(guān)電路技術(shù) 337 8.5.2 全集成雙工器技術(shù) 349 參考文獻(xiàn) 351 第9章 硅基毫米波集成電路與系統(tǒng)技術(shù) 354 9.1 硅基毫米波系統(tǒng)概述 354 9.1.1 毫米波通信頻段 354 9.1.2 毫米波雷達(dá)概述 354 9.1.3 硅基毫米波電路難點(diǎn) 357 9.2 毫米波系統(tǒng)鏈路預(yù)算 357 9.2.1 毫米波通信鏈路預(yù)算 357 9.2.2 毫米波雷達(dá)鏈路預(yù)算 357 9.2.3 陣列天線與增益 358 9.3 相控陣技術(shù) 359 9.3.1 相控陣原理 359 9.3.2 相控陣收發(fā)機(jī)架構(gòu) 361 9.3.3 相控陣的非理想效應(yīng)分析 364 9.4 MIMO技術(shù) 369 9.4.1 MIMO技術(shù)原理 369 9.4.2 MIMO串?dāng)_問(wèn)題 373 9.5 毫米波雷達(dá)技術(shù) 374 9.5.1 調(diào)頻連續(xù)波雷達(dá)原理 374 9.5.2 高精度調(diào)頻連續(xù)波雷達(dá)技術(shù) 375 9.5.3 雷達(dá)抗干擾技術(shù) 380 9.6 硅基毫米波關(guān)鍵電路 382 9.6.1 倍頻器 382 9.6.2 移相器 384 9.6.3 線性頻率源 387 參考文獻(xiàn) 393 中英文術(shù)語(yǔ)對(duì)照表 396
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