包郵集成電路工藝實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)

作者：石建軍,郭穎

出版社：東華大學(xué)出版社出版時(shí)間：2023-06-01

開(kāi)本： 16開(kāi) 頁(yè)數(shù)： 164

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目錄
作者簡(jiǎn)介

集成電路工藝實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ) 版權(quán)信息

ISBN：9787566922137
條形碼：9787566922137 ; 978-7-5669-2213-7
裝幀：平裝-膠訂
冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
重量：暫無(wú)
所屬分類(lèi)：
教材
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研究生/本科/專(zhuān)科教材
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工學(xué)

集成電路工藝實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

全書(shū)分3章，共26個(gè)實(shí)驗(yàn)，第1章為基礎(chǔ)工藝，包含真空技術(shù)、硅片的清洗及氧化、光刻工藝流程實(shí)驗(yàn)教學(xué)、氧等離子體刻蝕、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、磁控濺射法制備金屬薄膜、原子層沉積法制備納米薄膜的實(shí)驗(yàn)原理及工藝流程；第2章為檢測(cè)測(cè)量技術(shù)，包含MOSFET 器件特性的測(cè)量與分析、橢圓偏振儀測(cè)薄膜厚度、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)量亞甲基藍(lán)溶液濃度、傅立葉變換紅外光譜法 (FTIR) 測(cè)定硅中雜質(zhì)氧的含量、等離子體朗繆爾探針診斷技術(shù)、等離子體發(fā)射光譜診斷技術(shù)、質(zhì)譜法測(cè)定氧氣放電組成成份及能量實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體二極管的伏安特性及溫度特性、ICCD 器件的特性研究及應(yīng)用、四探針?lè)y(cè)量相變材料的變溫電阻曲線、薄膜厚度和形貌測(cè)量；第3章為工藝基礎(chǔ)及應(yīng)用，包含表面波等離子體放電實(shí)驗(yàn)、脈沖放電等離子體特性實(shí)驗(yàn)、低氣壓容性耦合等離子體特性實(shí)驗(yàn)、低氣壓感性耦合等離子體 (ICP) 特性實(shí)驗(yàn)、等離子體晶格、等離子體功能材料制備與光學(xué)性能檢測(cè)、低溫等離子體染料廢水處理實(shí)驗(yàn)、低溫等離子體產(chǎn)生 O3 及其應(yīng)用的實(shí)驗(yàn)探索。本書(shū)的目標(biāo)和任務(wù)是使學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體材料和器件的制備、基本物理參數(shù)以及物理性質(zhì)的測(cè)試原理和表征方法, 為半導(dǎo)體材料與器件的開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)與研制打下堅(jiān)定基礎(chǔ)。

集成電路工藝實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ) 目錄

目錄
■ 章基礎(chǔ)工藝
實(shí)驗(yàn)11真空技術(shù)/2 實(shí)驗(yàn)12硅片的清洗及氧化 /10 實(shí)驗(yàn)13光刻工藝流程實(shí)驗(yàn)教學(xué)/16 實(shí)驗(yàn)14氧等離子體刻蝕/20 實(shí)驗(yàn)15等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積/27 實(shí)驗(yàn)16磁控濺射法制備金屬薄膜/33 實(shí)驗(yàn)17原子層沉積法制備納米薄膜的實(shí)驗(yàn)原理及
工藝流程/38
■ 第二章檢測(cè)測(cè)量技術(shù)
實(shí)驗(yàn)21MOSFET器件特性的測(cè)量與分析/45 實(shí)驗(yàn)22橢圓偏振儀測(cè)薄膜厚度/51 實(shí)驗(yàn)23紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)量亞甲基藍(lán)溶液濃度/56 實(shí)驗(yàn)24傅立葉變換紅外光譜法(FTIR)
測(cè)定硅中雜質(zhì)氧的含量/62 實(shí)驗(yàn)25等離子體朗繆爾探針診斷技術(shù)/68 附錄/74 實(shí)驗(yàn)26等離子體發(fā)射光譜診斷技術(shù)/78 附錄/83 實(shí)驗(yàn)27質(zhì)譜法測(cè)定氧氣放電組成成份及能量實(shí)驗(yàn)/84 實(shí)驗(yàn)28半導(dǎo)體二極管的伏安特性及溫度特性/90 實(shí)驗(yàn)29ICCD器件的特性研究及應(yīng)用/95 實(shí)驗(yàn)210四探針?lè)y(cè)量相變材料的變溫電阻曲線/104 實(shí)驗(yàn)211薄膜厚度和形貌測(cè)量/111
■ 第三章工藝基礎(chǔ)及應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)31表面波等離子體放電實(shí)驗(yàn)/118 實(shí)驗(yàn)32脈沖放電等離子體特性實(shí)驗(yàn)/125 實(shí)驗(yàn)33低氣壓容性耦合等離子體特性實(shí)驗(yàn)/130 附錄/135 實(shí)驗(yàn)34低氣壓感性耦合等離子體(ICP)特性實(shí)驗(yàn)/137 實(shí)驗(yàn)35等離子體晶格/141 實(shí)驗(yàn)36等離子體功能材料制備與光學(xué)性能檢測(cè)/147 實(shí)驗(yàn)37低溫等離子體染料廢水處理實(shí)驗(yàn)/151 實(shí)驗(yàn)38低溫等離子體產(chǎn)生O3及其應(yīng)用的實(shí)驗(yàn)探索/160 ■ 參考文獻(xiàn)/164

展開(kāi)全部

集成電路工藝實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ) 作者簡(jiǎn)介

石建軍，磁約束核聚變教育部研究中心(東華大學(xué))副主任和紡織行業(yè)先進(jìn)等離子體技術(shù)與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，中國(guó)力學(xué)學(xué)會(huì)第八屆等離子體科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)委員會(huì)副主任委員，教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才，上海市曙光學(xué)者和浦江學(xué)者。研究方向：在等離子體物理和等離子體與材料相互作用方面開(kāi)展基礎(chǔ)和應(yīng)用研究。先后主持了包括國(guó)家自然科學(xué)基金面上、青年項(xiàng)目和科學(xué)部主任基金項(xiàng)目、科技部ITER計(jì)劃配套項(xiàng)目、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃、上海市浦江人才計(jì)劃、上海市曙光計(jì)劃等。在《Physical Review Letters》、《Applied Physics Letters》、《Journal of Applied Physics》等期刊上發(fā)表SCI論文80余篇。郭穎，紡織行業(yè)先進(jìn)等離子體技術(shù)與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)等離子體及應(yīng)用專(zhuān)委會(huì)委員。主要從事低溫等離子體的基礎(chǔ)和應(yīng)用研究工作，包括等離子體源技術(shù)、診斷及理論和數(shù)值模擬。致力于發(fā)展大面積均勻穩(wěn)定的低溫等離子體源技術(shù)；同時(shí)也面向等離子體與材料表面的相互作用，如刻蝕、沉積、接枝及功能改性方面的工作。主持國(guó)家基金項(xiàng)目3項(xiàng)，主持與美國(guó)March公司合作設(shè)備開(kāi)發(fā)項(xiàng)目等多項(xiàng)橫向項(xiàng)目，參加其他各類(lèi)科研項(xiàng)目(國(guó)家重點(diǎn)基金等)多項(xiàng)，所參加的項(xiàng)目獲得上海市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。在APL、PSST、POP、ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Surf. Sci.、AIP Advances等發(fā)表論文三十多篇。

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