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有限晶體中的電子態(tài):Bloch波的量子限域(第二版) 版權(quán)信息
- ISBN：9787301335857
- 條形碼：9787301335857 ; 978-7-301-33585-7
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
有限晶體中的電子態(tài):Bloch波的量子限域(第二版) 內(nèi)容簡介
Bloch波是一種比眾所周知的平面波更為普遍的波的形式。本書在微分方程數(shù)學(xué)理論的基礎(chǔ)上分析了這兩種波的量子限域效應(yīng)的根本性的不同：在Bloch波的量子限域里總是存在著與邊界有關(guān)的電子態(tài)。正是由于這種與邊界有關(guān)的電子態(tài)的存在，導(dǎo)致了在理想低維系統(tǒng)和有限晶體電子態(tài)研究里的遠(yuǎn)為豐富的物理內(nèi)容。本書一些結(jié)論與固體物理學(xué)界的傳統(tǒng)看法有很大不同。 作為一個(gè)單電子和無自旋的理論，本書的理論是一個(gè)比以Bloch定理為基礎(chǔ)的傳統(tǒng)的固體物理學(xué)里晶體中的電子態(tài)理論和量子力學(xué)里經(jīng)典的無限深方勢阱問題的理論都更為普遍的解析理論：新理論包含了這兩個(gè)經(jīng)典理論各自的核心物理內(nèi)容，即前者的周期性和后者的存在邊界和有限尺度。 在處理其它周期性如一維聲子晶體和一維光子晶體的有關(guān)物理問題時(shí)，本書里介紹的周期性Sturm-Liouville理論方法包括了有關(guān)數(shù)學(xué)理論近些年來的重要進(jìn)展，與現(xiàn)在*為常用的轉(zhuǎn)移矩陣方法相比，這是一個(gè)基礎(chǔ)接近不同的數(shù)學(xué)方法。其中引入的比起經(jīng)典的”微商”更為普遍的“準(zhǔn)微商”數(shù)學(xué)概念，有可能在許多物理問題中得到廣泛應(yīng)用。
有限晶體中的電子態(tài):Bloch波的量子限域(第二版) 目錄
**部分 為什么需要一個(gè)有限晶體中的電子態(tài)的理論
**章 緒論
§1.1 建立于平移不變性基礎(chǔ)上的晶體中的電子態(tài)
§1.2 幾種典型晶體的能帶結(jié)構(gòu)
§1.3 傳統(tǒng)固體物理學(xué)中晶體中電子態(tài)理論的基本困難
§1.4 有效質(zhì)量近似
§1.5 一些數(shù)值結(jié)果
§1.6 本書的主題及主要結(jié)果
第二部分 一維半無限和有限晶體中的電子態(tài)
第二章 周期性Sturm-Liouville方程
§2.1 基本理論和兩個(gè)基本定理
§2.2 Floquet理論
§2.3 判別式和線性獨(dú)立解的形式
§2.4 周期性Sturm-Liouville方程的譜理論
§2.5 周期性Sturm-Liouville方程本征值的帶結(jié)構(gòu)
§2.6 關(guān)于解的零點(diǎn)的幾個(gè)定理
第三章 一維半無限晶體的表面態(tài)
§3.1 基本考慮
§3.2 兩個(gè)定性關(guān)系
§3.3 理想半無限晶體中的表面態(tài)
§3.4 Vout 有限的情況
§3.5 一個(gè)普遍的定量形式
§3.6 與前人工作的比較和討論
第四章 理想一維有限晶體中的電子態(tài)
§4.1 基本考慮
§4.2 兩種不同類型的電子態(tài)
§4.3 依賴于τ 的電子態(tài)
§4.4 Bloch波駐波態(tài)
§4.5 一維對稱有限晶體里的電子態(tài)
§4.6 對于有效質(zhì)量近似的評論
§4.7 關(guān)于表面態(tài)的評論
§4.8 對兩個(gè)其他問題的討論
§4.9 小結(jié)
第三部分 低維系統(tǒng)和有限晶體
第五章 理想量子膜中的電子態(tài)
§5.1 一個(gè)基本定理
§5.2 定理的推論
§5.3 理想量子膜里電子態(tài)的基本考慮
§5.4 依賴于τ3 的電子態(tài)
§5.5 Bloch駐波態(tài)
§5.6 幾種更有實(shí)際意義的量子膜
§5.8 進(jìn)一步的討論
第六章 理想量子線中的電子態(tài)
§6.1 基本考慮
§6.2 ψn(k,x;τ3)的進(jìn)一步量子限域
§6.3 ψn,j3(k,x;τ3)的進(jìn)一步量子限域
§6.4 具有簡單立方、四角、正交 Bravais 格子的晶體的量子線
§6.5 具有面心立方 Bravais 格子的晶體, 表面為 (110) 和 (001) 面的量子線·
§6.6 具有面心立方布拉維格子的晶體且其表面為(110)和(1 ?10)的量子線
§6.7 具有體心立方 Bravais 格子的晶體, 表面為 (001) 和 (010) 面的量子線
§6.8 小結(jié)和討論
第七章 理想有限晶體或量子點(diǎn)中的電子態(tài)
§7.1 基本考慮
§7.2 ψ ?n (k ?,x;τ2 ,τ3 )的進(jìn)一步量子限域
§7.3 ψ ?n,j3(k ?,x;τ2 ,τ3 )的進(jìn)一步量子限域
§7.4 ψ ?n,j2(k ?,x;τ2 ,τ3 )的進(jìn)一步量子限域
§7.5 ψ ?n,j2,j3(k ?,x;τ2 ,τ3 )的進(jìn)一步量子限域
§7.6 具有簡單立方、四角或正交Bravais格子的有限晶體或量子點(diǎn)
§7.7 具有面心立方 Bravais 格子, 表面為 (001), (110), (1 ?10) 面的有限晶體
§7.8 具有體心立方 Bravais 格子, 表面為 (100), (010), (001) 面的有限晶體
§7.9 小結(jié)和討論
第四部分尾 聲
第八章 結(jié)束語
§8.1總結(jié)和簡單的討論
§8.2一些有關(guān)的系統(tǒng)
§8.3 能否有一個(gè)更普遍的理論?
第五部分附 錄
附錄A Kronig-Penney模型
附錄B 具有限外部勢場Vout 的一維對稱有限晶體中的電子態(tài)
附錄C 層狀結(jié)構(gòu)晶體
附錄 D ?Λ/?τ 和 ?Λ /?σ的解析表達(dá)式
附錄E 一維聲子晶體
附錄G 理想空腔結(jié)構(gòu)中的電子態(tài)
**章 緒論
§1.1 建立于平移不變性基礎(chǔ)上的晶體中的電子態(tài)
§1.2 幾種典型晶體的能帶結(jié)構(gòu)
§1.3 傳統(tǒng)固體物理學(xué)中晶體中電子態(tài)理論的基本困難
§1.4 有效質(zhì)量近似
§1.5 一些數(shù)值結(jié)果
§1.6 本書的主題及主要結(jié)果
第二部分 一維半無限和有限晶體中的電子態(tài)
第二章 周期性Sturm-Liouville方程
§2.1 基本理論和兩個(gè)基本定理
§2.2 Floquet理論
§2.3 判別式和線性獨(dú)立解的形式
§2.4 周期性Sturm-Liouville方程的譜理論
§2.5 周期性Sturm-Liouville方程本征值的帶結(jié)構(gòu)
§2.6 關(guān)于解的零點(diǎn)的幾個(gè)定理
第三章 一維半無限晶體的表面態(tài)
§3.1 基本考慮
§3.2 兩個(gè)定性關(guān)系
§3.3 理想半無限晶體中的表面態(tài)
§3.4 Vout 有限的情況
§3.5 一個(gè)普遍的定量形式
§3.6 與前人工作的比較和討論
第四章 理想一維有限晶體中的電子態(tài)
§4.1 基本考慮
§4.2 兩種不同類型的電子態(tài)
§4.3 依賴于τ 的電子態(tài)
§4.4 Bloch波駐波態(tài)
§4.5 一維對稱有限晶體里的電子態(tài)
§4.6 對于有效質(zhì)量近似的評論
§4.7 關(guān)于表面態(tài)的評論
§4.8 對兩個(gè)其他問題的討論
§4.9 小結(jié)
第三部分 低維系統(tǒng)和有限晶體
第五章 理想量子膜中的電子態(tài)
§5.1 一個(gè)基本定理
§5.2 定理的推論
§5.3 理想量子膜里電子態(tài)的基本考慮
§5.4 依賴于τ3 的電子態(tài)
§5.5 Bloch駐波態(tài)
§5.6 幾種更有實(shí)際意義的量子膜
§5.8 進(jìn)一步的討論
第六章 理想量子線中的電子態(tài)
§6.1 基本考慮
§6.2 ψn(k,x;τ3)的進(jìn)一步量子限域
§6.3 ψn,j3(k,x;τ3)的進(jìn)一步量子限域
§6.4 具有簡單立方、四角、正交 Bravais 格子的晶體的量子線
§6.5 具有面心立方 Bravais 格子的晶體, 表面為 (110) 和 (001) 面的量子線·
§6.6 具有面心立方布拉維格子的晶體且其表面為(110)和(1 ?10)的量子線
§6.7 具有體心立方 Bravais 格子的晶體, 表面為 (001) 和 (010) 面的量子線
§6.8 小結(jié)和討論
第七章 理想有限晶體或量子點(diǎn)中的電子態(tài)
§7.1 基本考慮
§7.2 ψ ?n (k ?,x;τ2 ,τ3 )的進(jìn)一步量子限域
§7.3 ψ ?n,j3(k ?,x;τ2 ,τ3 )的進(jìn)一步量子限域
§7.4 ψ ?n,j2(k ?,x;τ2 ,τ3 )的進(jìn)一步量子限域
§7.5 ψ ?n,j2,j3(k ?,x;τ2 ,τ3 )的進(jìn)一步量子限域
§7.6 具有簡單立方、四角或正交Bravais格子的有限晶體或量子點(diǎn)
§7.7 具有面心立方 Bravais 格子, 表面為 (001), (110), (1 ?10) 面的有限晶體
§7.8 具有體心立方 Bravais 格子, 表面為 (100), (010), (001) 面的有限晶體
§7.9 小結(jié)和討論
第四部分尾 聲
第八章 結(jié)束語
§8.1總結(jié)和簡單的討論
§8.2一些有關(guān)的系統(tǒng)
§8.3 能否有一個(gè)更普遍的理論?
第五部分附 錄
附錄A Kronig-Penney模型
附錄B 具有限外部勢場Vout 的一維對稱有限晶體中的電子態(tài)
附錄C 層狀結(jié)構(gòu)晶體
附錄 D ?Λ/?τ 和 ?Λ /?σ的解析表達(dá)式
附錄E 一維聲子晶體
附錄G 理想空腔結(jié)構(gòu)中的電子態(tài)
展開全部
有限晶體中的電子態(tài):Bloch波的量子限域(第二版) 作者簡介
【美國】任尚元 ---------------------------- 任尚元，北京大學(xué)物理學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師。1963年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系，1963-1966年師從黃昆先生就讀半導(dǎo)體物理理論的研究生。曾任中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授；從1978年起曾在美國多所大學(xué)任訪問學(xué)者或訪問教授。長期從事固體物理理論、量子力學(xué)及其相關(guān)領(lǐng)域的教學(xué)、科研工作，發(fā)表研究論文90余篇，其中一些被廣泛引用。他在微分方程數(shù)學(xué)理論的基礎(chǔ)上提出了一個(gè)Bloch波的量子限域的新理論，發(fā)展了一個(gè)關(guān)于理想低維系統(tǒng)和有限晶體電子態(tài)的解析理論。
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