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集成電路器件抗輻射加固設計技術 版權信息
- ISBN：9787030747143
- 條形碼：9787030747143 ; 978-7-03-074714-3
- 裝幀：平裝
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
集成電路器件抗輻射加固設計技術 本書特色
本書將重點系統性地介紹專門針對集成電路若干器件的新型抗輻射加固設計技術的*新研究成果，方便相關研究人員對該領域快速入門，從而為推動國家集成電路抗輻射設計的發展添磚加瓦。
集成電路器件抗輻射加固設計技術 內容簡介
本書從集成電路器件可靠性問題出發，結合作者在集成電路可靠性設計領域的多年科研實踐成果，闡述了輻射環境、輻射效應、軟錯誤和仿真工具等背景知識，詳細介紹了常用的抗輻射加固設計技術及組件，重點針對鎖存器、主從觸發器、SRAM存儲單元和表決器介紹了經典的和新穎的抗輻射加固技術等。
集成電路器件抗輻射加固設計技術 目錄
目錄前言 第1章 緒論 1 1.1 輻射環境 2 1.1.1 自然輻射環境 2 1.1.2 人造輻射環境 6 1.2 輻射效應 6 1.2.1 單粒子效應 6 1.2.2 累積效應 9 1.3 重要概念 9 1.3.1 故障、錯誤與失效 9 1.3.2 軟錯誤 10 1.4 軟錯誤模型 10 1.4.1 器件級模型 10 1.4.2 電路級模型 11 1.5 電子設計自動化仿真工具 12 1.5.1 Synopsys HSPICE 12 1.5.2 Cadence Virtuoso 13 1.6 基于RHBD技術的集成電路器件存在的問題 14 1.7 本章小結 14 第2章 常用的抗輻射加固設計技術及組件 15 2.1 常用的抗輻射加固設計技術 15 2.1.1 空間冗余技術 15 2.1.2 時間冗余技術 16 2.2 常用的抗輻射加固組件 18 2.2.1 C單元 18 2.2.2 1P2N和2P1N單元 21 2.2.3 DICE單元 22 2.2.4 施密特反相器 24 2.3 抗輻射能力的定義 25 2.4 本章小結 27 第3章 表決器的抗輻射加固設計技術 28 3.1 傳統的表決器設計 28 3.2 基于多級C單元的表決器設計 29 3.2.1 電路結構與工作原理 30 3.2.2 實驗驗證與對比分析 37 3.3 基于電流競爭的表決器設計 39 3.3.1 電路結構與工作原理 40 3.3.2 表決器的應用 42 3.3.3 實驗驗證與對比分析 46 3.4 本章小結 56 第4章 鎖存器的抗輻射加固設計技術 57 4.1 未加固的標準靜態鎖存器設計 57 4.2 經典的抗輻射加固鎖存器設計 58 4.2.1 抗單節點翻轉的鎖存器設計 58 4.2.2 抗雙節點翻轉的鎖存器設計 62 4.2.3 抗三節點翻轉的鎖存器設計 70 4.2.4 過濾SET脈沖的鎖存器設計 74 4.3 單節點翻轉自恢復的RFC鎖存器設計 79 4.3.1 電路結構與工作原理 79 4.3.2 實驗驗證與對比分析 80 4.4 抗雙/三節點翻轉的鎖存器設計 85 4.4.1 HSMUF雙容鎖存器 86 4.4.2 基于浮空點的雙容鎖存器 89 4.4.3 超低開銷的LCDNUT/LCTNUT鎖存器 96 4.4.4 恢復能力增強的DNUCT/TNUCT鎖存器 102 4.4.5 完全三恢的鎖存器 110 4.5 過濾SET脈沖的鎖存器設計 111 4.5.1 PDFSR鎖存器 111 4.5.2 RFEL鎖存器 116 4.6 本章小結 126 第5章 主從觸發器的抗輻射加固設計技術 127 5.1 未加固的主從觸發器設計 127 5.2 經典的抗輻射加固主從觸發器設計 128 5.3 抗節點翻轉主從觸發器設計 130 5.3.1 電路結構與工作原理 130 5.3.2 實驗驗證與對比分析 134 5.4 本章小結 145 第6章 SRAM單元的抗輻射加固設計技術 146 6.1 未加固的SRAM存儲單元設計 146 6.1.1 6TSRAM 146 6.1.2 8TSRAM 148 6.2 經典的抗輻射加固SRAM存儲單元設計 149 6.2.1 抗單節點翻轉的SRAM存儲單元設計 149 6.2.2 抗雙節點翻轉的16T SRAM存儲單元設計 163 6.3 抗單節點翻轉的SRAM存儲單元設計 164 6.3.1 QCCM10T/QCCM12T SRAM 164 6.3.2 QCCS/SCCS SRAM 173 6.3.3 SRS14T/SESRS SRAM 183 6.4 抗雙節點翻轉的SRAM存儲單元設計 193 6.4.1 電路結構與工作原理 193 6.4.2 實驗驗證與對比分析 200 6.5 本章小結 206 參考文獻 207
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