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包郵 半導(dǎo)體材料(第四版)

出版社:科學(xué)出版社出版時(shí)間:2023-03-01
開(kāi)本: 其他 頁(yè)數(shù): 264
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半導(dǎo)體材料(第四版) 版權(quán)信息

半導(dǎo)體材料(第四版) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝,以及特性的控制等。全書(shū)共13章:第1章為硅和鍺的化學(xué)制備;第2章為區(qū)熔提純;第3章為晶體生長(zhǎng);第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷;第5章為硅外延生長(zhǎng);第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體;第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng);第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體;第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體;第10章為低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料;第11章為氧化物半導(dǎo)體材料;第12章為照明半導(dǎo)體材料;第13章為其他半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體材料(第四版) 目錄

目錄 緒論1 第1章硅和鍺的化學(xué)制備4 1.1硅和鍺的物理化學(xué)性質(zhì)4 1.2高純硅的制備6 1.3鍺的富集與提純13 第2章區(qū)熔提純16 2.1相圖16 2.2分凝現(xiàn)象與分凝系數(shù)25 2.3區(qū)熔原理29 2.4鍺的區(qū)熔提純38 第3章晶體生長(zhǎng)39 3.1晶體生長(zhǎng)理論基礎(chǔ)39 3.2熔體的晶體生長(zhǎng)55 3.3硅、鍺單晶生長(zhǎng)61 第4章硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷68 4.1硅、鍺晶體中雜質(zhì)的性質(zhì)68 4.2硅、鍺晶體的摻雜71 4.3硅、鍺單晶的位錯(cuò)87 4.4硅單晶中的微缺陷92 第5章硅外延生長(zhǎng)96 5.1外延生長(zhǎng)概述96 5.2硅襯底制備98 5.3硅的氣相外延生長(zhǎng)102 5.4硅外延層電阻率的控制113 5.5硅外延層的缺陷118 5.6硅的異質(zhì)外延122 第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體127 6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的特性127 6.2砷化鎵單晶的生長(zhǎng)方法133 6.3砷化鎵單晶中雜質(zhì)的控制140 6.4砷化鎵單晶的完整性144 6.5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制備146 第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)150 7.1氣相外延生長(zhǎng)(VPE)150 7.2金屬有機(jī)物氣相外延生長(zhǎng)(MOVPE)153 7.3液相外延生長(zhǎng)(LPE)160 7.4分子束外延生長(zhǎng)(MBE)165 7.5化學(xué)束外延生長(zhǎng)(CBE)169 7.6其他外延生長(zhǎng)技術(shù)171 第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體176 8.1異質(zhì)結(jié)與晶格失配177 8.2GaAlAs外延生長(zhǎng)178 8.3InGaAsP外延生長(zhǎng)182 第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體187 9.1Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的制備187 9.2Ⅱ-Ⅵ族化合物的點(diǎn)缺陷與自補(bǔ)償現(xiàn)象193 9.3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料196 第10章低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料201 10.1低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的基本特性201 10.2半導(dǎo)體超晶格與量子阱202 10.3半導(dǎo)體量子線與量子點(diǎn)211 10.4低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的現(xiàn)狀及未來(lái)215 第11章氧化物半導(dǎo)體材料217 11.1氧化物半導(dǎo)體材料的制備217 11.2氧化物半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)220 11.3氧化物半導(dǎo)體材料的應(yīng)用223 第12章寬禁帶半導(dǎo)體材料228 12.1Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料228 12.2SiC材料237 第13章其他半導(dǎo)體材料248 13.1窄帶隙半導(dǎo)體248 13.2黃銅礦型半導(dǎo)體250 13.3非晶態(tài)半導(dǎo)體材料251 13.4有機(jī)半導(dǎo)體材料252 13.5鈣鈦礦半導(dǎo)體材料255 參考文獻(xiàn)256
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